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Fターム[5J097HB01]の内容

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【課題】周波数の調整を安定して行なうことが可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置は、主面を有する圧電基板100と、圧電基板100の主面上に形成され、所定の周波数で圧電基板100を励振させるIDT電極200と、圧電基板100に所定の応力を生じさせて所定の周波数を変化させる加圧部600とを備える。 (もっと読む)


【課題】1つのSAWフィルタを3つの帯域幅に切り替え可能で、回路規模を縮小することができ、帯域幅の微調整が可能な高周波回路及びそれを用いたテレビジョン受像機を提供すること。
【解決手段】SAWフィルタ(11)の入力段に可変抵抗型スイッチ(12)を設け、SAWフィルタ11の第1の端子(a)及び第2の端子(b)に入力される中間周波数信号を切り替える。スイッチング素子(13)を介して第2の端子(b)を接地する第1のモードでは第1の通過周波数帯域に設定される。第1の端子(a)と第2の端子(b)との間をショートさせる第2のモードでは第1の通過周波数帯域より狭い第2の通過周波数帯域に設定され、調整可能な容量を有する抵抗素子(R2)を介して接続する第3のモードでは、第1の通過周波数帯域より狭く、第2の通過周波数帯域より広い第3の通過周波数帯域に設定される。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波を利用した弾性波フィルタにおいて、簡易化構成で周波数特性を可変にできるとともに、温度変化に対して好適に対応できる弾性波フィルタ及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】弾性波フィルタ1は、圧電基板3のダイアフラム部5の表面に、弾性波フィルタ素子7と測温素子9とヒータ素子11とが密着して形成されている。従って、簡易な構成の弾性波フィルタ1であるにもかからず、ヒータ素子11によって弾性波フィルタ素子7の温度を変化させて、弾性波フィルタ素子7の周波数特性をリアルタイムで任意に変化させることができる。特に、測温素子9によって弾性波フィルタ素子7の温度を測定しながら、ヒータ素子11によって弾性波フィルタ素子7を加熱して、弾性波フィルタ素子7を所望の温度に制御することにより、周囲の温度にかかわらず、弾性波フィルタ素子7の周波数特性を、安定的に所望の特性に調節することができる。 (もっと読む)


【課題】目標とする周波数特性を有する弾性境界波装置を確実に提供することを可能とする弾性境界波装置の製造方法および弾性境界波装置を得る。
【解決手段】第1の媒質1と、第1の媒質上に積層されている第2の媒質と、第1,第2の媒質との界面に配置されたIDT電極2とを備える積層体を用意し、第2の媒質の外側からイオンを注入し、周波数を調整する各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】周波数の経時的変化を抑制できるSAWデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板11にすだれ状電極12を形成するSAW素子片形成工程S1と、(1)すだれ状電極12の電極指12a,12bの質量を変化させる工程、(2)すだれ状電極12に質量体を付加する工程、(3)電極指12a,12b間に露出している圧電基板11をエッチングする工程の(1)〜(3)の少なくとも1つの工程を行い、SAW素子片10の周波数を調整する第1周波数調整工程S5と、第1周波数調整工程S5後、SAW素子片10を200℃以上500℃以下の雰囲気中で5分以上加熱するアニール工程S6と、を有する。 (もっと読む)


【課題】周波数安定度の高い高品質なSAWデバイスを製造することのできるSAWデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージベース14にSAW素子片28を実装する実装工程と、パッケージベース14に実装されたSAW素子片28を構成する電極パターンをエッチングして励起される弾性表面波の周波数を変化させる粗調工程と、パッケージベース14にキャップ16を接合してパッケージ12を構成し、SAW素子片28をパッケージ12のキャビティ15に収容する第1封止工程と、パッケージベース14またはキャップ16に形成された封止孔24からキャビティ15に不活性ガスを供給またはキャビティ15に供給した不活性ガスを吸引してキャビティ15の圧力を変化させて前記弾性表面波の周波数を変化させる微調工程と、封止孔24を封止材26で塞ぐ第2封止工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波デバイスの中心周波数を容易に調整することができると共にばらつきの低減が可能な弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波デバイスが形成された基板上に均等な間隔で測定点を設ける第1ステップと、測定点の周波数を測定して周波数調整領域を決定する第2ステップと、周波数調整領域を露出する開口部を有するマスクを用いて、当該周波数調整領域の周波数を調整する第3ステップと、所望の周波数特性が得られるまで第2ステップと第3ステップとを繰り返す第4ステップとから、概略構成されている弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法。 (もっと読む)


【課題】挿入損失の増大や初期特性の劣化をさせることなく、周波数を精緻に調整することが可能な圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ20へのSAW共振子10実装工程(ステップS1)の後で、SAW共振子10を駆動させて初期周波数を計測する初期周波数計測工程(ステップS2)と、初期周波数が所望の周波数規格値の許容範囲から外れている場合(ステップS3でNO)に、SAW共振子10の実装工程(ステップS1)で接続されたSAW共振子10の外部接続電極とパッケージ20の接続端子との接続と並列に調整用ワイヤを接続することによってSAW共振子20の周波数を初期周波数から変動させる調整用ワイヤ接続工程(ステップS4)と、調整用ワイヤ接続工程(ステップS4)の後で、SAW共振子20の周波数を計測する調整後周波数計測工程(ステップS5)と、を含むことを特徴とするSAWデバイス1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 機械的接触による機構による共振特性の調節機能を持った表面弾性波(SAW)機器を提供する。
【解決手段】 本発明のSAW応用装置は、意図する周波数帯域のSAWの伝搬方向に沿った2次元あるいは1次元のラウエ条件、あるいはブラッグ条件に近い空間周期性を持つ凸構造群が形成された制御板を用いて、SAWが分布する固体表面に機械的に接触させる事で、その空間周期性による共振特性の変化を誘起することが可能とした。特にSAWが分布する固体表面に前述のラウエ条件、あるいはブラッグ条件の凹凸構造を形成し、その凹凸構造と噛み合う凸構造を持つ制御板を用いた機械的接触の機構を用いる事で、平坦な固体表面で生じるSAWの作用による摩擦減衰効果のため機械的接触による共振特性の変化が弱まる効果を低減させることが可能となった。 (もっと読む)


【課題】広い可変周波数範囲を実現できるチューナブルフィルタを提供すること。
【解決手段】固定の共振周波数frsを有する直列腕共振器と、固定の共振周波数frpを有する並列腕共振器と、前記直列腕共振器、及び前記並列腕共振器に接続されたバリアブルキャパシタとを備えるチューナブルフィルタが提供される。このチューナブルフィルタは、前記直列腕共振器が有する固定の共振周波数frsと前記並列腕共振器が有する固定の共振周波数frpとの比frs/frpが1.0<frs/frp<1.1である。 (もっと読む)


【課題】部品点数を減らしたASK送受信装置を提供する。
【解決手段】圧電体平板上に形成されたSAWデバイスと、増幅器とSW回路と復調器と
を少なくとも備えるASK送受信装置であって、SAWデバイスは、少なくとも主IDT
とゲイトIDTと副IDTと一対の反射器とを配置した2モード型SAW素子であり、か
つ主IDTをSW回路にて増幅器に接続して発振回路を構成し、かつ副IDT側の端子を
開放状態として、第3の周波数で発振させ、かつASKデータ信号に対応して断続する発
振信号を出力して送信系を構成し、また、主IDTの端子を前記SW回路にて受信信号入
力側に接続し、かつ副IDT側の端子を復調器に接続して、第1の周波数と第2の周波数
との周波数間を通過帯域幅とする二重モード型SAWフィルタとなして、発振信号を受信
して盧波する受信系を構成し、第3の周波数を第1の周波数と第2の周波数との間に配設
した。 (もっと読む)


【課題】通過帯域とは独立して減衰帯域を可変とすることが可能な圧電フィルタを提供する。
【解決手段】1つ以上の直列圧電共振器3と2つ以上の並列圧電共振器4a、4bを具備する圧電フィルタであって、第1の並列圧電共振器4aと接地間に配置された第1のインダクタ5aと、第2の並列圧電共振器4bと接地間に配置された第2のインダクタ5bと、第1の並列圧電共振器と第1のインダクタの接続点および第2の並列圧電共振器と第2のインダクタの接続点の間に配置されたバイパス圧電共振器36とを備え、バイパス圧電共振器の容量値が可変である。 (もっと読む)


【課題】バランス調整用のレーザ光がパッケージベースにあたるのを防止して、精度を向上した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス10は、バランス調整部48を備えた圧電振動片40と、バランス調整部48と積層方向に重なる位置に少なくとも設けた絶縁基板32と、圧電振動片40と絶縁基板32とに接合し、圧電振動片40を絶縁基板32から離して保持するリード36と、凹陥部18を有し、この凹陥部18の底面に絶縁基板32を配設したパッケージベース14と、パッケージベース14の上面に接合した透明な蓋体24とを備えた構成である。 (もっと読む)


【課題】IDT上にSiO膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、SiO膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】25°〜55°回転Y板X伝搬のLiTaO基板12上に、Alと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも1つのIDT13a,13bが形成されており、IDT13a,13bを覆うようにLiTaO基板12上に周波数温度特性を改善するためのSiO膜15が形成されている、弾性表面波装置11。 (もっと読む)


【課題】
小型・薄型化することに適し、SAW素子片への応力の伝播を抑制することができ、ICを実装する場合には、このICに物理的な負荷をかけること無くSAW素子片を実装することができるSAWデバイスを提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するためのSAWデバイス110は、ベース116の底部にIC128を実装し、前記IC128の上部にSAW素子片112を実装するSAWデバイス110であって、前記IC128の上部空間に掛け渡され、板面に開口部122aを形成したTAB基板122を備え、前記SAW素子片112は、励振電極112aを前記開口部122aに対向させた状態で実装し、前記励振電極112aがベース116の上部開口部側を向くように配置する構成としたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 材料の熱膨張係数の差によって生ずる基板の反りに起因した弾性表面波素子の周波数ずれを調整する、弾性表面波素子および弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板2と、半導体基板2上に形成された圧電薄膜3と、圧電薄膜3上に形成されたIDT電極4と、半導体基板2の裏面に形成され、その厚み方向に分極されたPZT薄膜6と、を少なくとも備え、PZT薄膜6にDCバイアス電圧を印加するDCバイアス回路7を具備し、PZT薄膜6にDCバイアス電圧を印加することにより弾性表面波素子1の反りを矯正し、IDT電極4の電極間距離Pを変化させることで所望の共振周波数に調整する。 (もっと読む)


イオンビームエッチングにより生じるパーティクルが製品の特性に悪影響を与えるおそれのない信頼性の高い電子部品の周波数調整装置及び該周波数調整装置を用いた電子部品の周波数調整方法を提供する。 イオンビーム電流(イオン又は電子)を検知する制御コレクタ4の、少なくともイオンビームが照射される部分を無機絶縁体12から構成する。 制御コレクタ4の、イオンビーム5が照射されない部分の少なくとも一部を導電体13から構成する。
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