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【課題】圧電素子の周波数を調整した後、減圧雰囲気から常圧(大気状態)に戻されることによる、圧電素子の周波数変化を抑制する。または、アニール処理により、発生してしまうアウトガスが圧電素子に付着することによる、圧電素子の周波数変化を抑制することが可能な周波数精度の優れた弾性圧電波デバイスを提供する。
【解決手段】SAW素子1は接続端子としての金属パッド23により、収納室20内の基板5上に固定されるので、気圧の変化による金属パッド23の膨張または収縮によるSAW共振子10の共振周波数の変化を抑制し、共振周波数の精度の優れたSAW共振子10を提供することができる。また、接続端子としての金属パッド23は、アニール処理などによりアウトガスが発生しないので、アウトガスの付着などによる共振周波数の変化を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのSAW共振子は、オイラー角(−1°≦φ≦1°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、AlまたはAlを主体とした合金により構成されてストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT12と、IDT12を構成する電極指18間に位置する基板を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、


を満たし、かつ、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】共振周波数よりも低周波数側の周波数側におけるリップルを小さくすることができる、1ポート型弾性波共振子を得る。
【解決手段】圧電基板1上に、IDT電極3と、IDT電極3が交叉幅重み付けされており、IDT電極3の中心OよりもIDT電極の弾性波伝搬方向一端である第1の端部3a側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域と、中心OよりもIDT電極の弾性波伝搬方向他端である第2の端部3b側の領域であってかつ交叉幅重み付けにより規定される包絡線で囲まれた領域とが非対称とされている、一ポート型弾性波共振子1。 (もっと読む)


【課題】誘電体膜表面の凹凸を抑制し、かつ誘電体膜の膜厚の精度を向上させること。
【解決手段】圧電性基板10と、前記圧電性基板10上に設けられた櫛型電極12と、前記櫛型電極12を覆い、前記櫛型電極12より高い誘電体膜16と、前記圧電性基板10上に設けられ、前記誘電体膜16と同じ高さを有し、少なくとも下部に金属層を含み、最上面は前記誘電体膜16より研磨速度の遅い材料であるストッパ層14と、を具備する弾性波デバイス。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波の漏れを改善した弾性表面波共振器の提供。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板の上面に設けられた櫛型電極102と、前記櫛型電極102を覆う誘電体薄膜とを備えた弾性表面波共振器であって、前記櫛型電極102は、バスバー電極領域105とダミー電極領域106と交差領域107とを含む構成であって、前記バスバー電極領域105の上部において、前記誘電体薄膜の厚みが前記交差領域上部の前記誘電体薄膜の厚みよりも薄い構成である。この構成で、弾性表面波の横方向の漏れを改善して、特性に優れた弾性表面波共振器を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】同一圧電基板上に、複数の弾性波フィルタを精度よく形成し、かつ特性の改善が可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板2上に第1金属膜4を形成する工程と、第1金属膜4をドライエッチングすることにより、圧電基板2上に第1金属膜4から第1IDT8を形成する工程と、第1IDT8上にレジスト10を形成する工程と、レジスト10上、及び圧電基板2上に、第1金属膜4とは膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる第2金属膜12を形成する工程と、第2金属膜12をドライエッチングすることにより、圧電基板2上に、第2金属膜12から第2IDT16を形成する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数Kを高め、かつ電極指一本あたりの反射係数を効果的に高め得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板2上にIDT電極3が形成されており、IDT電極3を覆うように水晶基板2上にc軸配向のZnO膜6が形成されており、IDT電極3のメタライゼーション比が0.25〜0.45の範囲にある、弾性表面波装置。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数を高めることができ、広帯域化を図ることができる弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板2の上面に溝2aが形成されており、IDT電極3A〜3Cが、厚み方向において少なくとも一部が圧電基板2の上面に形成されている溝2aに埋め込まれるように形成されており、圧電基板2の上面に、第1の誘電体層6及び第1の誘電体層6よりも音速が速い第2の誘電体層7が積層されている、弾性境界波装置1。 (もっと読む)


【課題】圧電基板の平面寸法を大型化することなく、周波数を有効かつ十分に可変制御し得るSAW素子及びSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAW素子1は、水晶からなる圧電基板2の主面に、SAWを励振するためのIDT3と、IDTに対してSAW伝搬方向の両側に配置した反射器5,6と、反射器の少なくとも一部から構成されるヒーター電極10とを備える。SAW素子の動作温度範囲は、圧電基板2の周波数温度特性が2次曲線又は3次曲線で表される場合に、その極値となる温度を含まないように設定し、該2次曲線又は3次曲線が温度の上昇に関して常に正方向に変化するようにする。 (もっと読む)


【課題】電子素子片とベース基板とを接合して構成される電子部品の外部電極への配線引出しと、両者の封止とを同時に一括作業で実現できるようにした電子部品とその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板24は、電子素子片22に対向する位置に形成された貫通孔32と、貫通孔32を封止する封止部材30とを有すると共に、封止部材30が、貫通孔32の電子素子片22に対向する側の開口面を貫通して凸部30Aを形成する。電子素子片22は、電子素子片22の貫通孔32に対向する主面に導電膜28を有し、凸部30Aと導電膜28とを接触させることによって接続しつつ、電子素子片22とベース基板30をその周囲でロウ材26により接合する。ロウ材26は予めその高さを貫通電極凸部30Aより高くしておき、貫通電極30が素子側電極28に接触するまでリフローによりロウ材26を溶融し結合させる。 (もっと読む)


【課題】フィルタ部を有する弾性境界波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、弾性境界波フィルタ部10と、弾性境界波共振子20とを備えている。弾性境界波フィルタ部10は、入力端子11と出力端子12a、12bとを有する。弾性境界波共振子20は、弾性境界波フィルタ部10に接続されている。弾性境界波共振子20において発生する弾性境界波の高次モードの応答の周波数と、弾性境界波フィルタ部10において発生する弾性境界波の高次モードの応答の周波数とが等しくされている。 (もっと読む)


【課題】部品点数の低減及び小型化を図り得るだけでなく、設計の自由度を高め得る弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板10上に弾性表面波共振子からなる直列腕共振子4と、弾性境界波共振子からなる並列腕共振子7とを有し、直列腕共振子4及び並列腕共振子7がフィルタ回路を構成するように接続されている弾性波フィルタ1。 (もっと読む)


【課題】 抵抗損失を低減させることができる弾性表面波装置を提供する。また、製造工程におけるIDT電極の損傷を抑制することができる弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置1は、圧電基板7と、圧電基板7上に形成されたIDT電極9と、圧電基板7上に形成され、IDT電極9を外部端子に接続するための電極パッド11と、圧電基板7上に形成され、IDT電極9と電極パッド11とを接続する接続配線13と、を備える。IDT電極9は、第1の厚さを有し、電極パッド11は
、第1の厚さより大きい第2の厚さを有している。接続配線13の厚さは、第1の厚さより大きく且つ第2の厚さより小さいことを特徴とする。また、本発明に係る弾性表面波装置1の製造方法は、IDT電極9及び接続配線13上にレジストR3を塗布し、IDT電極9と接続配線13との接続部分を少なくとも覆うようにレジストR3をパターニングする工程を含む。 (もっと読む)


【課題】耐湿性に優れたSAWデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板11と、この圧電基板の一面上に設けたIDT電極12と、このIDT電極12に電気的に接続した入、出力電極13と、IDT電極と非接触でかつIDT電極を覆うように設けた絶縁性のカバー14と、入、出力電極上に設けた突起電極16と、この突起電極の側面とカバーと入、出力電極の少なくとも一部を覆い、かつカバーよりも耐湿性に優れた絶縁体層17と、この絶縁体層の上からカバーと突起電極の側面と入、出力電極の少なくとも一部を覆う樹脂層18と、突起電極の上端面に設けられ突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極19、20とを備えたSAWデバイスであって、このSAWデバイスの占有面積は圧電基板の占有面積にほぼ等しく、上部の外形形状は樹脂層と外部電極とにより規定されたものである。 (もっと読む)


【課題】透光性誘電体層の膜厚測定の正確性を向上する。
【解決手段】本発明の弾性波素子8は、圧電体9と、圧電体9の上に形成されたIDT電極10と、圧電体9の上にIDT電極10の少なくとも一部を覆うように形成された透光性誘電体層12とを備え、圧電体9の上に透光性誘電体層12に覆われるように形成されると共に可視光波長領域において圧電体9の反射率よりも高い反射率を有する反射膜14を有する構成とした。この構成により、弾性波素子8の製造過程において、透光性誘電体層12の成膜後に、光干渉式法による膜厚測定法等にて透光性誘電体層12の膜厚測定を実施する際、可視光波長領域において圧電体9の反射率よりも高い反射率を有する反射膜14からの反射光を用いることができる。これにより、より正確な透光性誘電体層12の膜厚測定を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置102は、圧電体薄膜106と、圧電体薄膜106の主面に設けられたIDT電極108と、IDT電極108及び圧電体薄膜106の積層体104を支持し、積層体104を離隔させるキャビティ180が形成された支持構造体122とを備える。圧電体薄膜106の膜厚h及びIDT電極108のフィンガー110のピッチpは、音速が5000m/s以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。圧電体薄膜106の結晶方位は、圧電体薄膜106の支持構造体122の側にある下面1062のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。 (もっと読む)


【課題】下地層の拡散を抑制して良好な周波数温度特性を安定して得ることのできる振動
片、および振動子を提供する。
【解決手段】周波数温度依存性を有する振動体11の表面に、ヤング率と熱膨張係数の少
なくとも一方の温度特性曲線上に変曲点と極値の少なくとも一方を有する温度特性補正部
28を設け、温度特性補正部28の振動体11とは反対側に、温度特性補正部28を構成
する下地層32が拡散する性質を持つ電極部24を積層させ、温度特性補正部28と電極
部24との間に下地層32の拡散を防止する拡散防止層26を設け、温度特性補正部28
におけるヤング率と熱膨張係数の少なくとも一方が変曲点となる温度と極値となる温度の
少なくとも一方が、前記振動体の動作温度範囲内としたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子1は、電極指片21a〜21c,22a,22bの一方の端部を接続するバスバー電極21d,22cを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるIDT電極20と、一対の反射器25,26と、が水晶基板10の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さtが、0<t/λ≦3であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η_IDT、波長λで規格化した規格化電極膜厚H_IDT/λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η_g、波長λで規格化した規格化電極膜厚H_g/λ、とすると、η_IDT=η_g=0のときの周波数Fを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔF_IDT/Fと、前記ギャップ部での周波数変化ΔF_g/Fと、の関係が、ΔF_IDT/F<ΔF_g/F、を満たす。 (もっと読む)


【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板20と、前記基板20の上方に形成され、一般式ABO3で表される第1複合酸化物層24と、前記第1複合酸化物層24の上方に形成され、一般式AB1-xx3で表される第2複合酸化物層26と、を含み、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、WおよびHfの少なくとも一つからなり、C元素は、NbおよびTaの少なくとも一つからなる。 (もっと読む)


【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、優れた信頼性を有する圧電デバイスの製造方法および圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電振動片2を収納したパッケージ3を実装用基板4上にスペーサ51〜54を介して実装するとともに、スペーサ51〜54によってパッケージ3と実装用基板4との間に形成された間隙に収まるように、圧電振動片2を駆動する機能を有する電子部品6を実装用基板4上に実装した圧電デバイス1の製造方法であって、実装用基板4となるべき基板4A上にスペーサ51〜54を形成する工程と、基板4A上およびスペーサ51〜54上にこれらの間を跨るように配線パターン42を形成する工程と、配線パターン42に電気的に接続されるように、基板4A上に電子部品6を実装する工程と、スペーサ51〜54上にパッケージ3を実装する工程とを有する。 (もっと読む)


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