【課題】ＩＤＴの電極指の対数が異なる複数の弾性波共振子を直列腕共振子として有するラダー型フィルタにおいて、通過帯域高域側減衰量を大きくすることを可能とするラダー型フィルタを得る。
【解決手段】弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ９からなる複数の直列腕共振子と弾性波共振子Ｐ１〜Ｐ６を有する複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであって、少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ５のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチが、残りの少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ６のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチと異なっている、ラダー型フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるＳＡＷ素子、このＳＡＷ素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に形成されたＩＤＴ電極２０と、水晶基板１０の主面１１に形成され、ＩＤＴ電極２０と隣り合う反射器３０，３１と、水晶基板１０の主面１１に形成されると共に、一端がＩＤＴ電極２０と接続されたスパイラルインダクター４０と、を備え、スパイラルインダクター４０は、水晶基板１０に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に形成された複数箇所のレジスト１９を測定する測定室１０２と、基板１８を１枚ずつ成膜して基板１８上に電極２１を形成する枚葉式成膜室１０４と、を有する成膜システム１００であって、基板１８上にて隣接するレジスト１９のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段１１６を測定室１０２に有し、測定手段１１６によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板１８から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段１１４を有し、枚葉式成膜室１０４は、基板１８の電極膜厚が制御手段１１４で算出された最適な電極膜厚となるように、基板１８に電極を形成する成膜手段１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１１〜１６と信号路２とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、ＳＡＷ共振子１１〜１６により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路２の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるＳＡＷ共振子１１〜１６と、ＳＡＷ共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路２とを別々の工程により形成する。 （もっと読む）

【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ＡＴカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角（０±２°、３５〜４０°、０±２°）によってカット形成された水晶基板１２と、この水晶基板１２の表面に板波を励振させる少なくとも１つの櫛形励振電極１３と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜１４とを備え、位相速度が４５００〜６０００ｍ／ｓの範囲にある板波の温度特性が２５℃付近に変曲点を持つ略３次温度特性になるように櫛形励振電極１３と周波数調整膜１４の膜厚を調整した。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制することおよび弾性波デバイスにおけるＴＣＦの製造バラツキを抑制すること。
【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第１の成膜工程（Ｓ１０）と、前記酸化シリコン膜のＳｉ−Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程（Ｓ１２）と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第１の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第２の成膜工程（Ｓ１８）と、を含む弾性波デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】実装基板に対するパッケージの所定位置からのずれを防止または抑制し、信頼性の高い圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電振動片２を収容したパッケージ３と、実装基板４と、パッケージ３と実装基板４との間に隙間を形成するスペーサ５１〜５４と、電子部品６とを有している。スペーサ５１〜５４のうちのスペーサ５１、５２は、金属ろう７によりパッケージ３に固定され、スペーサ５３、５４は、熱硬化性接着剤８によりパッケージ３に固定される。熱硬化性接着剤８によるスペーサ５３、５４とパッケージ３の固定は、金属ろう７によるスペーサ５１、５２とパッケージ３の固定に先立って行われる。 （もっと読む）

【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ（すなわち、スペーサの高さ）を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電体素子２を収容したパッケージ３と、スペーサ５１〜５３を介してパッケージ３を支持する実装基板４と、スペーサ５１〜５３により形成されたパッケージ３および実装基板４間の隙間に位置するように実装基板４に設けられ、圧電体素子２を駆動するための電子部品６とを有している。スペーサ５１は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも微少な単位での共振周波数の設計が可能な構造とする。また、共振周波数を微小な単位で簡便に調整できるようにする。
【解決手段】圧電材料上に櫛歯電極３および反射器４が形成された弾性表面波素子において、反射器５、６に対して、複数本の電極５ａ、６ａ同士が短絡されていないオープンの領域７、８と、複数本の電極５ａ、６ａ同士が短絡されているショートの領域９、１０とを設けることで、反射効率が最大となる周波数が異なる領域を形成する。このとき、オープンの領域７、８とショートの領域９、１０との比率を変化させることで、従来よりも微小な単位で素子全体の共振周波数を設定もしくは調整することができる。 （もっと読む）

【課題】周波数が精緻に調整されて、且つ、製造歩留りを向上させることが可能な弾性表面波素子、弾性表面波素子用ウェハ、その弾性表面波素子を用いた弾性表面波デバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷウェハ１Ａ上に設けられた複数のＳＡＷ共振子１のＩＤＴ電極１０のうち、複数の一次側電極指１１からなる交差指電極は、接続配線１５ａを介して一方の反射器１３Ｂに接続され、その反射器１３Ｂから引き出された接続配線１５が、ＳＡＷ共振子１の短辺側の二辺のうちの一辺側に隣接するＳＡＷ共振子１の反射器１３Ａに接続されている。また、ＩＤＴ電極１０のうち、複数の二次側電極指１２からなる交差指電極は、接続配線１５ｂを介して他方の反射器１３Ａに接続され、その反射器１３Ａから引き出された接続配線１５が、ＳＡＷ共振子１の短辺側の二辺のうちの他方の辺側に隣接するＳＡＷ共振子１の反射器１３Ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を有する弾性表面波素子であって、各弾性表面波素子要素毎に周波数調整が施された弾性表面波素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷウェハ１Ａに形成された複数のデュアルＳＡＷ共振子１において、第１のＳＡＷ共振子要素１０のＩＤＴ電極１１は第１の接続配線１５に接続されている。第１の接続配線１５は、ＳＡＷウェハ１Ａの全てのＩＤＴ電極１１と接続されるとともに、その終端がＳＡＷウェハ１Ａの外周部分に設けられた共通端子としての第１の通電端子１９に接続されている。同様に、第２のＳＡＷ共振子要素２０のＩＤＴ電極２１は第２の接続配線２５に接続され、この第２の接続配線２５は、ＳＡＷウェハ１Ａの外周部分の上記第１の通電端子１９とは異なる領域に設けられた共通端子としての第２の通電端子２９に接続されている。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子片をフェースダウン接合により接合し、駆動可能な状態で周波数調整することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ３０の凹部の凹底部分に接続された支持部４０上には、支持部の接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子に、中継基板２０の一端側に設けられた第２の電極端子２５ａ，２５ｂが接合部材４８を介して接合され、中継基板２０が、第１の電極端子２２ａ，２２ｂが設けられた他端側を突出させた状態で支持部４０上に片持ち支持されている。中継基板２０の他端側に設けられた第１の電極端子２２ａ，２２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが接合部材４７を介してフェースダウン接合により接合され、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４を、パッケージ３０の凹底面と対向しない方向で上側に向け、パッケージ３０に接触しない態様で片持ち支持されている。 （もっと読む）

【課題】周波数ばらつきの少ないＳＡＷデバイスの製造方法およびＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１の製造方法において、ＩＤＴ電極２２を有するＳＡＷ素子２０をパッケージ１０にマウントする工程と、パッケージ１０と蓋体４０とを接合する工程と、パッケージ１０に有する、ＩＤＴ電極２２が形成された領域と平面視で重なる位置に設けられた複数の貫通孔１７を通してＳＡＷ素子２０の周波数を調整する工程と、複数の貫通孔１７を封止材４７にて封止する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
ＳＡＷデバイス１は、圧電基板２の主面上にＩＤＴ３とその両側に配置した反射器５、６とを備え、少なくとも一方の反射器が、電源側端子９を介して外部電源に接続されかつ接地側端子１０を介して接地される。電源側端子と接地側端子間に所定の電流を印加し、反射器の一部又は全体をヒータ電極として発熱させ、圧電基板の温度を上昇させる。これにより、熱応力でＳＡＷデバイスの周波数を変動させることなく、安定した周波数特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ラム波を利用したラム波型高周波デバイスにおいて、周波数精度の良いラム波型高周波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面にラム波を励振するＩＤＴ電極を形成する電極形成工程を有するラム波型高周波デバイスの製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の表面のエッチング、または前記ＩＤＴ電極が形成された前記圧電基板の一方の主面のエッチング、または前記ＩＤＴ電極が形成された前記圧電基板の一方の主面に対向する他方の主面のエッチング、のいずれかを用いてラム波の周波数を調整する周波数調整工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】
異方性を示す方向を精度良く決定することができ、特定の好適な位置に薄膜構造を形成することを可能とする。
【解決手段】
異方性を有する球状材料の大円に沿って伝搬する弾性表面波を発生させる弾性波発生工程と、大円に沿って周回した弾性表面波の所定の物理量を測定する測定工程と、球状材料に対し、弾性波発生工程および測定工程を行う弾性表面波発生状況測定工程と、弾性表面波発生状況測定工程で測定された物理量に基づいて、異方性を示す方向を決定する決定工程とを有する異方性球状材料の方向測定方法において、弾性波発生工程は、球状材料をすだれ状電極を有する露光マスクに接近または接触させて電気信号を印加して弾性表面波を発生させ、測定工程は露光マスクにより物理量を測定する異方性球状材料の方向測定方法等を提供する。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（０±２°，１０４〜１４１°，０±２°）のＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、密度８７００〜１０３００ｋｇ／ｍ³、ヤング率１．８×１０¹¹〜４×１０¹¹Ｎ／ｍ²あるいは横波音速が３１７０〜３２９０ｍ／秒である、ＮｉやＭｏなどで代表される金属もしくは該金属を主体とする合金または前記金属もしくは合金からなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００８〜０．０６の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】１７°〜５８°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、タンタルからなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００４〜０．０５５の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】発振器を小型化すると共に低消費電力化を図り、更には、温度特性の優れた温度制御可能な発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】温度制御圧電発振器１は、内部に凹所２を形成しているパッケージ３の内部底面に、発熱体を一体化形成した第２の表面が、パッケージ３の内部底面に対向するようＳＡＷデバイス４を搭載すると共に、温度センサ、温度制御回路、及び、発振回路を内蔵したＩＣチップ５を、ＳＡＷデバイス４に並べて搭載し、所定のワイヤーボンディングを行った後、蓋６により気密封止した構造である。温度制御圧電発振器１は、ＩＣチップ５に内蔵した温度制御回路によりＳＡＷデバイス４を所定の温度に加熱するようにした。 （もっと読む）