【課題】複数の導体層を積層している電極指でありながら、これらの導体層の破断や剥離等の発生を抑制できるＩＤＴ電極を備えることで、耐久性を高めることができる弾性表面波素子及びそれを搭載した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、圧電基板１０上に電極指１１ａを有するＩＤＴ電極１１を備えている。電極指１１ａは、中間層１２と、中間層１２に比べて大きな熱膨張係数を有する電極層１３が積層されてなる。電極指１１ａは、圧電基板１０に近づく方向に広がる台形形状となる断面形状を有している。中間層１２の側面１の成す角度α_１は、電極層１３の側面との成す角度β_１よりも大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量や寄生インダクタンスを低減しながら初期周波数調整を行なうことを可能とし、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、回路定数の異なる複数の発振回路１４〜１６を有する半導体回路領域１３と、ＩＤＴ電極４を有する弾性表面波素子領域１２とを有している。そして、ＩＤＴ電極４のＩＤＴ接続パッド５ａ，５ｂと、複数の発振回路１４〜１６のうち選択された一つの発振回路１５の回路接続パッド１５ａ，１５ｂのそれぞれとが、液滴吐出用導電材料からなる回路接続配線９により接続され、ＳＡＷ発振器１０の一つの回路が形成されている。回路接続配線９は液滴吐出用導電材料からなり、液滴吐出法により形成されているので、マスクが不要で工程の簡略化も可能となり、寄生容量や寄生インダクタンスを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスにおいて温度特性のばらつきを抑制しかつ量産に適した小型化を可能にする。
【解決手段】 オイラー角表示で（０°，θ，０°＜｜ψ｜＜９０°）、好ましくは（０°，θ，９°＜｜ψ｜＜４６°）、より好ましくは（０°，９５°＜θ＜１５５°，３３°＜｜ψ｜＜４６°）の面内回転ＳＴカット水晶板からなる水晶基板１１の主面に、ＳＡＷの波長λに対してＨ／λ≦０．０８５となる厚さＨの交差指電極１２ａ，１２ｂからなるシングル型のＩＤＴ１３を形成する。これにより、ストップバンドの上限モードで励振させ、製造上のばらつきを含めて、使用温度範囲（０〜７０℃）で周波数変動幅Δｆabを２５ｐｐｍ以下に抑えた良好な温度特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】二次実装時において、配線基板上にフリップチップ実装され封止樹脂で被覆された弾性表面波素子と配線基板との間の気密破壊を抑制した高周波モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の高周波モジュールは、圧電基板２１の一方主面上外周に沿って環状封止電極２４が設けられ、環状封止電極２４の内側領域にＩＤＴ電極２２とこのＩＤＴ電極２２に接続する入出力電極２３とが設けられた弾性表面波素子２が、複数の誘電体層１１および複数の導体層１２からなる積層構造を有する配線基板１の表面にフリップチップ実装されるとともに、その他の表面実装部品が配線基板１の表面に実装され、弾性表面波素子２およびその他の表面実装部品を封止するように配線基板１の表面が封止樹脂層４で被覆された高周波モジュールにおいて、封止樹脂層４には、配線基板１における積層方向から見て封止樹脂層４を分割するように弾性表面波素子２に沿って溝状空隙部４１が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波利用で、レイリー波スプリアスの影響を抑圧する弾性表面波装置の提供。
【解決手段】（０°±５°，θ，ψ）のＬｉＮｂＯ_３基板２上にＣｕを主体で、ＩＤＴ電極３を含む電極形成領域を除く領域に、第１の酸化ケイ素膜６が形成され、電極及び第１の酸化ケイ素膜６を覆う様に、第２の酸化ケイ素膜７が形成され、電極密度が、第１の酸化ケイ素膜の密度の１．５倍以上で、かつオイラー角（０°±５°，θ，ψ）のψが、１０°〜３０°の範囲内で、θ及びψは、ＩＤＴ電極膜厚が０．０５λの時、ハッチング付与領域範囲内にあり、０．０５λ以外の時、前記領域を、下記式で表われるθ_ｘに変換して得られた領域内にある、弾性表面波装置。
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【課題】電子部品のチッピングを低減し、熱工程における損傷を抑制する。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、実装基板１１上に配置された外部電極２１を介して実装された電子部品１２をモールド樹脂１４で被覆した電子部品パッケージにおいて、電子部品１２は、圧電体からなる部品基板１５の下面に配置したＩＤＴ電極１７を部品カバー１８で覆った構造であり、部品基板１５の上面全体にフィラを含有する樹脂製の保護体１６を配置した。 （もっと読む）

【課題】櫛型電極や弾性表面波の伝搬領域が確実に保護された弾性表面波素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に形成された櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２を有する弾性表面波素子において、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２が収容される空間を形成して、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２を覆う蓋体を圧電基板１０上に設けた。蓋体は、例えば、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２が収容される空間を形成して、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２を覆うように跨ぐブリッジ状の第一の蓋体部１４と、第一の蓋体部１４を封止する封止膜１６と、第一の蓋体部１４を覆う第二の蓋体部１８と、からなる二重構造となっている。 （もっと読む）

【課題】電力投入直後の共振周波数もしくは中心周波数のシフトが生じ難く、経時による周波数特性の劣化が生じ難い、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上に、少なくとも１つのＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３が、圧電基板２側に配置された密着層３ａと、主電極層とを有し、主電極層として、ＣｕまたはＣｕを主体とする合金からなる複数の主電極層３ｂ，３ｃを有し、主電極層３ｂ，３ｃがＣｕもしくはＣｕを主体とする合金以外の金属材料からなる中間層３ｄを介して積層されている、弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】強い反射を利用するトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、低リップルな特性を備えたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを提供することにある。
【解決手段】トランスバーサル型ＳＡＷフィルタ３の入力側の特性インピーダンスを１／Ｇｒｆｏｕｔ、出力側の特性インピーダンスを１／Ｇｉｆｉｎとして、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタ３の電極を形成した。その特性インピーダンスを持つ入出力終端とトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ３との間に、各々１個のインダクタと２個のコンデンサとを含む入力側整合回路２及び出力側整合回路４を設けた。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子の特性を向上させ、また、弾性波素子の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０上に圧電膜１３を形成し、この圧電膜１３上に導電性膜１７を形成し、さらに、圧電膜１３上に弾性波発生用の櫛歯型電極１９ａを形成するとともに、導電性膜１７上に位置し、櫛歯型電極１９ａと電気的に接続される導電性膜１９ｂを形成した後、櫛歯型電極１９ａを覆い、導電性膜１９ｂ上に開口部ＯＡ２を有する保護膜２１を形成する。その結果、開口部ＯＡ２の形成、即ち、保護膜２１のエッチングの際、開口部ＯＡ２底部にエッチング残渣が生じていてもワイヤボンディング時に貫通することが可能なため、接続不良を低減できる。 （もっと読む）

単結晶のＬｉＮｂＯ３からなる基板を有する電子音響部材が提案される。この第２オイラー角μに関しては以下のことが該当する。−７４°≦μ≦−５２°または２３°≦μ≦３６°。第１オイラー角λに関しては、
【数１】


が、また第３オイラー角θに関しては
【数２】


が該当する。
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【課題】 平衡度を劣化させることなく、挿入損失とＶＳＷＲが改善された弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波素子１は、圧電基板１９と、前記圧電基板１９上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された３個以上の奇数個のＩＤＴ電極３，４，５とを有し、前記奇数個のＩＤＴ電極３，４，５，のうち、中央に形成されたＩＤＴ電極４の両側に配設されたＩＤＴ電極３，５には、第１及び第２の基準電位用端子１４，１５がそれぞれ接続されており、前記第１及び第２の基準電位用端子１４，１５は、前記中央に形成されたＩＤＴ電極３の中心を通り、前記伝搬方向に直交する方向に設けた仮想中心軸Ａに対して、非対称に形成されている。 （もっと読む）

ここに記載されているのは、障害となる横モードを抑圧するＳＡＷ変換器である。ここでこれは、音波の横方向励起プロフィールと、音響トラックおよびこれに隣接する外部領域（ＡＵ１，ＡＵ２）によって形成される導波体の横方向基本モードとを互いに適合させることによって達成される。この適合化は、上記の音響トラックを励起領域（ＭＢ）と縁部領域（ＲＢ１，ＲＢ２）とに分けることによって行われる。この縁部領域および外部領域は、縁部領域における音波の縦方向の位相速度が、励起領域よりも大きくなるように構成されており、この外部領域における縦方向の位相速度は、励起領域よりも小さい。またｋ_ｙは縁部領域において実数であり、外部領域において虚数である。上記の縁部領域（ＲＢ１，ＲＢ２）の幅を調整して、上記の励起領域においてｋ_ｙが実質的に一定であり、また実質的にゼロに等しいようにする。
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【課題】安価で、かつ、良好な振動特性をもって様々な電子機器に使用することができる弾性表面波素子、および弾性表面波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板３４の中央付近に、一対の櫛歯電極４０ａ，４０ｂからなるＩＤＴ４０が設けられており、このＩＤＴ４０が設けられた面と反対側の面を接着剤３２でパッケージ２０に接合するようにした弾性表面波素子３０であって、ＩＤＴ４０と電気的に接続された対となる一方の端子４４と他方の端子４６の端子対４４，４６が、圧電基板３４の中央領域Ｍと端部領域Ｅの各領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高温環境下でも、弾性表面波の励振が可能な弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することにある。
【解決手段】サファイア基板１１上に形成される伝搬層１２と、伝搬層１２上に形成される櫛形電極１５および１６を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、圧電性を有し積極的に不純物を含まないＧａＮから伝搬層１２を形成し、ＧａＮと比較して狭いバンドギャップを有し積極的にｎ型不純物を含むＩｎＧａＮから櫛形電極１５および１６を形成した。 （もっと読む）

【課題】優れた耐電力性を有し、製造容易でかつ、再現性良く成長させることができる擬似単結晶Ａｌ電極膜を備えた弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムである圧電基板２上にＴｉ下地膜４とＡｌあるいはＡｌ系合金膜よりなる電極膜５とを積層する。電極膜５は、２つの（１１１）ドメインより成る擬似単結晶膜より構成され、２つの（１１１）ドメインの＜１１１＞方向が、それぞれ、基板表面に対し０〜１０度の範囲内で傾き、かつ、それぞれの（１１１）ドメイン面内の＜１１−２＞方向が互いに１〜１５度離れている。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしてＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷの伝搬損失を無くしかつ電気機械結合係数Ｋ^２ を大きくし、より一層低損失化が可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 カット面及びＳＡＷの伝搬方向がオイラー角表示で（９０±１０°，９０±１０°，ψ°）かつψ＝１４８〜１８０°のＬｉＴａＯ_３ 基板からなる圧電基板２の表面に、伝搬損失が０ｄＢ／λでありかつ電気機械結合係数Ｋ^２ が０．０１５以上となるように、その膜厚Ｈ／λを設定してＩＤＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２５°〜５５°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板１２上に、Ａｌと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板１２上に周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ_２膜１５が形成されている、弾性表面波装置１１。 （もっと読む）

【課題】共振子であればＱ値の低下、フィルタであれば挿入損失の増加を生じさせないＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷの伝搬方向に対する逆速度面が進行方向に対して凹となる圧電基板１０を用いて形成されるＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴ電極１１ａ、１１ｂを有する交差電極部２と、交差電極２より交差長方向外側に配置され、グレーティング電極１２ａ、１２ｂを有するグレーティング部３ａ、３ｂとを備え、グレーティング電極３ａ、３ｂの膜厚をＩＤＴ電極１１ａ、１１ｂの膜厚より厚くした。 （もっと読む）