【課題】基板の変形を抑制すること。
【解決手段】タンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面に配置され、下面が前記支持基板１０の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成された櫛型電極とを具備し、前記素子基板の弾性波における伝搬方向はＸ軸であり、前記支持基板の上面の法線方向はＸ軸であり、前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のＺ軸と平行ではない弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有し、前記弾性表面波がセザワ波の２次モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】大きな電気機械結合係数、安定な温度特性、大きな表面弾性波伝播速度を有する圧電体積層体と、当該圧電体積層体を含む表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第１圧電体層３と、を含み、第１圧電体層は、組成式（Ｋ_aＮａ_1-a）_xＮｂＯ₃で表され、該組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２である。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスに利用される複合基板であって、耐熱性の優れたものを提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能な圧電基板１２と、該圧電基板１２よりも熱膨張係数の小さな支持基板１４とが接合されたものである。この複合基板１０の面内における最も大きな熱歪み量である面内最大熱歪み量は、圧電基板１２と支持基板１４とを相対的に０〜３６０°回転させたときに最小値と最大値をとるが、圧電基板１２と支持基板１４とは、面内最大熱歪み量が最小値又はその近傍になるように接合されている。 （もっと読む）

機械共振構造体、並びに関連する機器および方法が記載される。機械共振構造体は、温度変化を補償する補償構造を有する。
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【課題】温度特性の調整を可能とする弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整することで温度特性を調整する。 （もっと読む）

【課題】面内回転した回転ＳＴカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、５次高調波動作させた新しい形式の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】圧電体平板上に１個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した一対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、すだれ状電極における電極指の前記Ｘ方向の幅寸法をＬＴとし、配列周期長に対する線幅比ＬＴ／ＰＴが（１／２±１／１２）の範囲であり、反射器におけるＸ方向の幅寸法をＬＲとし、配列周期長ＰＲに対する線幅比ＬＲ／ＰＲが（１／２±１／１２）の範囲であり、前記寸法ＰＲに対してＰＴの関係がＰＲ＜ＰＴであり、前記弾性表面波の速度Ｖと動作周波数ｆの関係がｆ＝５Ｖ／（２ＰＴ）である弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】
優れた伝搬特性と周波数特性の広帯域化を両立させうる弾性表面波デバイスを提供することにある。
【解決手段】
サファイア基板１１と、サファイア基板１１上にＧａＮ薄膜で形成された伝搬層１２と、伝搬層１２の表面上に形成された入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を有する弾性表面波デバイスの一種であるトランスバーサルフィルタ１０において、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４により励振される弾性表面波が伝搬層１２面内で最も遅い速度で伝搬する方向である｛１１−２０｝方向と、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４の電極指の配列方向を整合させ、かつ電極指の線幅および配列間隔を配列方向と直交する方向に変化させて、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 同一のウエハから形成した弾性表面波素子間における周波数温度特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】 圧電体基板に設けたフォトレジストを露光するためのフォトマスクであって、フォトマスク４０は、透明基板４２に、圧電体基板に形成する電極に対応させて設けた複数の電極パターン４４（４４ａ〜４４ｃ）を有する。各電極パターン４４は、ＩＤＴ用パターン４６（４６ａ〜４６ｃ）と反射器用パターン４８（４８ａ〜４８ｃ）とからなっている。各ＩＤＴ用パターン４６を構成している電極指パターン５４（５４ａ〜５４ｃ）、５６（５６ａ〜５６ｃ）は、それぞれ電極指幅と電極指ピッチとが相互に異なっている。 （もっと読む）

【課題】 同一のウエハから形成した弾性表面波素子間における周波数温度特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】 圧電体基板に設けたフォトレジストを露光するためのフォトマスクであって、フォトマスク３０は、透明基板３２に、圧電体基板に形成するすだれ状電極に対応した向きの異なる同一の電極パターン３４（３４ａ〜３４ｃ）が設けてある。これら電極パターン３４は、圧電体基板の位置による弾性表面波素子の周波数温度特性のばらつきに応じて、フォトレジストを露光する際に使い分ける。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜とニオブ酸カリウム膜とが積層された圧電体膜積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、ニオブ酸カリウム膜１３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜、これを有するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は，
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含み、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層は、擬立方晶表示において（１００）配向でエピタキシャル成長しており、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の（１００）面は、Ｒ面サファイア基板１１のＲ面（１−１０２）に対して、［１１−２０］方向ベクトルを回転軸として傾いている。 （もっと読む）

【課題】高域側フィルタ素子及び低域側フィルタ素子を備え、これらフィルタ素子の帯域外減衰特性を改善する。
【解決手段】本発明の弾性表面波装置は、圧電基板300の一方主面に低域側の送信用フィルタ素子ＴＸ及び高域側の受信用フィルタ素子ＲＸが形成され、送信用フィルタ素子ＴＸ及び受信用フィルタ素子ＲＸは、回路基板200の上面にフェースダウンで実装されている。受信用フィルタ素子ＲＸの接地電極322は回路基板200に形成された３本の直線状貫通導体221′に接続されておりインダクタンスは小さく、送信用フィルタ素子ＴＸの接地電極312は回路基板200に形成されたクランク状貫通導体211′に接続されインダクタンスは大きい。 （もっと読む）