【課題】この弾性波素子は良好な温度特性と電気機械結合係数とを有する。
【解決手段】弾性波素子は、圧電体と、圧電体の上面上に設けられた第１と第２のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、圧電体の上面上に設けられてかつ第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極とを覆う第１の誘電体層とを備える。第１のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第１の部分の上面の圧電体の上面からの高さより、第２のＩＤＴ電極の真上方における第１の誘電体層の第２の部分の上面の圧電体の上面からの高さが高い。 （もっと読む）

【課題】反射係数が高くかつ温度係数の低い弾性波素子を提供する。
【解決手段】
ＳＡＷ素子１は、圧電基板１と、圧電基板１の上面３ａに配置されたＩＤＴ電極５と、ＩＤＴ電極５の上面に配置された絶縁材料からなるスペーサー１８と、スペーサー１８の上面に配置された付加膜９と、付加膜９が配置されたＩＤＴ電極５を圧電基板１のうちＩＤＴ電極５から露出する部分とともに覆い、上面３ａからの厚みが圧電基板１の上面３ａから付加膜９の上面までの厚み以上であるＳｉＯ_２からなる絶縁層１１とを有する。付加膜９は、ＩＤＴ電極５の材料，スペーサーの材料１８およびＳｉＯ_２よりも音響インピーダンスが大きく、スペーサー１８よりも密度が大きく、かつＩＤＴ電極５の材料およびＳｉＯ_２よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】トランスバーサル型の弾性波フィルタにおいて、当該フィルタと外部との間のインピーダンスの整合を取りやすくすること。
【解決手段】各々のＩＤＴ電極１２、１３について、弾性波の発生するフィルタ本体１と、弾性波が発生しないように電極指１５が配置された緩衝領域２と、容量成分Ｃ２をなすインピーダンス調整部３と、を対向するＩＤＴ電極１３、１２側からこの順番で配置する。そして、インピーダンス調整部３において弾性波が発生しないように、且つフィルタ本体１における弾性波の発生を阻害しないように、インピーダンス調整部３の上方側と、当該インピーダンス調整部３側における緩衝領域２の端部と、に弾性波を吸収するための吸収体４１を配置する。 （もっと読む）

【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板１１０を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板１１０上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備える。ＩＤＴ電極を形成する工程は、Ａｌ層１２４Ａを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板１１０上に形成することと、Ａｌ層１２４Ａの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｂの形成を行ない、更にＡｌ層１２４Ｂの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｃの形成を行ないＡｌ層を所定の厚さにすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】高結合基板上にＳＡＷトランスデューサまたはＳＡＷ共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスにおいて、フィルタとしての十分な帯域を維持しつつ、温度に対する周波数特性の安定化を図る。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成されて所定波長λのレイリー波を主要弾性波として励起するＩＤＴ電極と、前記圧電基板および前記ＩＤＴ電極を覆うように形成された誘電体膜とを備える弾性波デバイスであって、前記誘電体膜は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部の電極指の鉛直上方に凸部を有し、前記ＩＤＴ電極の電極指の延伸方向に垂直な断面において、前記誘電体膜の上端縁の最も低い部分を通る水平線より上方の前記凸部を含む領域の面積である、当該凸部の１つ当たりの断面積は、０．０１２５λ²以下である。 （もっと読む）

【課題】弾性波フィルタ部品の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波フィルタ部品１は、第１の圧電基板３の厚みが第２の圧電基板５の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品１内において、第１の圧電基板３の上面を含む平面と第２の圧電基板５の上面を含む平面との距離は、第１の圧電基板３の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。これにより、第１の柱状配線電極７の高さと第２の柱状配線電極９の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品１の製造工程を簡易化することができる。 （もっと読む）

【課題】急峻なフィルタ特性を有すると共に、通過帯域が広く、かつフィルタ特性の製造ばらつきが小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタ装置１は、ラダー型弾性表面波フィルタ部２０を備えている。直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子３０の誘電体層３３の厚さｔ１が、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子４０の誘電体層４３の厚みｔ２と異なっている。誘電体層の厚さが厚い弾性表面波共振子３０のＩＤＴ電極３２のデューティー比が、誘電体層の厚さが薄い弾性表面波共振子４０のＩＤＴ電極４２のデューティー比よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 同一チップ上において異なる２つ以上の電気機械結合係数を有する弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された誘電体層１２と、誘電体層上に形成された第１櫛形電極２２ａ及び第２櫛形電極２２ｂと、を備え、第１櫛形電極２２ａと圧電基板１０との間における誘電体層１２ａの厚みは、第２櫛形電極２２ｂと圧電基板１０との間における誘電体層１２ｂの厚みと異なることを特徴とする弾性波デバイス及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ_３基板の上に、ＩＤＴ電極を覆うように厚み０．２５λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性表面波装置１は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１０と、圧電基板１０の上に形成されたＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１を覆うように圧電基板１０の上に形成された誘電体層１２とを備えている。ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに誘電体層１２の厚みは、０．２λ以上である。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波装置において、スプリアス応答となる高次モードを抑圧する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電基板２０と、第１の媒質２１と、第２の媒質２２と、ＩＤＴ電極１３とを備えている。第１の媒質２１は、圧電基板２０の上に形成されている。第２の媒質２２は、第１の媒質２１の上に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電基板２０と第１の媒質２１との間の境界に形成されている。第１の媒質２１の音速は、圧電基板２０及び第２の媒質２２の音速よりも低い。第２の媒質２２の厚さは、ＩＤＴ電極１３において生じる弾性境界波の波長をλとしたときに、０．５６λ以上である。 （もっと読む）

【課題】良好な減衰特性を得ること。
【解決手段】本発明のアンテナ共用器１は、第１の周波数帯の通過帯域を有する第１のフィルタ５と、第１の周波数帯より高い第２の周波数帯の通過帯域を有する第２のフィルタ６とを備え、第２のフィルタ６は、複数の直列共振器と複数の並列共振器とを有するラダー型フィルタであり、第２のフィルタ６の並列共振器のうち、第１のフィルタ５と第２のフィルタ６を電気的に接続した側から数えて、２番目以降の並列共振器７、９、１１の少なくとも１つは、共振、副共振の少なくとも２つの共振を有し、前記共振、副共振の２つの共振に起因する少なくとも２つの減衰極が、第１の周波数帯に設定されている。 （もっと読む）

【課題】小型でありつつ、ＩＭＤの発生が抑制された弾性波分波器を提供する。
【解決手段】弾性波分波器１は、アンテナ端子１０と送信側信号端子１１との間に接続されている送信フィルタ部２０と、アンテナ端子１０と受信側信号端子１２ａ、１２ｂとの間に接続されている受信フィルタ部１３とを備えている。送信フィルタ２０は、アンテナ端子１０と送信側信号端子１１とを接続している直列腕２１と、直列腕２１において直列に接続されている複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４と、直列腕２１とグラウンド電位とを接続している複数の並列腕２２ａ〜２２ｃと、複数の並列腕２２ａ〜２２ｃのそれぞれに設けられている並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３とを有する。複数の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３のうち、アンテナ端子１０に最も近い第１の並列腕共振子Ｐ１の共振周波数が、他の並列腕共振子Ｐ２，Ｐ３の共振周波数よりも高い。 （もっと読む）

【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さい縦波型漏洩弾性表面波（ＬＬＳＡＷ）装置を提供する。
【解決手段】ＬＬＳＡＷ装置のＩＤトランスデューサ１４は、圧電基板１の上面に形成された複数の電極指３とそれらを連結するバスバー２とからなる一対の櫛形電極６Ａ、６Ｂで構成され、電極指３が交互に間挿された櫛形電極６Ａ、６Ｂの間に高周波信号が加えられている。電極指３の上面および互いに隣接する電極指３、３の間に位置する圧電基板１の上面には、誘電体膜５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく、導電補助層を積層した電極部分を設けて、電気的抵抗を低めることができ、しかも電極を覆う誘電体層表面の段差や誘電体層の膜厚のばらつきを小さくすることができる、弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１上にＩＤＴ電極３及び誘電体層１０が形成されており、ＩＤＴ電極３が、電極指６，７と、電極指６，７にそれぞれ連ねられているバスバー４，５とを有し、バスバー４，５の少なくとも一部に積層されるように導電補助層２が設けられており、該導電補助層２が、圧電基板１の上面１ａに形成された溝１ｃ，１ｄ内に埋め込まれている、弾性波素子１１。 （もっと読む）

【課題】目標とする周波数特性を有する弾性境界波装置を確実に提供することを可能とする弾性境界波装置の製造方法および弾性境界波装置を得る。
【解決手段】第１の媒質１と、第１の媒質上に積層されている第２の媒質と、第１，第２の媒質との界面に配置されたＩＤＴ電極２とを備える積層体を用意し、第２の媒質の外側からイオンを注入し、周波数を調整する各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの増大や構造破壊を防止しつつ、共振周波数を上昇させることができるようにした圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０を有する圧電振動デバイスの製造方法であって、前記弾性表波素子１０の表面上に波の速度を高める機能膜４を形成する工程、を含む。また、前記機能膜４のヤング率は、励振電極２及び圧電体１の各ヤング率よりも大きく、且つ、前記機能膜４の密度は、前記励振電極２及び前記圧電体１の各密度よりも低い。これにより、質量付加効果による周波数低下の影響を抑えながら、弾性率上昇による周波数上昇を発現させ、弾性表面波素子の共振周波数を上昇させることができる。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度で弾性境界波装置を製造し得る弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。犠牲層１５が形成された状態でＩＤＴ電極１４によって励振される弾性境界波の周波数特性を測定する。測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とを比較する。比較工程において、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とに差がある場合は、犠牲層１５を除去した後に、当該差に応じて、第２の媒質１２の厚みを調整する。一方、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とが一致している場合は、第２の媒質１２の厚み調整を行わない。 （もっと読む）

【課題】配線電極、アンダーバンプメタル層またはパッド電極におけるＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極層と、他の金属層との間の金属の拡散を抑制することができ、電極層間の接触抵抗が確実に低められた電極を備える電子部品を得る。
【解決手段】基板２上に電極が形成されており、該電極がＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１の電極層１２Ａと、第１の電極層１２Ａに積層されており、Ｃｕからなる第２の電極層１４Ａと、第２の電極層１４Ａの第１の電極層１２Ａとは反対側の面に積層されており、かつＴｉからなる第３の電極層１５Ａと、第３の電極層１５Ａの第２の電極層１４Ａとは反対側の面に積層されており、Ｔｉ以外の金属からなる第４の電極層１６Ａとを有する、電子部品。 （もっと読む）