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Fターム[5J097GG02]の内容

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Fターム[5J097GG02]に分類される特許

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【課題】Q値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するIDTが設けられた弾性表面波共振子において、IDTは、中央部に配置された第1領域と、第1領域の両側に配置された第2領域および第3領域とを備え、第1領域では周波数が一定であり、第2領域および第3領域ではIDTの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第1領域における周波数をFa、第2領域における端部の周波数をFbM、第3領域における端部の周波数をFcN、としたとき、0.9815<FbM/Fa<0.9953、かつ、0.9815<FcN/Fa<0.9953、である。 (もっと読む)


【課題】広い温度範囲において温度特性が良好で、しかも、実装が容易で、小型化が可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 所定のオイラー角で切り出された水晶基板2の表面上に、一対の櫛型電極3からなる弾性表面波素子4が配設され、櫛型電極3を構成する平棒状の電極指31の幅と配設ピッチとの比である幅ピッチ比が、電極指31のSAW伝搬と直交方向において、複数異なるように櫛型電極3が形成され、各幅ピッチ比は、当該幅ピッチ比での周波数温度特性曲線において所定の頂点温度が得られるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】製造コストの増大が抑制された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、実装基板200と、実装基板200の上面に搭載される弾性表面波素子100と、実装基板200の裏面上に形成され、弾性表面波素子100と電気的に接続される第1電極層310と、第1電極層310の一部を覆うように実装基板の裏面上に形成されたレジストパターン400とを備える。第1電極層310は複数の裏面電極310a〜310iを含み、裏面電極310a〜310hは互いに一部を共有する2つの電極部から構成されている。レジストパターン400は、2つの電極部のいずれか1つの全体を露出させるように窓開けされている。 (もっと読む)


【課題】弾性波センサのセンシングの正確性を向上させる。
【解決手段】第2のIDT電極5が励振する弾性波が圧電基板2と誘電体膜7との境界を伝搬する境界波となる弾性境界波素子でリファレンス部を構成するにより、弾性波センサ1に対し検出対象物質を含む可能性のある物質(呼気、検査液等)を接触させる際、リファレンス部を構成する第2のIDT電極5に検出対象物質等が付着することを防止する。これにより、この付着物による特性変化が抑制されるため、第2のIDT電極5で構成するリファレンス部のセンシングの正確性を向上させることができる。その結果、弾性波センサ1のセンシングの正確性が向上する。 (もっと読む)


【課題】トランスバーサル型の弾性波フィルタにおいて、当該フィルタと外部との間のインピーダンスの整合を取りやすくすること。
【解決手段】各々のIDT電極12、13について、弾性波の発生するフィルタ本体1と、弾性波が発生しないように電極指15が配置された緩衝領域2と、容量成分C2をなすインピーダンス調整部3と、を対向するIDT電極13、12側からこの順番で配置する。そして、インピーダンス調整部3において弾性波が発生しないように、且つフィルタ本体1における弾性波の発生を阻害しないように、インピーダンス調整部3の上方側と、当該インピーダンス調整部3側における緩衝領域2の端部と、に弾性波を吸収するための吸収体41を配置する。 (もっと読む)


【課題】数μm以下の厚みの非常に薄い水晶薄膜を安定して製造できる水晶デバイスの製造方法、及びこの製造方法で製造した水晶デバイスを提供する。
【解決手段】水晶単結晶基板1に水素イオンを注入して、表面1Aから一定深さの部分をアモルファス化させて、水晶単結晶基板1内にアモルファス層13A〜13Cを形成する。アモルファス層を形成する深さは、イオンや原子の注入条件(注入エネルギーやドーズ量)により決まり、注入条件に応じて1μm〜数μmの深さにばらつきのない平坦な層が形成される。アモルファス層の側面が露出するように、表面1Aから複数の溝14A〜14Dを形成し、これらの溝にエッチング液を導入してエッチングを行う。水晶のアモルファスは、水晶結晶よりもエッチング速度が速いので、エッチングによりアモルファス層13A〜13Cを除去することで、水晶単結晶基板1から水晶薄膜15A〜15Cが分離される。 (もっと読む)


【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるSAW素子、このSAW素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】SAW素子1は、水晶基板10と、水晶基板10の主面11に形成されたIDT電極20と、水晶基板10の主面11に形成され、IDT電極20と隣り合う反射器30,31と、水晶基板10の主面11に形成されると共に、一端がIDT電極20と接続されたスパイラルインダクター40と、を備え、スパイラルインダクター40は、水晶基板10に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】弾性波フィルタ部品の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波フィルタ部品1は、第1の圧電基板3の厚みが第2の圧電基板5の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品1内において、第1の圧電基板3の上面を含む平面と第2の圧電基板5の上面を含む平面との距離は、第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。これにより、第1の柱状配線電極7の高さと第2の柱状配線電極9の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品1の製造工程を簡易化することができる。 (もっと読む)


【課題】主振動とは発振周波数が異なる副振動の発生を抑える圧電振動子の提供。
【解決手段】厚みすべり振動を主振動とする水晶片10の両面に夫々励振電極21,22が形成された水晶振動子1において、前記励振電極21における副振動が発生する部位に、孔部25を形成すると共に水晶片10における孔部25に対応する領域に凹部11を形成する。あるいは水晶片10における副振動が発生する部位に凸部を設ける。凹部11または凸部は水晶振動子の中心に対して対称に設けることが好ましい。これにより、副振動が減衰し、かつ副振動の発振周波数が高周波側に移動する。 (もっと読む)


【課題】電気的抵抗損失が少なく、電極膜厚を厚くしても大きな電気機械結合係数kを得ることを可能とするSH波を利用した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板2と、前記溝内に充填されている金属層3aを有し、該金属層3aがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるIDT電極4とを備え、SH波を利用している弾性表面波装置1。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲内(−40℃から+85℃)における周波数変動量を10ppm以内とすることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数が−γでありγ>0である第1の共振子14と、第1の共振子14に接続され、3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数がγでありγ>0である第2の共振子16とを備え、第1の共振子14と第2の共振子16との間における変曲点の差が19℃以下であり、0<|γ|≦|2.4γ|の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現するとともに、周波数のバラつきを抑制可能な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を含み、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、を備え、平面視で、前記電極指の間の位置に、前記水晶基板の窪である電極指間溝を配置し、前記電極指間溝の間に配置されている前記水晶基板の凸部のライン占有率をηg、前記凸部上に配置されている前記電極指のライン占有率をηeとし、前記IDTの実効ライン占有率ηeffを前記ライン占有率ηgと前記ライン占有率ηeとの相加平均とした場合、下記式の関係を満たす。


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【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】SAW共振子11〜16と信号路2とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、SAW共振子11〜16により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路2の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるSAW共振子11〜16と、SAW共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路2とを別々の工程により形成する。 (もっと読む)


【課題】弾性波素子の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波素子1は、圧電基板2と、圧電基板2の上に設けられたIDT電極3と、圧電基板2の上であってIDT電極3の周囲に設けられた側壁5と、側壁5の上にIDT電極3上の空間を覆うように設けられた蓋体7と、蓋体7と側壁5との間に設けられた接着剤からなる接着層6とを備え、側壁5の上面は溝部25を有し、溝部25は接着剤によって充填された構成である。これにより、接着剤のはみ出し量を低減できる。 (もっと読む)


【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子10は、圧電基板11の主表面12、及び裏面13は鏡面研磨が施されており、主表面12に入力インターディジタル電極14、出力インターディジタル電極15が設けられている。入力インターディジタル電極14から放射されたバルク波16は裏面13で反射されて出力インターディジタル電極15で受信される。さらに、入力インターディジタル電極14、もしくは出力インターディジタル電極15の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 (もっと読む)


【課題】表面ラフネスの増大や構造破壊を防止しつつ、共振周波数を上昇させることができるようにした圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子10を有する圧電振動デバイスの製造方法であって、前記弾性表波素子10の表面上に波の速度を高める機能膜4を形成する工程、を含む。また、前記機能膜4のヤング率は、励振電極2及び圧電体1の各ヤング率よりも大きく、且つ、前記機能膜4の密度は、前記励振電極2及び前記圧電体1の各密度よりも低い。これにより、質量付加効果による周波数低下の影響を抑えながら、弾性率上昇による周波数上昇を発現させ、弾性表面波素子の共振周波数を上昇させることができる。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いQ値とを同時に実現するSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAWデバイス11は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板12の主面に、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT13、その両側に配置した一対の反射器14、IDTの電極指15a,15b間に凹設した電極指間溝17、及び反射器の導体ストリップ14a間に凹設した導体ストリップ間溝18を有する。電極指及び導体ストリップに直交する第1の方向(X´軸)と水晶基板の電機軸(X軸)とが角度ψをもって交差し、IDT及び反射器の少なくとも一部が、1.0°≦α≦2.75°の角度αをもって第1の方向と交差する第2の方向に配置される。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲におけるSAWデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】SAWデバイス1は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,ψ)の水晶基板2の主面に、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT3と、IDTの電極指6a,6b間に凹設した電極指間溝8とを有する。オイラー角ψが42.79°≦|ψ|≦49.57°のとき、IDTの電極指膜厚Hは、0.055μm≦H≦0.335μm、好ましくは0.080μm≦H≦0.335μmの範囲内に設定する。オイラー角ψが|ψ|≠90°×n、(n=0,1,2,3)のとき、電極指膜厚Hは0.05μm≦H≦0.20μmに設定する。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性を維持しつつ、電気機械結合係数を改善して安定した発振性を発揮するSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAWデバイス1は、オイラー角(φ=0°,θ=123°,ψ)の水晶基板2の主面に、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT3と、IDTの電極指6a,6b間に凹設した電極指間溝8とを有し、電極指間溝の深さG及び電極指の膜厚HとSAWの波長λが、1≦G/λ≦4、及び1≦H/λ≦4の関係を満足する。更に、IDTのライン占有率η及びオイラー角ψを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が0.052%以上かつ周波数温度特性が20ppm以下となるように決定する。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】オイラー角(φ,θ,ψ)で、φを−60°〜+60°の範囲で変化させた際の二次温度係数が良好となる範囲のθ,ψとした水晶基板30の主面に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励振する複数の電極指18の基端部をバスバー16で接続した櫛歯状電極14a,14bからなるIDT12及び前記IDTを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝32を有する。また、前記電極指間溝の深さをG、波長をλとした場合に、0.02λ≦G≦0.04λとしたことを、前記IDTの電極指の幅と電極指間の幅の割合であるライン占有率ηを0.49≦η≦0.70とする。 (もっと読む)


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