【課題】
複数の共振器から構成される弾性波フィルタの小型化に伴い、弾性フィルタ内の配線パターンが隣接し不要な電磁結合が生じ、弾性波フィルタの特性劣化が生じるのを抑制する。
【解決手段】
基板上に配置された弾性波を利用するＳＡＷやＦＢＡＲ等の複数の共振器の間や、これら複数の共振器とグランド端子との間、共振器と入力端子との間や共振器と出力端子との間に配置された複数の配線パターンに沿って、これら配線パターンと隣接し、対向し、好ましくは配線パターン幅よりも広い幅を有するシールド電極を配置し、弾性波フィルタの小型化に伴う、弾性フィルタ内の配線パターン間の不要な電磁結合を抑制し、弾性波フィルタの特性劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】より低コストで適度な強度を有する基板、および当該基板を用いたＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る基板１は、ＳＡＷデバイス用のスピネルからなる基板である。基板１においては、基板１の一方の主表面１ａの平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であることが好ましい。またＳＡＷデバイス用または他のデバイス用の、スピネル製の基板１のヤング率は１５０ＧＰａ以上３５０ＧＰａ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の厚さを薄くしてラム波の高周波化を可能にする、ラム波型デバイスを提供する。
【解決手段】ラム波型デバイスであるラム波型共振子１は、水晶基板２と、水晶基板２の一方の面にアルミニウム（Ａｌ）で形成された櫛歯状電極３、反射器４および電極パッド５と、水晶基板２の他方の面に金（Ａｕ）で形成された金属膜６と、金属膜６に接合されたシリコン基板である支持基板７と、支持基板７に形成され水晶基板２および金属膜６を介して櫛歯状電極３、反射器４および電極パッド５と対向して位置するキャビティー部８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板と保護カバーとの間に剥離が生じにくく信頼性に優れた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波を伝搬させる基板３と、基板３の主面上に配置された励振電極と、基板３の主面上に立設され、励振電極と電気的に接続される複数個の第１の柱状導体１５と、基板３の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第２の柱状導体１６と、励振電極の振動空間１７を構成するとともに、第１の柱状導体１５の側面および第２の柱状導体１６の側面を覆う保護カバー９と、を有する構造にする。 （もっと読む）

【課題】多結晶支持基板と圧電基板との接着強度をより高めることができる複合基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、圧電基板１２と、第１支持基板１４と第１平滑層１６とを有する支持基板１７と、第１接着層１９とを備えたものである。第１支持基板１４は、圧電基板１２の表面粗さより大きい表面粗さを有する多結晶基板である。第１平滑層１６は第１支持基板１４の表面に溶着されて、支持基板１７の表面に第１支持基板１４の表面粗さより小さい表面粗さの表面を形成するものである。このような支持基板１７は、平滑な表面を有するため、圧電基板１２との接着強度をより高めることができる。また、溶着によって第１平滑層１６が形成されているから、第１平滑層１６と第１支持基板１４とが剥離しにくい。このため圧電基板と支持基板との接着強度をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子の製造工程中における反りや基板の剥がれを抑制することができる弾性表面波素子用基板及び弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）圧電基板１２と、（ｂ）一方の主面１４ａが圧電基板１２の一方の主面１２ｂと貼り合わせられ、圧電基板１２の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持基板１４とを備える。支持基板１４の一方の主面１４ａは、圧電基板１２の一方の主面１２ｂよりも大きい。支持基板１４と圧電基板１２との貼り合わせ面に垂直な方向から透視すると、支持基板１４の内側に圧電基板１２が配置され、支持基板１４は、圧電基板１２の外側を取り囲むはみ出し部分１３を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の材料が限定されず、生産性を向上させることができる圧電デバイスの製造方法及び素子基板を提供する。
【解決手段】基板１０上に素子領域Ａを区画する隔壁２を設ける工程と、素子領域Ａに圧電デバイス（ＳＡＷ素子１００）を設ける工程と、隔壁２にダイシングブレードを導入する溝２ｂを形成する工程と、隔壁２上に、素子領域Ａに連通する第１開口３ａと溝２ｂに連通する第２開口３ｂとを有する上部隔壁３を設ける工程と、第１開口３ａを介して圧電デバイスの周波数調整を行う工程と、溝２ｂにダイシングブレードを導入して圧電デバイスを個片化する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子面の損傷を防止することができる成膜装置、成膜方法、表面弾性波素子の周波数調整方法、及び表面弾性波フィルターの周波数調整方法を提供する。
【解決手段】イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電基板を薄くしなくても温度特性を改善でき、小型化が容易である弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子４は、（ａ）一対の主面１０ａ，１０ｂを有し、一方の主面１０ａの外縁は互いに対向する一対の辺１０ｋを含み、一対の辺１０ｋからそれぞれ他方の主面１０ｂに向けて延在する一対の対向面が形成された圧電基板１０と、（ｂ）圧電基板１０の一方の主面１０ａに形成され、一対の辺１０ｋに対して実質的に垂直に延在する電極指２２を含むＩＤＴ電極２０と、（ｃ）圧電基板１０の一対の対向面に、圧電基板１０よりも線膨張係数が小さい材料を用いてそれぞれ形成された一対の拘束部１４とを備える。拘束部１４は、圧電基板１０の一方の主面１０ａにおいてＩＤＴ電極２０による弾性表面波が伝搬する振動領域の両側のみに、弾性表面波が伝搬する方向と平行に形成されている。 （もっと読む）

【課題】完成品に近い状態で電気機械結合係数ｋ²や周波数特性などを調整可能とし、デバイスの製造歩留まりを向上させることができ、より低コストの弾性波デバイスを実現することができる。
【解決手段】圧電基板１と、圧電基板１上に配された櫛形電極２と、櫛形電極２間に配された第１の誘電体膜４と、櫛形電極２と第１の誘電体膜４を覆う第２の誘電体膜５とを備える弾性波デバイスであって、第１の誘電体膜４上に調整膜６を備え、調整膜６は第１の誘電体膜４及び第２の誘電体膜５に対して比重が大きい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】支持基板と圧電基板とを用意する。次に、支持基板の表面と圧電基板の裏面とを有機接着層を介して貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する。続いて、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、圧電基板の外周面と有機接着層の外周面と支持基板のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になるように研削する。続いて、圧電基板の表面を研磨することにより、この圧電基板の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

機械共振構造体、並びに関連する機器および方法が記載される。機械共振構造体は、温度変化を補償する補償構造を有する。
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【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１２の外径から面取り部を減じた長さに貼り合わせ時の位置ずれに対応するマージンを見込んだ外径のＬＴ基板とを用意する（図５（ａ））。次に、ＬＴ基板１０の裏面に有機接着剤１３を塗布し、シリコン基板１２と貼り合わせて貼り合わせ基板１６を形成する（図５（ｂ））。続いて、ＬＴ基板１０の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給して、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する（図５（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低背化することが可能な弾性表面波デバイスを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板１と、この圧電基板１の表面に設けられた複数の櫛形電極２および複数のパッド電極３と、前記複数の櫛形電極２間および櫛形電極２とパッド電極３との間を接続する配線４と、前記圧電基板１の上に設けられ、かつ櫛形電極２を囲む側壁５と、この側壁５の上に設けられ、かつ前記櫛形電極２の励振空間８を覆う天板６と、前記天板６および圧電基板１の表面を覆う封止樹脂９と、この封止樹脂９の上に設けられ、かつ前記パッド電極３と電気的に接続された外部端子１１とを備え、前記配線４の上に天板６に至る柱状部１２を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe⁺イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】高次モードのスプリアスを抑制する。
【解決手段】弾性波素子５は圧電体６と、圧電体６の上に配置されて弾性波を励振させる櫛歯電極７と、圧電体６の上に櫛歯電極７を覆うように設けられた誘電体層８を備える。この誘電体層８は、下から上に向けて横波が伝搬する速度が連続的に速くなる媒質からなる組成変化部分を含む。この構成により、誘電体層８内を伝搬する高次モードによるスプリアスをより高い周波数に移すことができ、高次モードによるスプリアスによる影響を低減できる。 （もっと読む）

【課題】高周波数側の通過帯域外の減衰特性が高い弾性波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１は、入力側信号端子１５と出力側信号端子１６との間に接続されている縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０と、縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０に対して並列となるように、入力側信号端子１５と出力側信号端子１６との間で直列に接続されている第１及び第２のリアクタンス素子５０，６０とを備えている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０の複数のＩＤＴ電極３１〜３５のうちの一端が出力側信号端子１６に接続されたＩＤＴ電極３２，３４の他端が第１のアース電極８１に接続されている。複数のＩＤＴ電極３１〜３５のうちの一端が入力側信号端子１５に接続されたＩＤＴ電極３１，３３，３５の他端と、第１及び第２のリアクタンス素子５０，６０間の接続点５４とが第２のアース電極８２に共通に接続されている。 （もっと読む）

【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ₃から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。 （もっと読む）

【課題】端子に静電気を帯びた部分が接触したとしても、ＩＤＴ電極の破壊が生じ難い、弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２と、第１の媒質層３と、第２の媒質層４とが積層されており、圧電基板２と第１の媒質層３との境界に電極構造５が形成されている三媒質構造の弾性境界波装置であって、第２の媒質層４上にＩＤＴ電極に電気的に接続されている複数の端子６〜１１が形成されており、複数の端子６〜１１が、第２の媒質層４に電気的に接続されており、第２の媒質層４が静電気を流し得る抵抗性材料からなる、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子上の導体間の接続信頼性を向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波素子は、圧電基板２１と、この圧電基板２１の上に配置された櫛歯電極２２及び第１、第２、第３の導体２３〜２５と、この圧電基板２１の上に第３導体２５を覆うように配置されたレジスト層４０と、このレジスト層４０の上に配置されて第１の導体と前記第２の導体とを電気的に接続する第４の導体２６とを備える構成である。上記構成の如く、本発明は、第３の導体２５と第４の導体２６との絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジスト層４０を用いる。即ち、レジスト層４０は、製造工程において下方に広がるテーパ形状を形成するので、レジスト層４０において、ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。 （もっと読む）