【課題】弾性表面波デバイスの中心周波数を容易に調整することができると共にばらつきの低減が可能な弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波デバイスが形成された基板上に均等な間隔で測定点を設ける第１ステップと、測定点の周波数を測定して周波数調整領域を決定する第２ステップと、周波数調整領域を露出する開口部を有するマスクを用いて、当該周波数調整領域の周波数を調整する第３ステップと、所望の周波数特性が得られるまで第２ステップと第３ステップとを繰り返す第４ステップとから、概略構成されている弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法。 （もっと読む）

【課題】振動空間を気密し、かつ衝撃に対して強固な保護構造をもつ弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１と、圧電基板１上に配設された励振電極３と、圧電基板１上に配設されたボンディングパッド部２と、一部が励振電極３に対し空間８を介して対向する第１の保護部材６と、第１の保護部材上に設けられる第２の保護部材９と、ボンディングパッド部上に配設されるバンプと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アポタイズ重み付けを適用した弾性波デバイスにおいて、櫛形電極部と先端ギャップ部との音速差を小さくすることによって、弾性波デバイスのロスを低減する。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板１１上に形成された櫛形電極１及び２と、櫛形電極１及び２を覆う誘電体膜１２とを備え、櫛形電極１及び２の交差幅が異なる部分を有する弾性波デバイスであって、櫛形電極１及び２の入力側の電極の先端と出力側の電極の先端とが対向した先端ギャップ３の音速を、隣接する櫛形電極１及び２が無い領域の音速より遅くしたものである。 （もっと読む）

【課題】フィルタ帯域の急峻化や、比帯域幅の異なる複数帯域のフィルタ、共振子を単一基板上に得ることで、小型で高性能な弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】単結晶基板４上に固体層５が積層されており、単結晶基板４と固体層５との境界に電極が配置されている弾性境界波装置であって、カット角が同じ単結晶基板４を用いて構成された複数の弾性境界波素子２，３が備えられており、弾性境界波素子２の伝搬方位は、弾性境界波素子３の伝搬方位と異なっている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】圧電単結晶の伝搬基板を用いた弾性表面波素子の周波数の温度係数を低減することである。
【解決手段】弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は弾性波基板における不要応答発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は圧電基板１上面に設けられた第１の誘電体層２と、第１の誘電体層２上面に設けられた第２の誘電体層４の膜厚を適切に与えることにより主要波として用いるＳＨ波のエネルギーを圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に閉じ込めつつ、不要波として検出されるストンリー波と同様の変位分布を有するＳＶ波の変位を第２の誘電体層４の上面に分布させることにより、第２の誘電体層４の上面に設けられた吸音層５を用いて不要波を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度変化による特性の変化を抑制する温度補償用膜が形成されており、製造工程の煩雑さをさほど招くことなく温度補償用膜を容易に形成でき、かつ小型化を図ることが可能な弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】対向し合う第１，第２の主面１ａ，１ｂを有する圧電ウェーハ１を用意すう工程と、圧電ウェーハ１の第１の主面１ａのＩＤＴ電極４を形成する工程と、第２の主面１ｂ上にＳＯＧ法により温度補償用膜を形成する工程と、圧電ウェーハを複数の圧電基板に分割する工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子が境界波素子である場合に、バルク放射による損失を抑制する。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明の弾性波素子６は、圧電基板７と、この圧電基板７の上に設けられた櫛歯電極８と、圧電基板７の上にこの櫛歯電極８を覆うように設けられた第１誘電体層９と、この第１誘電体層９の上に設けられた第２誘電体層１０を備え、この第２誘電体層１０を伝搬するバルク波のうち横波の速度Ｖｓは櫛歯電極８において励振される弾性波の速度Ｖより速く、かつ、櫛歯電極８において励振される弾性波の速度Ｖは、圧電基板７を伝搬するバルク波のうち最も遅い横波の速度Ｖｂより遅く、かつ、圧電基板７における回転Ｙ板のカット角が１５度以上２５度以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】通過帯域が異なる第１，第２の弾性波フィルタが並列接続されている弾性波フィルタ装置において、通過帯域が低い側の弾性波フィルタの通過帯域内における挿入損失の劣化が生じ難い弾性波フィルタ装置を得る。
【解決手段】中心周波数が相対的に高い第１の弾性波フィルタ１１と、中心周波数が相対的に低い第２の弾性波フィルタ１２の入力端及び出力端の内少なくとも一方同士が共通接続されており、第１の弾性波フィルタ１１が、５個のＩＤＴ電極２１ａ〜２１ｃを備えた５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである、弾性波フィルタ装置１。 （もっと読む）

【課題】配線の耐湿性を向上させることにより、信頼性を高めることが可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板２と、前記圧電基板２上に設けられたＩＤＴ６と、前記圧電基板２上に設けられ、前記ＩＤＴ６に接続され、前記ＩＤＴ６と同じ金属からなる配線電極１２と、少なくとも前記配線電極１２が露出するように、前記圧電基板２上に設けられた無機絶縁層２０と、前記無機絶縁層２０から露出した前記配線電極１２と前記無機絶縁層２０との境界の上に、前記配線電極１２の側面１２ａを覆うように設けられた絶縁樹脂層２２と、前記配線電極１２及び前記絶縁樹脂層２２の上に設けられた金属層１４及び１８と、を具備する弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの端面反射防止、耐湿性の双方に良好な特性を示し、且つ生産性が高く安価に提供することのできるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】実装基板２０に対して、ＩＤＴ電極１６を形成したＳＡＷ素子片１２をフリップチップ実装し、これを封止樹脂３４で被覆したＳＡＷデバイス１０であって、圧電基板１４におけるＳＡＷの伝搬方向と平行に、ＩＤＴ電極１６を挟み込むように対を成し、封止樹脂３４がＳＡＷと直交する方向からＩＤＴ電極１６側へ浸入することを防ぐ阻止壁１８を設け、封止樹脂３４は、圧電基板１４においてＩＤＴ電極１６と実装基板２０との間に気密空間Ｓを形成しつつＩＤＴ電極１６から励起されたＳＡＷが直接到達する箇所を覆う第１の樹脂３０と、少なくとも第１の樹脂３０の外表面と実装基板１４の上面とを被覆する第２の樹脂３２とから成り、第２の樹脂３２よりも第１の樹脂３０の硬度を低くしたことを特徴とする。 （もっと読む）

電気音響部品用の基板が供給されるステップと、前記基板に導電層が付けられるステップと、前記導電層が構造形成されるステップと、前記構造形成された導電層に非導電性層が付けられるステップと、前記非導電性層に基本となる金属被覆が施されるステップと、前記基本となる金属被覆は、電気分解処理法により厚くされて金属層が形成されるステップと、前記金属層が酸化され誘電体層が形成されるステップと、を含む電気音響部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鮮明なレーザ捺印が可能とすること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０の上面に形成された弾性波素子１１と、圧電基板１０の下面に形成され、可視光の透過率が圧電基板１０より小さい絶縁膜２０と、を具備する弾性波デバイスおよびその製造方法である。本発明によれば、圧電基板１０の下面または下方に可視光の透過率が圧電基板１０より小さい絶縁膜２０が形成されていることにより、鮮明なレーザ捺印を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面において変位を有し、弾性境界波装置の反共振周波数よりも高域側もしくは通過帯域よりも高域側に現れる、スプリアスとなるモードを減衰させる吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】耐電力性（マイグレーション耐性）のさらなる向上を図るとともに温度変化による周波数変動を抑えた信頼性の高い弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする圧電体層４を有する基板２と、前記基板２上に形成された少なくとも一対の櫛歯型電極５ａ，５ｂからなるＩＤＴ６と、を有し、前記櫛歯型電極５ａ，５ｂは、Ａｌ−Ｔｉ合金からなる第１電極層１６Ａと、Ａｌ−Ｎｄ合金からなる第２電極層１６Ｂとが前記圧電体層４上にこの順で積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】素子サイズと同等に小型化が可能な弾性表面波装置、および実装構造体を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置Ｓ１は、下面に励振電極１と該励振電極１に電気的に接続される引き出し電極８，９とを有した弾性表面波素子３と、励振電極１との間に存在する封止空間を介して弾性表面波素子３と対向するように配置され、平面透視して封止空間の外側で弾性表面波素子３に対し接合されたベース基板１４と、上部が引き出し電極８，９と電気的に接続された外部回路接続用の導電材１８と、を備え、ベース基板１４は、導電材１８と引き出し電極８，９との接続箇所と対応する位置に貫通孔１５を有しており、導電材１８の下部は、貫通孔１５を介して封止空間よりも下側の高さ位置まで導出されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性境界波デバイスにおける電気特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、圧電基板１と、この圧電基板１の主面に設けられた櫛形電極３と、圧電基板１の主面上において櫛形電極３を覆うとともに、横波の伝播速度が圧電基板１より遅い第１の絶縁層２とを備えた弾性境界波デバイスにおいて、櫛形電極３と圧電基板１の間に横波の伝播速度が第１の絶縁層２の横波の伝播速度より遅い材料からなる第２の絶縁層５を設けたのである。 （もっと読む）

【課題】小型化可能かつ性能の高い弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に設けられたＩＤＴ２２、２４、２６、２８と、圧電基板２上に設けられた第１配線８、第２配線１０及び第３配線１２であって、少なくとも一つがＩＤＴを構成する櫛型電極に接続され、第１配線８と第３配線１２との間に第２配線１０が位置している、第１配線８、第２配線１０及び第３配線１２と、圧電基板２の上、第１配線８の第２配線側１０の領域の上、第２配線１０の上、及び第３配線１２の第２配線１０側の領域の上に設けられた絶縁層１４と、第１配線８の絶縁層１４が設けられていない領域と、第３配線１２の絶縁層１４が設けられていない領域とを通じて、第１配線８及び第３配線１２と接続されるように、第１配線８の上、第３配線１２の上、及び絶縁層１４の上に設けられた第４配線１６と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】バンプ接合可能で、かつ量産性に優れた弾性境界波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に設けられた弾性波素子４と、圧電基板２上に設けられ、弾性波素子４と電気的に接続された端子１０と、端子１０上に設けられた第１バンプ１２と、圧電基板２上及び弾性波素子４上に設けられ、第１バンプ１２の側面を覆い、第１バンプ１２と接している領域の上面が露出している絶縁膜６と、絶縁膜６上に設けられ、絶縁膜６の第１バンプ１２と接している領域の側面を覆う吸音膜８と、第１バンプ１２上に設けられた第２バンプ１４と、を具備する弾性境界波デバイス。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波が伝搬する境界面と媒質層の表面との間で閉じ込められる弾性波に起因するスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とする弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】相対的に音速が速い第１の媒質層２としてのＬｉＮｂＯ₃基板と、相対的に音速が遅い第２の媒質層３としてのＳｉＯ₂膜との境界に、電気音響変換器としてのＩＤＴ４と、反射器５，６とが配置されており、ＳｉＯ₂膜の上面に、複数本の溝３ｂが形成されて凹部及び／または凸部が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）