【課題】
長時間の遅延時間を有すＳＡＷチャープフィルタをマルチストリップカプラで実現する。
【解決手段】
ダウンチャープ特性を有するＳＡＷチャープフィルタの前後にチャープ信号を発生させる電気回路が接続されたＳＡＷチャープＺ変換器から構成されるＯＦＤＭシステムで、長遅延時間のＬｉＮｂＯ_３基板を使ったＳＡＷチャープフィルタからなる。
【効果】以上のとおり、本発明の弾性表面波装置は、移動体通信分野の信号処理に適用できる弾性表面波を用いてコンボリューションを行うＳＡＷ分散型遅延線から構成されてなる１つのＳＡＷチャープフィルタでＳＡＷチャープＺ変換を実現したＯＦＤＭシステムで、その工業的価値は極めて高い。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を高めることができ、広帯域化を図ることができる弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２の上面に溝２ａが形成されており、ＩＤＴ電極３Ａ〜３Ｃが、厚み方向において少なくとも一部が圧電基板２の上面に形成されている溝２ａに埋め込まれるように形成されており、圧電基板２の上面に、第１の誘電体層６及び第１の誘電体層６よりも音速が速い第２の誘電体層７が積層されている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】効率的に不要応答を抑え、かつ、低損失な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】一対の反射器２と、該一対の反射器の間に配置され、交差部３２１及びダミー部３２２を有する交差電極３２並びにダミー電極を有するすだれ変換子と、を備えた弾性表面波装置１であって、ダミー電極の長さと該ダミー電極が隣り合う前記交差電極のダミー部３２２の長さとが異なっていることを特徴とする弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】フィルタ部を有する弾性境界波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、弾性境界波フィルタ部１０と、弾性境界波共振子２０とを備えている。弾性境界波フィルタ部１０は、入力端子１１と出力端子１２ａ、１２ｂとを有する。弾性境界波共振子２０は、弾性境界波フィルタ部１０に接続されている。弾性境界波共振子２０において発生する弾性境界波の高次モードの応答の周波数と、弾性境界波フィルタ部１０において発生する弾性境界波の高次モードの応答の周波数とが等しくされている。 （もっと読む）

【課題】スプリアスによるロスの発生を抑制した弾性波フィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器の提供。
【解決手段】第１のインターディジタルトランスデューサ電極３１１、３１２、３１３、３１４、３１５および第２のインターディジタルトランスデューサ電極４１１、４１２、４１３、４１４、４１５の少なくとも一方がＳｉＯ2薄膜により覆われた構成であって、第１のインターディジタルトランスデューサ電極と第２のインターディジタルトランスデューサ電極とは接続され、第１の弾性波フィルタ３００を構成する第１の櫛形電極の交差幅Ｌ１は、前記第２の弾性波フィルタ４００を構成する第２の櫛形電極の交差幅Ｌ２より大きい弾性波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】部品点数の低減及び小型化を図り得るだけでなく、設計の自由度を高め得る弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に弾性表面波共振子からなる直列腕共振子４と、弾性境界波共振子からなる並列腕共振子７とを有し、直列腕共振子４及び並列腕共振子７がフィルタ回路を構成するように接続されている弾性波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】本発明は弾性波フィルタのロスの発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は圧電基板１の上に設けられた第１のインターディジタルトランスデューサ電極Ａ１を有する第１の弾性波共振子Ａと、圧電基板１の上に設けられた第２のインターディジタルトランスデューサ電極Ｂ１を有する第２の弾性波共振子Ｂとを備えた弾性波共振器であって、第１の弾性波共振子Ａの交差幅Ｌ１と、第２の弾性波共振子Ｂの交差幅Ｌ２が所定の関係を満たすようにする。
この構成により、横モードスプリアスの発生周波数を分散することができ、ロスを改善することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 抵抗損失を低減させることができる弾性表面波装置を提供する。また、製造工程におけるＩＤＴ電極の損傷を抑制することができる弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成されたＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、ＩＤＴ電極９を外部端子に接続するための電極パッド１１と、圧電基板７上に形成され、ＩＤＴ電極９と電極パッド１１とを接続する接続配線１３と、を備える。ＩＤＴ電極９は、第1の厚さを有し、電極パッド１１は
、第1の厚さより大きい第２の厚さを有している。接続配線１３の厚さは、第1の厚さより大きく且つ第２の厚さより小さいことを特徴とする。また、本発明に係る弾性表面波装置１の製造方法は、ＩＤＴ電極９及び接続配線１３上にレジストＲ３を塗布し、ＩＤＴ電極９と接続配線１３との接続部分を少なくとも覆うようにレジストＲ３をパターニングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と絶縁体基板とが接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板の製造方法において、安価な絶縁体基板を用いたとしても熱処理後のソリの量が小さく、かつソリの大きさのバラツキが小さく安定している複合化された圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板と絶縁体基板のどちらか一方の主表面に接着剤を塗布する第１の工程と、前記接着剤を介して前記圧電基板と前記絶縁体基板とをお互いに貼り合わせる第２の工程と、前記貼り合わせた基板の温度を２５±５℃となるように制御して、前記接着剤に紫外光を照射して該接着剤を硬化させる第３の工程と、前記貼り合わせた基板を所望の厚さまで研削する第４の工程と、該研削後の貼り合わせた基板を加熱して前記接着剤を完全に硬化させる第５の工程と、を具備することを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１１と、この圧電基板の一面上に設けたＩＤＴ電極１２と、このＩＤＴ電極１２に電気的に接続した入、出力電極１３と、ＩＤＴ電極と非接触でかつＩＤＴ電極を覆うように設けた絶縁性のカバー１４と、入、出力電極上に設けた突起電極１６と、この突起電極の側面とカバーと入、出力電極の少なくとも一部を覆い、かつカバーよりも耐湿性に優れた絶縁体層１７と、この絶縁体層の上からカバーと突起電極の側面と入、出力電極の少なくとも一部を覆う樹脂層１８と、突起電極の上端面に設けられ突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極１９、２０とを備えたＳＡＷデバイスであって、このＳＡＷデバイスの占有面積は圧電基板の占有面積にほぼ等しく、上部の外形形状は樹脂層と外部電極とにより規定されたものである。 （もっと読む）

【課題】透光性誘電体層の膜厚測定の正確性を向上する。
【解決手段】本発明の弾性波素子８は、圧電体９と、圧電体９の上に形成されたＩＤＴ電極１０と、圧電体９の上にＩＤＴ電極１０の少なくとも一部を覆うように形成された透光性誘電体層１２とを備え、圧電体９の上に透光性誘電体層１２に覆われるように形成されると共に可視光波長領域において圧電体９の反射率よりも高い反射率を有する反射膜１４を有する構成とした。この構成により、弾性波素子８の製造過程において、透光性誘電体層１２の成膜後に、光干渉式法による膜厚測定法等にて透光性誘電体層１２の膜厚測定を実施する際、可視光波長領域において圧電体９の反射率よりも高い反射率を有する反射膜１４からの反射光を用いることができる。これにより、より正確な透光性誘電体層１２の膜厚測定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、音速が５０００ｍ／ｓ以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。圧電体薄膜１０６の結晶方位は、圧電体薄膜１０６の支持構造体１２２の側にある下面１０６２のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化しても挿入損失が殆ど変化しない弾性表面波分散型遅延線を得る。
【解決手段】この弾性表面波分散型遅延線は、圧電材料よりなる基板１０の表面上に、基準線１０ａに対し対称的に、それぞれ整列して配置された入力変換器１１及び入力側反射器１３と出力変換器１２及び出力側反射器１４を形成したものである。各反射器は互いに平行で基準線の方向に沿って次第に変化するピッチで配置された多数の反射電極１３ａ，１４ａよりなり、基準線に対する各反射電極の傾斜角は、弾性表面波分散型遅延線の挿入損失の温度係数が実質的と０となるように選択されている。基板１０をタンタル酸リチウムよりなるものとした場合は、基準線に対する各反射電極の傾斜角は、基準線と平行に伝搬される弾性表面波の各反射電極に対する入射角θが４５.８〜４７.０度となるように選択するのがよい。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイスでは、薄板化するとチップ裏面にチッピングが発生しやすかった。
【解決手段】圧電基板１１の第１面に弾性表面波デバイスパターン１２を複数個形成する工程と、レーザ光１８を圧電基板１１の内部に集光させて照射することにより圧電基板１１の内部に改質領域１３を形成する工程と、圧電基板１１の第１面とは反対側の第２面側を研削することにより圧電基板１１を薄板化する工程と、改質領域１３で各チップに分離する工程と、を備えたものであり、薄板化してもチッピングを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ（すなわち、スペーサの高さ）を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電体素子２を収容したパッケージ３と、スペーサ５１〜５３を介してパッケージ３を支持する実装基板４と、スペーサ５１〜５３により形成されたパッケージ３および実装基板４間の隙間に位置するように実装基板４に設けられ、圧電体素子２を駆動するための電子部品６とを有している。スペーサ５１は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 （もっと読む）

【課題】特性の安定性に優れ、超小型軽量の集積回路装置を大判のウエハープロセスにて形成することができる集積回路装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】カバー１４とスペーサー１３によって電子部品素子上に空間を形成することで、弾性表面波電子部品素子等の電気的特性が外部との物理的な接触による変化から保護することができ、特性を安定化させることができると共に導電性バンプ１２による単純な接続構造が高周波特性のシミュレーション精度を向上させ、その結果集積回路装置の設計を簡便化することができる。また電子部品素子、引き出し配線に電磁遮蔽を行うことができ、特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、一方の端子を接続したことによりスプリアス等により生じる周波数特性の歪みに起因する異常発振を抑制する。
【解決手段】低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性を改善することができ、かつ高次モードスプリアスを充分に抑圧することが可能とされている、弾性波装置を得る。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体２と、圧電体２上に積層されたＳｉＯ_２層６と、圧電体２とＳｉＯ_２層６との界面に設けられたＩＤＴ電極３とを備え、ＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（φ，θ，ψ）のφ及びθが、それぞれφ＝０°及び８０°≦θ≦１３０でありＳＨ波を主成分とする弾性波を用いる弾性波装置において、ψが、５°≦ψ≦３０°の範囲内にされている弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、優れた信頼性を有する圧電デバイスの製造方法および圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電振動片２を収納したパッケージ３を実装用基板４上にスペーサ５１〜５４を介して実装するとともに、スペーサ５１〜５４によってパッケージ３と実装用基板４との間に形成された間隙に収まるように、圧電振動片２を駆動する機能を有する電子部品６を実装用基板４上に実装した圧電デバイス１の製造方法であって、実装用基板４となるべき基板４Ａ上にスペーサ５１〜５４を形成する工程と、基板４Ａ上およびスペーサ５１〜５４上にこれらの間を跨るように配線パターン４２を形成する工程と、配線パターン４２に電気的に接続されるように、基板４Ａ上に電子部品６を実装する工程と、スペーサ５１〜５４上にパッケージ３を実装する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。マスク工程（Ｓ１１）は、開口２Ａが形成されたレジストマスク２で機能性材料基板１の主面を覆う。イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。マスク除去工程（Ｓ１３）は、機能性材料基板１の主面からレジストマスク２を除く。接合工程（Ｓ１４）は、支持基板３に機能性材料基板１を接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、パターン領域１Ａを剥離層１Ｃで剥離し、素子薄膜４として複合基板５に残す。 （もっと読む）