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Fターム[5J097FF04]の内容

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【課題】 複合圧電基板の歪、微細な亀裂及び空隙を低減した高い圧電特性を有する、圧電基板を限定しない複合圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板101の伝導担体を正極性又は負極性にし、圧電基板101とシリコン基板102との板厚比X(圧電基板の厚みをa、シリコン基板の厚みをbとしたとき、X=a/b)がX=0.001以上X=1以下の範囲にし、圧電基板101とシリコン基板102を重ね合わせる工程と所定の温度に保持する工程とシリコン基板102と圧電基板101間に所定の電圧を印加する工程を備え、適切な熱処理条件および印加電圧条件を規定する。 (もっと読む)


【課題】IDT上にSiO2膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、SiO2膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】20°〜60°回転Y板のLiTaO3基板上に、Agを主体とする少なくとも1つのIDTが形成されており、該IDTを覆うように、LiTaO3基板上にSiO2膜が形成されている、弾性表面波装置。 (もっと読む)


【課題】 優れた電気機械的及び電気光学的特性とともに高い誘電常数を有する強誘電性単結晶を用いて強誘電性膜構造物を製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】 導電性接着剤又は金属層によって基板上に強誘電性単結晶板を接合(前記強誘電性単結晶薄板は前記基板に接合する前または後に研磨される)することによって、高性能の電気電子部品及び素子の製作に有用できる強誘電性単結晶膜構造物を製造できる。
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表面弾性波センサは、a)その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶(ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのようなもの)と交叉指状電極の上の第2の圧電層(酸化亜鉛のようなもの)とから成る第1の層状SAWデバイスと、b)その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶と、交叉指状電極の上の第2の圧電層と、第2の圧電層の上の検体感応表面(金のようなもの)とから成る第2の層状SAWデバイスとを備える。c)SAWデバイスの両方は、同じ基板上に製作される。表面弾性波センサは、d)SAWデバイスの帯域幅を低減するため各SAWデバイスの交叉指状電極に隣接して配置された反射器を更に備え、e)各SAWデバイスの共振器回路は、従属性の増幅器を組み込んでいる。
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