【課題】酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜することができる酸窒化シリコン膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。 （もっと読む）

【課題】通過帯域内に阻止帯域を有する帯域阻止型の弾性波フィルタ装置であって、通過帯域における挿入損失が小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１は、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２との間において、互いに並列に電気的に接続されている第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２と、第１のインダクタＬ１と第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第１の並列腕弾性波共振子Ｐ１が設けられている第１の並列腕１３ａと、第２のインダクタＬ２と第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第２の並列腕弾性波共振子Ｐ２が設けられている第２の並列腕１３ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。ＩＤＴ３は、複数の電極指３１ａ、３１ｂを有しており、また、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間には第２の溝２５が形成されている。一方、反射器４、５は、複数の導体ストリップ４１、５１を有しており、また、圧電体基板２の導体ストリップ４１、５１間には第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成されている。このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 （もっと読む）

【課題】耐湿性が向上し、耐湿試験での電気特性の変化を防止することができる弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１２の主面１２ａに、ＩＤＴ２０を形成する第１の導電膜に隣接し、かつ第１の導電膜の周囲を取り囲むように、第１の絶縁膜１４が形成されている。圧電基板１２の主面１２ａと、第１の絶縁膜１４と、第１の導電膜とに接合されるように、第２の導電膜２８が形成されている。第１の絶縁膜１４に接合され、第１の導電膜を覆うように、第２の絶縁膜１６が形成されている。第１の導電膜と第１の絶縁膜１４との境界部分と第２の導電膜２８とが交差する領域及びその近傍領域において、第２の導電膜２８と第１の導電膜との間及び第２の導電膜２８と第１の絶縁膜１４との間に延在するように、目張り膜２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型で通過帯域特性を向上した弾性表面波フィルタを提供することを目的としている。
【解決手段】弾性波フィルタは、圧電基板と、圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と、複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続される第１、及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１の配線電極は入力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第２の配線電極は出力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であると共に、第１の配線電極５０１は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成である。 （もっと読む）

【課題】温度変化などの環境の変化に伴う弾性波の伝播特性の変動の少ない弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、圧電基板１と、前記圧電基板上に設けられた櫛形電極２と、前記櫛形電極を覆い、アルゴンを含有する酸化ケイ素膜３と、前記酸化ケイ素膜上に設けられた酸化窒化ケイ素膜４と、を備え、前記酸化ケイ素膜の膜厚Ｈと前記圧電基板を伝播する弾性波の波長λはＨ／λ≧０．１５の関係を満たし、前記酸化窒化ケイ素膜の膜厚は３ｎｍ以上である構成を有する。 （もっと読む）

【課題】小型で、帯域内特性に優れる弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と複数の反射器電極と、前記複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続された第１の配線電極及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１の配線電極、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、前記第１の配線電極または前記第２の配線電極の少なくとも一方は、前記圧電基板の上に形成された電極パッドに接続され、前記圧電基板の上において、前記反射器電極を構成するストリップラインが前記ＩＤＴ電極の交差幅よりも短くなることで前記反射器電極が削除された領域を有し、前記電極パッドの一部は前記領域に配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波装置の耐電力性の向上を図ること。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電性単結晶基板１０と、上記圧電性単結晶基板上に形成された導電性材料からなる下地電極層２１と、この下地電極層上にエピタキシャル成長により形成されたアルミニウムを含有する主電極層２２と、により構成された交差指状の電極２０と、を備える。そして、上記電極２０は、上記主電極層２２上に形成された、当該主電極層及び上記下地電極層とは異なりアルミニウムよりも比重の大きい導電性材料からなる上部層２３を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられるラダー型フィルタにおいて、横モードに起因するスプリアスの抑制と、ラダー型フィルタの小型化を両立することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、ラダー型フィルタ７は、圧電基板８の上に直列腕の弾性波共振器９，１０と並列腕の弾性波共振器１１，１２とを梯子状に設け、弾性波共振器９〜１２はそれぞれ、第１のバスバーから延伸した電極指と第２のバスバーから延伸した電極指とが交差してなる複数の電極指対を備えた櫛歯電極を有し、並列腕に設けた弾性波共振器１１が有する櫛歯電極１１ａにおいて、第１のバスバーから延伸した電極指と第２のバスバーから延伸した電極指との電極交差幅Ｄは、櫛歯電極１１ａにより励振される弾性波の波長の２３倍以上とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】不要波応答を抑圧しつつ、IDT電極の膜厚を厚くする。
【解決手段】弾性波デバイス1は、圧電性基板2と、圧電性基板2上に並んで配置される複数の電極指を含むIDT電極3と、複数の電極指間に形成される第１の誘電体膜4と、IDT電極3と第１の誘電体膜4を覆う第２の誘電体膜7と、複数の電極指間であって第１の誘電体膜4上に形成される、第１の誘電体4より高音速の媒質である高音速層5とを備える。 （もっと読む）

【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波共振器において、横モードに起因するスプリアスを抑制する弾性波共振器の提供。
【解決手段】弾性波共振器８は、圧電基板９と、バスバー１０と、バスバー１０と平行となるように設けられたバスバー１１と、一端がバスバー１０と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１１に向かって延伸した複数の電極指１２と、一端がバスバー１１と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１０に向かって延伸し、複数の電極指１２と交差する複数の電極指１３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスにおける横モードによる不要振動を低減する
【解決手段】弾性波デバイス１は、基板２と、基板２上に形成された誘電体膜４と、基板２と誘電体膜４との間に設けられるＩＤＴ電極３ａ、３ｂとを備える。基板２および誘電体膜４の少なくとも一方が圧電体であり、ＩＤＴ電極３ａ、３ｂは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指３ａ−２、３ｂ−２を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するＩＤＴ電極までの間のギャップ部において、誘電体膜４の膜厚が変化している。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改善された挿入損失と品質の値を有するＳＡＷデバイスの製造方法及びその製造方法により製造されたＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１２の表面に金属電極１６を有するＳＡＷデバイス１０は、表面に堆積した誘電体層１８を含む。誘電体層１８を堆積すると、基体の表面上に拡張する金属電極１６から上方に拡張する縫い目２０、２２が得られる。誘電体層１８内の隣接する金属電極１６ａから拡張する第二の縫い目２０と結合する金属電極１６ｂから拡張する第一の縫い目２２からは別の縫い目が得られ、この縫い目は一般に金属電極１６の高さより高く形成される。誘電体層１８は、所望の金属電極１６上に誘電体層１８の厚さを提供するために、更に平坦化してよい。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な弾性境界波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波フィルタ装置１は、第１〜第３の媒質１１〜１３と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第１のＩＤＴ電極１４と、第２の媒質１２と第３の媒質１３との間に形成されている第２のＩＤＴ電極１５とを備えている。第１及び第２の媒質１１，１２のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されていると共に、第２及び第３の媒質１２，１３のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されている。第２の媒質１２の音速は、第１及び第３の媒質１１，１３のそれぞれの音速よりも遅い。第１のＩＤＴ電極１４により励振された弾性境界波が第２のＩＤＴ電極１５により電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有し、前記弾性表面波としてレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】振動空間の密閉性を向上できる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、枠部３５の内壁面３５ａから枠部３５の枠内の第１主面３ａ上にかけて形成された絶縁膜４３を有する。 （もっと読む）

【課題】漏洩弾性表面波を用いており、音速を高めることができ、高周波化を容易に果たすことができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＬｉＮｂＯ_３基板２上のＩＤＴ電極３を覆うように酸化ケイ素膜６が形成されており、酸化ケイ素膜６上に誘電体層７が形成されており、誘電体層７の横波音速が、ＬｉＮｂＯ_３における遅い横波音速よりも速く、誘電体層７の膜厚Ｈ３としたときに、漏洩弾性表面波の波長λで規格化してなる規格化膜厚Ｈ３／λが０．２５〜０．６の範囲にある弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有し、前記弾性表面波がセザワ波の２次モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】配線及び電極パッドの腐食を抑制できる信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板２と、圧電基板２上に形成されたＩＤＴ４と、圧電基板２上に形成され、ＩＤＴ４と電気的に接続された配線３と、圧電基板２上に形成され、配線３を介してＩＤＴ４と電気的に接続された電極パッド１０と、ＩＤＴ４、及び配線３を覆うように、圧電基板２上に形成された絶縁層１２と、を具備し、配線３のうち少なくとも一部の領域における配線を形成する金属、及び電極パッド１０を形成する金属は、ＩＤＴ４を形成する金属より水分に対する耐腐食性が高い弾性波デバイスである。 （もっと読む）