説明

Fターム[5J097HA03]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 製作方法 (1,374) | 基板又は薄膜 (255)

Fターム[5J097HA03]に分類される特許

1 - 20 / 255



【課題】周波数の温度係数および/または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。
【解決手段】第1の音響波速度VLをもつ導波路層WLと、該導波路層に直接隣接し、第2の音響波速度VM1を有する第1の外套層M1とを有しており、導波路で音響波を励起するために電極E1を備えており、波速度について式VL<VM1が成り立っており、導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、導波路層WLは二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有している。 (もっと読む)


【課題】バランス信号の平衡度の変動を小さくすることが可能なバランス型弾性波フィルタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】バランス型弾性波フィルタ装置は、基板3と、受信フィルタ12と、受信フィルタ12を封止する樹脂部材5とを備える。受信フィルタ12は、圧電基板12Aと、第1フィルタ回路12B1および第2フィルタ回路12B2とを含む。第1フィルタ回路12B1および第2フィルタ回路12B2とが並ぶ方向の両端において、受信フィルタ12の端面から樹脂部材5の端面までの距離の差が小さくなるように、薄肉部5Aが樹脂部材5に形成される。 (もっと読む)


【課題】SAWデバイス用ウェーハの樹脂層を一定厚さに研削するにあたり、作業者の手作業をなくし、圧電基板や保護テープの厚さばらつきに影響されることなく樹脂層の研削量を正確に算出でき、樹脂層の研削量の算出から研削実施までの自動化を可能とする。
【解決手段】SAWデバイス用ウェーハ1の樹脂層6の研削前に、近赤外光照射手段62のヘッド部61と樹脂層6との間に形成される空間に少なくとも水が存在しない状態でヘッド部61から樹脂層6に近赤外光Lを照射し、樹脂層6の表面6aと基板2の表面2aで反射した各反射光の干渉波から、樹脂層6の厚さを算出し、必要な樹脂層6の研削量をウェーハ1ごとに求める。水に近似した屈折率を有する樹脂で形成された樹脂層6の厚さを水に影響されることなく算出するため、研削前の樹脂層6の正確な厚さ測定値をウェーハ1ごとに得る。 (もっと読む)


【課題】挿入損失が少なく、効率の高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波の逆速度面が凹となる圧電基板12と、この圧電基板の表面に設けられた一対の櫛形電極15を有する弾性波共振器13とを備え、前記一対の櫛形電極は、対向する一対の共通電極16と、前記それぞれの共通電極から他方の共通電極側に交互に延出された複数の電極指17とを有し、前記電極指が交差する領域を交差領域とし、前記電極指の先端と対向する櫛形電極との間のギャップ19を結ぶ領域をギャップ領域としたとき、前記交差領域における圧電基板の表面の高さよりも圧電基板の表面の高さが低くなるように前記ギャップ領域に段差25を設けたものである。 (もっと読む)


【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体1は、支持部材5と、該支持部材5上にバンプ8を介して実装された複数の圧電素子7と、複数の圧電素子7を共に覆い、複数の圧電素子7と支持部材5との間の空間Sを密閉する封止樹脂(樹脂部9)とを有する。複数の圧電素子7は、隣り合う圧電素子7の下面19a間の距離d1が下面19aよりも上方側の所定位置間(例えば上面19b間)の距離d2よりも大きい。そして、樹脂部9は、隣り合う圧電素子7間の間隙Wの少なくとも上方側の一部に充填された介在部9eを有する。 (もっと読む)


【課題】寄生容量を小さく、電気特性の安定性が高い電子装置およびその製造方法ならびに上記電子装置を含む弾性波装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、誘電体からなる基板1と、基板1の上面に形成された配線部2とを備える。配線部2の下方またはその近傍に位置する基板1に、基板1の下面側から上面の近傍に至る段差部1Aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】特性を安定させることができる、保護膜を備えた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置11は、(a)基板12にIDT電極21が形成された弾性波素子と、(b)弾性波素子を覆うように形成される保護膜15とを備える。弾性波素子は、IDT電極21を含む基板12上に形成されたSiO膜13をさらに備え、保護膜15がSiO膜13の上から形成されている。保護膜15に、IDT電極21により励起される弾性波のエネルギーが分布している。保護膜15は、珪素と窒素を主成分とする窒化シリコン(SiN)膜であり、珪素と窒素との組成比を1:Xで表すとき、Xが0.2を超え、1.00未満である。 (もっと読む)


【課題】縦型漏洩弾性表面波の伝搬減衰が小さな圧電基板、この圧電基板を利用した弾性表面波素子及び電子部品、前記圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】縦型漏洩弾性表面波を励振するための圧電基板10は、圧電結晶中の一価陽イオンをプロトンと交換するプロトン交換処理が可能な圧電材料からなり、前記圧電材料をプロトン交換処理することにより形成されたプロトン交換層11と、このプロトン交換層内のプロトンを前記一価陽イオンと交換する逆プロトン交換処理することにより、前記プロトン交換層の上層側に、圧電基板の表面に露出するように形成された逆プロトン交換層12と、を備える。 (もっと読む)


【課題】第1、第2伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第1、第2伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なSAWデバイスを提供する。
【解決手段】基板11の上面11aの一部に形成された結晶配向調整膜13と、基板11の上面11aにおける結晶配向調整膜13の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜12と、圧電薄膜12の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第1、第2伝搬路とを備え、圧電薄膜12のうち、結晶配向調整膜13の形成領域上に位置する第1領域12cと、結晶配向調整膜13の非形成領域上に位置する第2領域12dとは、結晶配向が異なっており、第1、第2伝搬路は、それぞれを占める第1、第2領域12c、12dの面積比が異なる構成とする。 (もっと読む)


【課題】圧電体材料を効率良く利用して、均質な厚みの極薄圧電膜を形成することができる、複合圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電体基板2の表面2aからイオンを注入して、圧電体基板2内において表面2aから所定深さの領域に欠陥層4を形成する。圧電体基板2の表面2aに支持基板10を接合して基板接合体40を形成する。基板接合体40を、圧電体基板2内に形成された欠陥層4で分離して、圧電体基板2の表面2aと欠陥層4との間の剥離層3が圧電体基板2から剥離されて支持基板10に接合された複合圧電基板30を形成し、複合圧電基板30の剥離層3の表面3aを平滑化する。イオン注入後に、複合圧電基板30の剥離層3の分極処理を行う。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができ、さらに放熱性にも優れるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板2に穴3が形成され、かつ基板外部よりLiが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1。 (もっと読む)


【課題】この弾性波素子は良好な温度特性と電気機械結合係数とを有する。
【解決手段】弾性波素子は、圧電体と、圧電体の上面上に設けられた第1と第2のインターディジタルトランスデューサ(IDT)電極と、圧電体の上面上に設けられてかつ第1のIDT電極と第2のIDT電極とを覆う第1の誘電体層とを備える。第1のIDT電極の真上方における第1の誘電体層の第1の部分の上面の圧電体の上面からの高さより、第2のIDT電極の真上方における第1の誘電体層の第2の部分の上面の圧電体の上面からの高さが高い。 (もっと読む)


【課題】トランスバーサル型の弾性波フィルタにおいて、当該フィルタと外部との間のインピーダンスの整合を取りやすくすること。
【解決手段】各々のIDT電極12、13について、弾性波の発生するフィルタ本体1と、弾性波が発生しないように電極指15が配置された緩衝領域2と、容量成分C2をなすインピーダンス調整部3と、を対向するIDT電極13、12側からこの順番で配置する。そして、インピーダンス調整部3において弾性波が発生しないように、且つフィルタ本体1における弾性波の発生を阻害しないように、インピーダンス調整部3の上方側と、当該インピーダンス調整部3側における緩衝領域2の端部と、に弾性波を吸収するための吸収体41を配置する。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜の分離面の欠陥層を選択的にエッチングして平坦化し、均一な膜厚の圧電薄膜を得る圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、圧電単結晶基板1の表面12側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板1にイオン注入部分100を形成する。次に、支持基板50を圧電単結晶基板1に接合する。そして、圧電単結晶基板1と支持基板50との接合体を加熱し、イオン注入部分100を分離面とした分離を行う。ここで、支持基板50に形成された圧電薄膜10をアニールする。そして、圧電薄膜10の分離面における欠陥層13を選択的にエッチングして結晶層11を露出させることで、圧電薄膜10の分離面を平坦化する。 (もっと読む)


【課題】数μm以下の厚みの非常に薄い水晶薄膜を安定して製造できる水晶デバイスの製造方法、及びこの製造方法で製造した水晶デバイスを提供する。
【解決手段】水晶単結晶基板1に水素イオンを注入して、表面1Aから一定深さの部分をアモルファス化させて、水晶単結晶基板1内にアモルファス層13A〜13Cを形成する。アモルファス層を形成する深さは、イオンや原子の注入条件(注入エネルギーやドーズ量)により決まり、注入条件に応じて1μm〜数μmの深さにばらつきのない平坦な層が形成される。アモルファス層の側面が露出するように、表面1Aから複数の溝14A〜14Dを形成し、これらの溝にエッチング液を導入してエッチングを行う。水晶のアモルファスは、水晶結晶よりもエッチング速度が速いので、エッチングによりアモルファス層13A〜13Cを除去することで、水晶単結晶基板1から水晶薄膜15A〜15Cが分離される。 (もっと読む)


【課題】高結合基板上にSAWトランスデューサまたはSAW共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 (もっと読む)


【課題】電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止する電子部品の製造方法およびその方法により製造された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、実装基板10上に弾性表面波素子20を実装する工程と、実装基板10上に実装された弾性表面波素子20を覆うように封止樹脂40を形成する工程と、封止樹脂40の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】弾性波フィルタ部品の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波フィルタ部品1は、第1の圧電基板3の厚みが第2の圧電基板5の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品1内において、第1の圧電基板3の上面を含む平面と第2の圧電基板5の上面を含む平面との距離は、第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。これにより、第1の柱状配線電極7の高さと第2の柱状配線電極9の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品1の製造工程を簡易化することができる。 (もっと読む)


【課題】 同一チップ上において異なる2つ以上の電気機械結合係数を有する弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 圧電基板10と、圧電基板10上に形成された誘電体層12と、誘電体層上に形成された第1櫛形電極22a及び第2櫛形電極22bと、を備え、第1櫛形電極22aと圧電基板10との間における誘電体層12aの厚みは、第2櫛形電極22bと圧電基板10との間における誘電体層12bの厚みと異なることを特徴とする弾性波デバイス及びその製造方法。 (もっと読む)


1 - 20 / 255