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Fターム[5J097HB02]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 調整方法検査方法 (162) | 周波数等調整又は制御方法 (98) | 電極を操作して (29)

Fターム[5J097HB02]に分類される特許

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【課題】IDTの電極指の対数が異なる複数の弾性波共振子を直列腕共振子として有するラダー型フィルタにおいて、通過帯域高域側減衰量を大きくすることを可能とするラダー型フィルタを得る。
【解決手段】弾性波共振子S1〜S9からなる複数の直列腕共振子と弾性波共振子P1〜P6を有する複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであって、少なくとも1つの弾性波共振子S5のIDTの電極指の対数及び電極指ピッチが、残りの少なくとも1つの弾性波共振子S6のIDTの電極指の対数及び電極指ピッチと異なっている、ラダー型フィルタ1。 (もっと読む)


【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるSAW素子、このSAW素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】SAW素子1は、水晶基板10と、水晶基板10の主面11に形成されたIDT電極20と、水晶基板10の主面11に形成され、IDT電極20と隣り合う反射器30,31と、水晶基板10の主面11に形成されると共に、一端がIDT電極20と接続されたスパイラルインダクター40と、を備え、スパイラルインダクター40は、水晶基板10に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板18上に形成された複数箇所のレジスト19を測定する測定室102と、基板18を1枚ずつ成膜して基板18上に電極21を形成する枚葉式成膜室104と、を有する成膜システム100であって、基板18上にて隣接するレジスト19のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段116を測定室102に有し、測定手段116によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板18から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段114を有し、枚葉式成膜室104は、基板18の電極膜厚が制御手段114で算出された最適な電極膜厚となるように、基板18に電極を形成する成膜手段10を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスの開発及び製造の費用を削減すると共に、その設計自由度を高める技術を提供すること。
【解決手段】SAW共振子11〜16と信号路2とが同一基板上に形成される弾性波デバイスを用いたフィルタ回路において、SAW共振子11〜16により決定される通過域の中心周波数の仕様は限られているが、一方で信号路2の設計により決定される阻止域の性能については要求される仕様が多様である。そこで、その形成において、高コストである精度の高いフォトマスクが必要でありまた材質や膜厚などの条件が制限されるSAW共振子11〜16と、SAW共振子に比べてパターン形成における制限が緩やかな信号路2とを別々の工程により形成する。 (もっと読む)


【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ATカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角(0±2°、35〜40°、0±2°)によってカット形成された水晶基板12と、この水晶基板12の表面に板波を励振させる少なくとも1つの櫛形励振電極13と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜14とを備え、位相速度が4500〜6000m/sの範囲にある板波の温度特性が25℃付近に変曲点を持つ略3次温度特性になるように櫛形励振電極13と周波数調整膜14の膜厚を調整した。 (もっと読む)


【課題】IDT電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板1上に、積層金属膜からなるIDT電極2を形成する工程と、IDT電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、IDT電極2において複数の金属膜のうちの少なくとも1つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制することおよび弾性波デバイスにおけるTCFの製造バラツキを抑制すること。
【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第1の成膜工程(S10)と、前記酸化シリコン膜のSi−O結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程(S12)と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第1の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第2の成膜工程(S18)と、を含む弾性波デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】実装基板に対するパッケージの所定位置からのずれを防止または抑制し、信頼性の高い圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】圧電デバイス1は、圧電振動片2を収容したパッケージ3と、実装基板4と、パッケージ3と実装基板4との間に隙間を形成するスペーサ51〜54と、電子部品6とを有している。スペーサ51〜54のうちのスペーサ51、52は、金属ろう7によりパッケージ3に固定され、スペーサ53、54は、熱硬化性接着剤8によりパッケージ3に固定される。熱硬化性接着剤8によるスペーサ53、54とパッケージ3の固定は、金属ろう7によるスペーサ51、52とパッケージ3の固定に先立って行われる。 (もっと読む)


【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ(すなわち、スペーサの高さ)を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス1は、圧電体素子2を収容したパッケージ3と、スペーサ51〜53を介してパッケージ3を支持する実装基板4と、スペーサ51〜53により形成されたパッケージ3および実装基板4間の隙間に位置するように実装基板4に設けられ、圧電体素子2を駆動するための電子部品6とを有している。スペーサ51は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 (もっと読む)


【課題】従来よりも微少な単位での共振周波数の設計が可能な構造とする。また、共振周波数を微小な単位で簡便に調整できるようにする。
【解決手段】圧電材料上に櫛歯電極3および反射器4が形成された弾性表面波素子において、反射器5、6に対して、複数本の電極5a、6a同士が短絡されていないオープンの領域7、8と、複数本の電極5a、6a同士が短絡されているショートの領域9、10とを設けることで、反射効率が最大となる周波数が異なる領域を形成する。このとき、オープンの領域7、8とショートの領域9、10との比率を変化させることで、従来よりも微小な単位で素子全体の共振周波数を設定もしくは調整することができる。 (もっと読む)


【課題】周波数が精緻に調整されて、且つ、製造歩留りを向上させることが可能な弾性表面波素子、弾性表面波素子用ウェハ、その弾性表面波素子を用いた弾性表面波デバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】SAWウェハ1A上に設けられた複数のSAW共振子1のIDT電極10のうち、複数の一次側電極指11からなる交差指電極は、接続配線15aを介して一方の反射器13Bに接続され、その反射器13Bから引き出された接続配線15が、SAW共振子1の短辺側の二辺のうちの一辺側に隣接するSAW共振子1の反射器13Aに接続されている。また、IDT電極10のうち、複数の二次側電極指12からなる交差指電極は、接続配線15bを介して他方の反射器13Aに接続され、その反射器13Aから引き出された接続配線15が、SAW共振子1の短辺側の二辺のうちの他方の辺側に隣接するSAW共振子1の反射器13Bに接続されている。 (もっと読む)


【課題】周波数帯域特性の異なる複数の弾性表面波素子要素を有する弾性表面波素子であって、各弾性表面波素子要素毎に周波数調整が施された弾性表面波素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】SAWウェハ1Aに形成された複数のデュアルSAW共振子1において、第1のSAW共振子要素10のIDT電極11は第1の接続配線15に接続されている。第1の接続配線15は、SAWウェハ1Aの全てのIDT電極11と接続されるとともに、その終端がSAWウェハ1Aの外周部分に設けられた共通端子としての第1の通電端子19に接続されている。同様に、第2のSAW共振子要素20のIDT電極21は第2の接続配線25に接続され、この第2の接続配線25は、SAWウェハ1Aの外周部分の上記第1の通電端子19とは異なる領域に設けられた共通端子としての第2の通電端子29に接続されている。 (もっと読む)


【課題】周波数ばらつきの少ないSAWデバイスの製造方法およびSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAW発振器1の製造方法において、IDT電極22を有するSAW素子20をパッケージ10にマウントする工程と、パッケージ10と蓋体40とを接合する工程と、パッケージ10に有する、IDT電極22が形成された領域と平面視で重なる位置に設けられた複数の貫通孔17を通してSAW素子20の周波数を調整する工程と、複数の貫通孔17を封止材47にて封止する工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波素子片をフェースダウン接合により接合し、駆動可能な状態で周波数調整することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ30の凹部の凹底部分に接続された支持部40上には、支持部の接続端子45bおよびそれと対をなす接続端子に、中継基板20の一端側に設けられた第2の電極端子25a,25bが接合部材48を介して接合され、中継基板20が、第1の電極端子22a,22bが設けられた他端側を突出させた状態で支持部40上に片持ち支持されている。中継基板20の他端側に設けられた第1の電極端子22a,22bには、SAW共振子10の外部接続電極19a,19bが接合部材47を介してフェースダウン接合により接合され、SAW共振子10は、IDT電極12などが形成された主面14を、パッケージ30の凹底面と対向しない方向で上側に向け、パッケージ30に接触しない態様で片持ち支持されている。 (もっと読む)


【課題】SAWデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
SAWデバイス1は、圧電基板2の主面上にIDT3とその両側に配置した反射器5、6とを備え、少なくとも一方の反射器が、電源側端子9を介して外部電源に接続されかつ接地側端子10を介して接地される。電源側端子と接地側端子間に所定の電流を印加し、反射器の一部又は全体をヒータ電極として発熱させ、圧電基板の温度を上昇させる。これにより、熱応力でSAWデバイスの周波数を変動させることなく、安定した周波数特性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ラム波を利用したラム波型高周波デバイスにおいて、周波数精度の良いラム波型高周波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面にラム波を励振するIDT電極を形成する電極形成工程を有するラム波型高周波デバイスの製造方法であって、前記IDT電極の表面のエッチング、または前記IDT電極が形成された前記圧電基板の一方の主面のエッチング、または前記IDT電極が形成された前記圧電基板の一方の主面に対向する他方の主面のエッチング、のいずれかを用いてラム波の周波数を調整する周波数調整工程を備えている。 (もっと読む)


【課題】
異方性を示す方向を精度良く決定することができ、特定の好適な位置に薄膜構造を形成することを可能とする。
【解決手段】
異方性を有する球状材料の大円に沿って伝搬する弾性表面波を発生させる弾性波発生工程と、大円に沿って周回した弾性表面波の所定の物理量を測定する測定工程と、球状材料に対し、弾性波発生工程および測定工程を行う弾性表面波発生状況測定工程と、弾性表面波発生状況測定工程で測定された物理量に基づいて、異方性を示す方向を決定する決定工程とを有する異方性球状材料の方向測定方法において、弾性波発生工程は、球状材料をすだれ状電極を有する露光マスクに接近または接触させて電気信号を印加して弾性表面波を発生させ、測定工程は露光マスクにより物理量を測定する異方性球状材料の方向測定方法等を提供する。 (もっと読む)


【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角(0±2°,104〜141°,0±2°)のLiTaO3からなる圧電基板2と、圧電基板2上に形成されており、密度8700〜10300kg/m3、ヤング率1.8×1011〜4×1011N/m2あるいは横波音速が3170〜3290m/秒である、NiやMoなどで代表される金属もしくは該金属を主体とする合金または前記金属もしくは合金からなり、かつ膜厚をH、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚H/λが0.008〜0.06の範囲にあるIDT3と、IDT3を覆うように圧電基板2上に形成されており、かつ規格化膜厚Hs/λが0.10〜0.40の範囲にあるSiO2膜とを備える表面波装置1。 (もっと読む)


【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】17°〜58°回転Y板X伝搬LiTaO3からなる圧電基板2と、圧電基板2上に形成されており、タンタルからなり、かつ膜厚をH、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚H/λが0.004〜0.055の範囲にあるIDT3と、IDT3を覆うように圧電基板2上に形成されており、かつ規格化膜厚Hs/λが0.10〜0.40の範囲にあるSiO2膜とを備える表面波装置1。 (もっと読む)


【課題】発振器を小型化すると共に低消費電力化を図り、更には、温度特性の優れた温度制御可能な発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】温度制御圧電発振器1は、内部に凹所2を形成しているパッケージ3の内部底面に、発熱体を一体化形成した第2の表面が、パッケージ3の内部底面に対向するようSAWデバイス4を搭載すると共に、温度センサ、温度制御回路、及び、発振回路を内蔵したICチップ5を、SAWデバイス4に並べて搭載し、所定のワイヤーボンディングを行った後、蓋6により気密封止した構造である。温度制御圧電発振器1は、ICチップ5に内蔵した温度制御回路によりSAWデバイス4を所定の温度に加熱するようにした。 (もっと読む)


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