【課題】電気機械結合係数の低下を防止して、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子、かかる弾性表面波素子を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、主として圧電材料で構成された圧電体層４と、この圧電体層４上に設けられ、バスバー（基部）５２、６２と、これに接続され、所定間隔で併設された複数の電極指５１、６１とを備える一対の櫛歯電極で構成されたＩＤＴ５、６と、バスバー５２、６２に接続された端子（電気接続部）８１〜８４と、圧電体層４のＩＤＴ５、６と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層３とを有する。この弾性表面波素子１では、下地層３が、平面視で少なくとも各電極指５１、６１と重なる領域と、端子８１〜８４と重なる領域とに分離して設けられている。 （もっと読む）

圧電基板（Ｓ）上に形成されるＳＡＷ素子に関して損失を低減するために、速いすべり波の伝播速度よりも表面波の伝播速度が低くなるまで、金属化部（Ｍ）により質量応力が高められる。その際、温度変動の上昇が限界を超えないようにする目的で、Ａｌよりも著しく大きい固有層厚ないしは比層厚をもつ金属化部が用いられる。これと並行して、実質的に面全体にわたり被着された補償層（Ｋ）によって素子の温度変動が小さくされる。この補償層は、基板と金属化部の組み合わせによる弾性率に対し逆に作用する弾性係数の温度依存性をもつ材料から選択される。
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低減された温度推移を伴う、音響波によって作動する構成素子
音響波によって作動する構成素子を提案する。この構成素子は、殊に共振周波数の温度推移を低減させるために種々異なる手法を組み合わせている。この構成素子はピエゾ圧電基板（ＰＳ）を有している。このピエゾ圧電基板は、材料内を伝播する波長の５〜５０倍の領域にある、比較敵薄い厚さ（ｄ_ｐ）を有している。上面には、導電性の構成素子構造体（ＢＥＳ）が設けられており、下面には、機械的緊締が生じるようにまたは、温度変化時に緊締が形成されるように補償層（ＫＳ）が機械的に固定して基板と結合されている。構成素子構造体（ＢＥＳ）上にはＳｉＯ_２層が、該ＳｉＯ_２層内で伝播する音響波の５〜２０％の厚さで配置されている。
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【課題】 優れた電気機械的及び電気光学的特性とともに高い誘電常数を有する強誘電性単結晶を用いて強誘電性膜構造物を製造する新規な方法を提供する。
【解決手段】 導電性接着剤又は金属層によって基板上に強誘電性単結晶板を接合（前記強誘電性単結晶薄板は前記基板に接合する前または後に研磨される）することによって、高性能の電気電子部品及び素子の製作に有用できる強誘電性単結晶膜構造物を製造できる。
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【課題】 小型化および低消費電力化を促進しつつ、外気温の変化に対する周波数安定性を向上させる。
【解決手段】 半導体チップ４には、弾性表面波装置１１、弾性表面波装置１１が組み込まれた発振ループを構成する発振回路１２および弾性表面波装置１１を含む発振回路１２の温度を制御する温度制御回路１３が設けられ、発振回路１２の定常動作時において、発振回路１２からの発熱量と容器１から放出される放熱量とが使用温度範囲内で平衡するように構成された容器１に半導体チップ４を封入するとともに、外気温が下がった時に、発振回路１２が発生する発熱量の不足分が補われるようにヒータ１３ｃを動作させることで、発振回路１２の温度を一定に保つようにする。 （もっと読む）

【課題】 チップに保護膜を設けても、ワイヤボンディングの信頼性を確保しつつチップの小型化を図ることができる弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１２と、基板１２上に形成されたＩＤＴ１４，１５と、ＩＤＴ１４，１５に接続されたパッド１３ａ，１４ａ，１４ｓ，１５ａ，１５ｓと、を有するＳＡＷチップ１１と、ランド２１ａ〜２５ａを有するパッケージ２０と、ＳＡＷチップ１１のパッド１３ａ，１４ａ，１４ｓ，１５ａ，１５ｓとパッケージ２０のランド２１ａ〜２５ａとを接続するボンディングワイヤ３０と、パッド１３ａ，１４ａ，１４ｓ，１５ａ，１５ｓとボンディングワイヤ３０との接続部分に塗布されて硬化した第１のシリコーン系樹脂４０と、第１のシリコーン系樹脂４０が硬化する際にＳＡＷチップ表面に形成された厚さ１００ｎｍ未満の第２のシリコーン系樹脂とを備える。 （もっと読む）

使用温度範囲において、十分な大きさの減衰量及び帯域幅を得ることを可能とする分波器を提供する。 通過帯域が相対的に低く、かつ第１の温度特性改善薄膜が設けられている第１のフィルタ１１と、通過帯域が相対的に高く、第２の温度特性改善薄膜が設けられている第２のフィルタ１２とを備え、第１のフィルタの周波数温度係数が第２のフィルタの周波数温度係数よりも大きくなるように第１，第２の温度特性改善薄膜の膜厚が異ならされている、分波器１。 （もっと読む）

表面弾性波センサは、ａ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶（ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのようなもの）と交叉指状電極の上の第２の圧電層（酸化亜鉛のようなもの）とから成る第１の層状ＳＡＷデバイスと、ｂ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶と、交叉指状電極の上の第２の圧電層と、第２の圧電層の上の検体感応表面（金のようなもの）とから成る第２の層状ＳＡＷデバイスとを備える。ｃ）ＳＡＷデバイスの両方は、同じ基板上に製作される。表面弾性波センサは、ｄ）ＳＡＷデバイスの帯域幅を低減するため各ＳＡＷデバイスの交叉指状電極に隣接して配置された反射器を更に備え、ｅ）各ＳＡＷデバイスの共振器回路は、従属性の増幅器を組み込んでいる。
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圧電基板（１２）上に櫛型電極およびグレーティング反射器で構成された弾性表面波共振子（１５〜２０）を複数接続して構成であって、上記弾性表面波共振子（１５〜２０
）のうち、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されており、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されていない構成からなる。これにより、帯域内挿入損失が小さく、また急峻性が良好で、かつ帯域の広いＳＡＷフィルタを得ることができる。 （もっと読む）

所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面に吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

フィルタ帯域の急峻化や、比帯域幅の異なる複数帯域のフィルタ、共振子を単一基板上に得ることで、小型で高性能な弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。
単結晶基板４上に固体層５が積層されており、単結晶基板４と固体層５との境界に電極が配置されている弾性境界波装置であって、カット角が同じ単結晶基板４を用いて構成された複数の弾性境界波素子２，３が備えられており、弾性境界波素子２の伝搬方位は、弾性境界波素子３の伝搬方位と異なっている、弾性境界波装置１。
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反射端面を高精度かつ容易に形成することができ、製造に際しての基板のチッピングが生じ難く、小型化及び低背化を進めることができる端面反射型弾性表面波装置を提供する。
基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、圧電薄膜３上に形成されたインターデジタル電極４〜７とを備え、インターデジタル電極４〜７の最外側の電極指の近傍に反射部１０，１１，１４，１５が設けられており、該反射部１０，１１，１４，１５が圧電薄膜３に凹部を形成することにより設けられている、端面反射型弾性表面波装置１。 （もっと読む）

良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．５４＜ｄ＜０．８９とされている、弾性境界波装置。
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