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Fターム[5J097GG04]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 基板特性 (1,360) | 圧電基板カット (990) | LiNbO3 (330)

Fターム[5J097GG04]に分類される特許

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【課題】 電子装置の特性の劣化を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22を有するチップ部品2と、電子素子22を収容する空間Sを介してチップ部品2が搭載される配線基板3と、空間Sを囲むようにしてチップ部品2の上面及び側面から配線基板3の表面にかけて設けられる樹脂層4と、樹脂層4における配線基板3及びチップ部品2の側面との接着部分のみを覆うようにして設けられた封止補強用樹脂5とを有する電子装置1である。 (もっと読む)


【課題】弾性波センサのセンシングの正確性を向上させる。
【解決手段】第2のIDT電極5が励振する弾性波が圧電基板2と誘電体膜7との境界を伝搬する境界波となる弾性境界波素子でリファレンス部を構成するにより、弾性波センサ1に対し検出対象物質を含む可能性のある物質(呼気、検査液等)を接触させる際、リファレンス部を構成する第2のIDT電極5に検出対象物質等が付着することを防止する。これにより、この付着物による特性変化が抑制されるため、第2のIDT電極5で構成するリファレンス部のセンシングの正確性を向上させることができる。その結果、弾性波センサ1のセンシングの正確性が向上する。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波を利用するために圧電基板上にIDT電極を配置した弾性表面波デバイスにおいて、このデバイスの周波数帯域が2GHz以上もの高周波数帯域であっても挿入損失を小さく抑えること。
【解決手段】2GHz以上もの周波数で縦波型リーキー波が圧電基板10上を伝搬するようにIDT電極2を構成したSAW共振子1において、電極指6の各々について、アルミニウム膜22と、当該アルミニウム膜22の下層側に設けられ、このアルミニウム膜22よりも弾性定数が大きいモリブデン膜21と、からなる積層膜23により構成すると共に、モリブデン膜21の膜厚h1を前記積層膜23の全体の膜厚の2/7に設定する。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができ、さらに放熱性にも優れるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板2に穴3が形成され、かつ基板外部よりLiが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1。 (もっと読む)


【課題】反射係数が高くかつ温度係数の低い弾性波素子を提供する。
【解決手段】
SAW素子1は、圧電基板1と、圧電基板1の上面3aに配置されたIDT電極5と、IDT電極5の上面に配置された絶縁材料からなるスペーサー18と、スペーサー18の上面に配置された付加膜9と、付加膜9が配置されたIDT電極5を圧電基板1のうちIDT電極5から露出する部分とともに覆い、上面3aからの厚みが圧電基板1の上面3aから付加膜9の上面までの厚み以上であるSiOからなる絶縁層11とを有する。付加膜9は、IDT電極5の材料,スペーサーの材料18およびSiOよりも音響インピーダンスが大きく、スペーサー18よりも密度が大きく、かつIDT電極5の材料およびSiOよりも弾性波の伝搬速度が遅い材料からなる。 (もっと読む)


【課題】耐湿性を高めることが可能な電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板10と、圧電基板10上に設けられた直列共振子12及び並列共振子14と、圧電基板10上に設けられ、直列共振子12及び並列共振子14と電気的に接続された信号配線20と、圧電基板10上に設けられ、直列共振子12、並列共振子14、及び信号配線20を囲む金属壁32と、金属壁32に接触し、直列共振子12及び並列共振子14上に空隙34が形成されるように直列共振子12及び並列共振子14と信号配線20とを覆い、液晶ポリマーからなる封止部38と、を具備する電子部品、電子部品を備える電子デバイス、及び電子部品の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高結合基板上にSAWトランスデューサまたはSAW共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスにおいて、フィルタとしての十分な帯域を維持しつつ、温度に対する周波数特性の安定化を図る。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成されて所定波長λのレイリー波を主要弾性波として励起するIDT電極と、前記圧電基板および前記IDT電極を覆うように形成された誘電体膜とを備える弾性波デバイスであって、前記誘電体膜は、前記IDT電極の少なくとも一部の電極指の鉛直上方に凸部を有し、前記IDT電極の電極指の延伸方向に垂直な断面において、前記誘電体膜の上端縁の最も低い部分を通る水平線より上方の前記凸部を含む領域の面積である、当該凸部の1つ当たりの断面積は、0.0125λ2以下である。 (もっと読む)


【課題】弾性波フィルタ部品の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波フィルタ部品1は、第1の圧電基板3の厚みが第2の圧電基板5の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品1内において、第1の圧電基板3の上面を含む平面と第2の圧電基板5の上面を含む平面との距離は、第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。これにより、第1の柱状配線電極7の高さと第2の柱状配線電極9の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品1の製造工程を簡易化することができる。 (もっと読む)


【課題】急峻なフィルタ特性を有すると共に、通過帯域が広く、かつフィルタ特性の製造ばらつきが小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタ装置1は、ラダー型弾性表面波フィルタ部20を備えている。直列腕共振子を構成する弾性表面波共振子30の誘電体層33の厚さt1が、並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子40の誘電体層43の厚みt2と異なっている。誘電体層の厚さが厚い弾性表面波共振子30のIDT電極32のデューティー比が、誘電体層の厚さが薄い弾性表面波共振子40のIDT電極42のデューティー比よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】弾性境界波装置において、スプリアス応答となる高次モードを抑圧する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、圧電基板20と、第1の媒質21と、第2の媒質22と、IDT電極13とを備えている。第1の媒質21は、圧電基板20の上に形成されている。第2の媒質22は、第1の媒質21の上に形成されている。IDT電極13は、圧電基板20と第1の媒質21との間の境界に形成されている。第1の媒質21の音速は、圧電基板20及び第2の媒質22の音速よりも低い。第2の媒質22の厚さは、IDT電極13において生じる弾性境界波の波長をλとしたときに、0.56λ以上である。 (もっと読む)


【課題】LiNbO基板の上に、IDT電極を覆うように厚み0.25λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性表面波装置1は、LiNbOからなる圧電基板10と、圧電基板10の上に形成されたIDT電極11と、IDT電極11を覆うように圧電基板10の上に形成された誘電体層12とを備えている。IDT電極11の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに誘電体層12の厚みは、0.2λ以上である。 (もっと読む)


【課題】優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第1支持基板12の上面に圧電基板10を接合する工程と、圧電基板10を接合する工程の後に圧電基板10を薄層化させて圧電層14を形成する工程と、圧電層14の上面に第1電極16を形成する工程と、第1支持基板12に第1電極16の下方に位置する孔部22を形成する工程と、孔部22を形成する工程の後に第1支持基板12の下面に第2支持基板24を接合する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上。
【解決手段】 圧電基板10と、圧電基板10上に形成された櫛形電極12と、櫛形電極12の表面にALD法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜16と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。圧電基板10上に櫛形電極12を形成する工程と、櫛形電極12の表面に、ALD法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜16を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。絶縁膜16をALD法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板11と、弾性波を励振する振動部22を有し、振動部22が絶縁性基板11と対向し、かつ振動部22が空隙51に露出するように、絶縁性基板11の上面に実装された弾性波デバイスチップ20と、振動部22を囲むように設けられ、絶縁性基板11と弾性波デバイスチップ20とを接合する接合部と、を具備し、接合部は、半田32と、半田32より高い融点を有しかつ絶縁性基板11の上面のコプラナリティより大きな厚さを有する金属層42と、を積層して形成されている弾性波デバイスである。 (もっと読む)


【課題】外周部に盛り上がり部分が存在する接着層を介して接着された支持基板と圧電基板との接着状態を良好に保つ。
【解決手段】複合基板10は、圧電基板14の裏面14bと支持基板12の表面12aとが接着層16を介して接着されたものであって、接着層16は、外周部に盛り上がり部分16aが存在し、圧電基板14は、盛り上がり部分16aを避けて支持基板12に接着されている。このため、接着層16の盛り上がり部分16aと圧電基板14との間に気泡が入り込みにくい。これにより、こうした気泡に起因する剥がれの発生を防止できる。したがって、外周部に盛り上がり部分が存在する接着層を介して接着された支持基板と圧電基板との接着状態を良好に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】温度特性の改善効果が高く、比較的低コストで製造可能であり、圧電基板と支持基板との組み合わせも1組に限定されない複合基板を提供する。
【解決手段】複合基板10は、圧電基板12と支持基板14とを接着層16を介して接着されている。接着層16は、アルコキシシリルを含む置換基を有する1,3,5−トリアジン−2,4−ジチオールのアルカリ金属塩(例えば6−トリエトキシシリルプロピルアミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジチオールのモノナトリウム塩)を主成分とする分子接着剤を硬化したものである。 (もっと読む)


【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さい縦波型漏洩弾性表面波(LLSAW)装置を提供する。
【解決手段】LLSAW装置のIDトランスデューサ14は、圧電基板1の上面に形成された複数の電極指3とそれらを連結するバスバー2とからなる一対の櫛形電極6A、6Bで構成され、電極指3が交互に間挿された櫛形電極6A、6Bの間に高周波信号が加えられている。電極指3の上面および互いに隣接する電極指3、3の間に位置する圧電基板1の上面には、誘電体膜5が形成されている。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】SAW共振子11〜16と信号路2とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、SAW共振子11〜16により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路2の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるSAW共振子11〜16と、SAW共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路2とを別々の工程により形成する。 (もっと読む)


【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子10は、圧電基板11の主表面12、及び裏面13は鏡面研磨が施されており、主表面12に入力インターディジタル電極14、出力インターディジタル電極15が設けられている。入力インターディジタル電極14から放射されたバルク波16は裏面13で反射されて出力インターディジタル電極15で受信される。さらに、入力インターディジタル電極14、もしくは出力インターディジタル電極15の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 (もっと読む)


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