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Fターム[5J097FF07]の内容

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Fターム[5J097FF07]に分類される特許

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【課題】増幅度を高めるためにバイアス電圧を高めたとしても半導体において生じた熱を速やかに放散することができ、従って半導体による増幅作用を安定にかつ確実に利用することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板2と、前記圧電基板2の上に形成されている誘電体層14と、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界に形成されているIDT電極3,4と、前記誘電体層14に接するように設けられた半導体層9とを備え、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置であって、前記半導体層9は、前記弾性境界波によって発生する電界と、前記半導体層9中のキャリアとが結合するように設けられており、前記半導体層中のキャリアの移動速度が、前記弾性境界波の伝搬速度よりも高い、弾性境界波装置1。 (もっと読む)


【課題】高周波化が可能であり、しかも耐候性及び電気特性に優れる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に設けられた窒化アルミニウム層と、窒化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層と、前記窒化アルミニウム層と前記酸化シリコン層との間に設けられ窒化アルミニウム層に電圧を印加する一対の電極と、を有している。窒化アルミニウム層の厚みH、酸化シリコン層の厚みH、及び弾性表面波の波長λを用いて定義される(x、y)が、以下の式、y≦0.750×x+0.325、y≦−0.300×x+1.690、y≧−0.500×x+0.950、y≧0.700×x−0.610(ただし、x=2πH/λ、y=2πH/λ)をともに満たす範囲A1内である。 (もっと読む)


【課題】
従来の弾性表面波装置では、櫛型電極の配置によっては温度変化に伴う基板変形の抑制効果を達成することができない。特に、弾性波表面装置の端面及びこれに近い領域では温度変化に伴う基板変形を抑制することができず、所望の周波数温度特性を得ることができない。
【解決手段】
本発明における弾性表面波装置では、圧電基板と、前記圧電基板に接合され、前記圧電基板と異なる膨張係数の材質からなる支持基板と、前記圧電基板の面上に配置された弾性表面波を励振する櫛型電極と、を備え、弾性表面波が伝播する方向において、前記櫛型電極の長さが前記圧電基板の長さに対して40%以上70%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】機能面に振動子などを持つ機能素子が組み込まれ、機能素子の気密封止が可能であり、小型化や薄型化に対応可能である半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10に第1絶縁層(15,22,25)が形成されており、少なくとも第1絶縁層にキャビティ用開口部Pが形成されており、キャビティ用開口部内において機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するマイクロデバイスMが、機能面がキャビティ用開口部内における他の部材から所定の距離をもって離間するようにしてマウントされ、少なくともマイクロデバイスMの側面及び/または機能面の外周端部と、キャビティ用開口部の内壁面とを封止して、機能面が封止されたキャビティの内面を構成するように封止層32が形成されており、マイクロデバイスの機能面を除く面を被覆して、マイクロデバイスと第1絶縁層の上層に第2絶縁層40が形成されている構成とする。 (もっと読む)


【課題】 優れた周波数特性と通過特性を有する弾性表面波素子、及びこの弾性表面波素
子の製造方法を提供する。
【解決手段】 弾性表面波素子10は、半導体基板(Si層50)の同一平面上に半導体
配線領域20とSAW領域30が並列して形成されている弾性表面波素子10であって、
ウエハ1に弾性表面波素子10を格子状に配列すると共に、隣接する弾性表面波素子10
に形成される半導体配線領域20を市松模様状に配列し、半導体配線領域20とSAW領
域30の上面に渡って同一平面の絶縁層71〜74を形成し、最上層の絶縁層74の表面
に圧電体層90を形成し、SAW領域30の圧電体層90の表面にIDT40を形成する。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波素子の振動が半導体装置を有する基板上に漏れないようにでき、半導体装置の電気的動作に影響を及ぼすことの無い弾性表面波素子複合装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置21を有する基板23と、基板23に設けられた圧電膜と、圧電膜に配置されたくし歯電極30を有する弾性表面波素子20と、を備える弾性表面波素子複合装置10であって、弾性表面波素子20と基板23の間には、バイアス電圧を印加するための金属膜200が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 圧電基板の他方主面に導体層が形成された弾性表面波素子をフェースダウン実装した弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を改善する。
【解決手段】 圧電基板2の一方主面に励振電極3と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域が形成され、他方主面に半導体層22が形成された弾性表面波素子1を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装している弾性表面波装置である。弾性表面波素子1の作製工程で発生する焦電破壊を防止するために圧電基板2の他方主面に設けられていた導体層に代えて、キャリア移動度の小さい半導体層2を形成したことによって、フィルタ領域の入力パッド部および出力パッド部間に形成されていた寄生容量による入力パッド部および出力パッド部間の結合量を大幅に小さくすることができ、これにより、通過帯域外減衰量を改善することができる。 (もっと読む)


【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子を用いた弾性表面波装置ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 弾性表面波装置の弾性表面波素子1において、従来、圧電基板2の励振電極3形成面とは異なる他方主面の全面に、弾性表面波素子1の作製工程で発生する焦電破壊を防止するために設けていた導体層を、キャリア移動度の小さい半導体層22に代えることにより、送信側フィルタ領域12の入力パッドおよび受信側フィルタ領域13の出力パッドとの間に形成されていた寄生容量を低減することができる。これにより、アイソレーション特性を改善することができる。 (もっと読む)


【課題】 弾性表面波素子の電極を構成する薄膜導体の電気抵抗を低減させて、薄膜導体の薄膜化を図った場合の損失の増大を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板1上にインターディジタルトランスデューサとなる電極6が形成されており、該電極6は、金属からなる導電層2と、該導電層2との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層3の積層構造を有している。 (もっと読む)


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