【課題】周波数調整を容易に行うことが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２及び反射電極１４と、櫛型電極１２及び反射電極１４を覆って設けられた、元素がドープされた酸化シリコン膜（例えば、ＳｉＯＦ膜１８）を少なくとも含む第１媒質２０と、を備え、第１媒質２０に含まれる元素がドープされた酸化シリコン膜は、アンドープの酸化シリコン膜よりも音速の遅い膜である弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるＳＡＷ素子、このＳＡＷ素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に形成されたＩＤＴ電極２０と、水晶基板１０の主面１１に形成され、ＩＤＴ電極２０と隣り合う反射器３０，３１と、水晶基板１０の主面１１に形成されると共に、一端がＩＤＴ電極２０と接続されたスパイラルインダクター４０と、を備え、スパイラルインダクター４０は、水晶基板１０に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高結合基板上にＳＡＷトランスデューサまたはＳＡＷ共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの増大や構造破壊を防止しつつ、共振周波数を上昇させることができるようにした圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０を有する圧電振動デバイスの製造方法であって、前記弾性表波素子１０の表面上に波の速度を高める機能膜４を形成する工程、を含む。また、前記機能膜４のヤング率は、励振電極２及び圧電体１の各ヤング率よりも大きく、且つ、前記機能膜４の密度は、前記励振電極２及び前記圧電体１の各密度よりも低い。これにより、質量付加効果による周波数低下の影響を抑えながら、弾性率上昇による周波数上昇を発現させ、弾性表面波素子の共振周波数を上昇させることができる。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度で弾性境界波装置を製造し得る弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。犠牲層１５が形成された状態でＩＤＴ電極１４によって励振される弾性境界波の周波数特性を測定する。測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とを比較する。比較工程において、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とに差がある場合は、犠牲層１５を除去した後に、当該差に応じて、第２の媒質１２の厚みを調整する。一方、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とが一致している場合は、第２の媒質１２の厚み調整を行わない。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の上にＩＤＴ電極を覆うように形成されている酸化ケイ素膜を備える弾性波装置であって、圧電基板に反りが生じ難く、かつ製造に際して煩雑な製造工程を要さない弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板１０と、圧電基板１０の上に形成されているＩＤＴ電極１１と、圧電基板１０の上にＩＤＴ電極１１を覆うように形成されている酸化ケイ素膜１２とを備えている。圧電基板１０は、ＩＤＴ電極が形成されている第１の領域１０Ａと、ＩＤＴ電極が形成されていない第２の領域１０Ｂとを含む。酸化ケイ素膜１２は、第１の領域１０Ａの上に形成されている第１の部分１２Ａと、第２の領域１０Ｂの上に形成されている第２の部分１２Ｂとを含む。第２の部分１２Ｂの少なくとも一部におけるＳｉ−ＯＨ結合の含有量は、第１の部分１２ＡにおけるＳｉ−ＯＨ結合の含有量よりも多い。 （もっと読む）

【課題】周波数の経時的変化を抑制できるＳＡＷデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板１１にすだれ状電極１２を形成するＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１と、（１）すだれ状電極１２の電極指１２ａ，１２ｂの質量を変化させる工程、（２）すだれ状電極１２に質量体を付加する工程、（３）電極指１２ａ，１２ｂ間に露出している圧電基板１１をエッチングする工程の少なくとも１つの工程を行い、ＳＡＷ素子片１０の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ２と、第１周波数調整工程Ｓ２後、ＳＡＷ素子片１０を２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱するアニール工程Ｓ３と、上記各工程を終了後、ＳＡＷ素子片１０に設けられたボンディングパッド１４ａ，１４ｂと、パッケージベース３２に設けられたボンディングパッド３３ａ，３３ｂとを、Ａｕワイヤー５０にて接続するボンディング工程Ｓ６とを有する。 （もっと読む）

【課題】素子面の損傷を防止することができる成膜装置、成膜方法、表面弾性波素子の周波数調整方法、及び表面弾性波フィルターの周波数調整方法を提供する。
【解決手段】イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数安定度の高い高品質なＳＡＷデバイスを製造することのできるＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージベース１４にＳＡＷ素子片２８を実装する実装工程と、パッケージベース１４に実装されたＳＡＷ素子片２８を構成する電極パターンをエッチングして励起される弾性表面波の周波数を変化させる粗調工程と、パッケージベース１４にキャップ１６を接合してパッケージ１２を構成し、ＳＡＷ素子片２８をパッケージ１２のキャビティ１５に収容する第１封止工程と、パッケージベース１４またはキャップ１６に形成された封止孔２４からキャビティ１５に不活性ガスを供給またはキャビティ１５に供給した不活性ガスを吸引してキャビティ１５の圧力を変化させて前記弾性表面波の周波数を変化させる微調工程と、封止孔２４を封止材２６で塞ぐ第２封止工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度なプローブ測定が可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ１１は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２１，２２を有する。第１の配線１３は、第１のくし歯電極２１に電気的に接続されている。第２の配線１４は、第２のくし歯電極２２に電気的に接続されている。第１のプローブパッド１６は、第１の配線１３に電気的に接続されている。第２のプローブパッド１７は、第２の配線１４に電気的に接続されている。第１のプローブパッド１６と第２のプローブパッド１７との両方がＩＤＴ１１に対して第１の方向の一方側に配置されている。第１の配線１３が第１のプローブパッド１６から第１の方向に垂直な第２の方向の一方側に引き出されている一方、第２の配線１４が第２のプローブパッド１７から第２の方向の他方側に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波デバイスの中心周波数を容易に調整することができると共にばらつきの低減が可能な弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波デバイスが形成された基板上に均等な間隔で測定点を設ける第１ステップと、測定点の周波数を測定して周波数調整領域を決定する第２ステップと、周波数調整領域を露出する開口部を有するマスクを用いて、当該周波数調整領域の周波数を調整する第３ステップと、所望の周波数特性が得られるまで第２ステップと第３ステップとを繰り返す第４ステップとから、概略構成されている弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法。 （もっと読む）

【課題】 機械的接触による機構による共振特性の調節機能を持った表面弾性波（ＳＡＷ）機器を提供する。
【解決手段】 本発明のＳＡＷ応用装置は、意図する周波数帯域のＳＡＷの伝搬方向に沿った２次元あるいは１次元のラウエ条件、あるいはブラッグ条件に近い空間周期性を持つ凸構造群が形成された制御板を用いて、ＳＡＷが分布する固体表面に機械的に接触させる事で、その空間周期性による共振特性の変化を誘起することが可能とした。特にＳＡＷが分布する固体表面に前述のラウエ条件、あるいはブラッグ条件の凹凸構造を形成し、その凹凸構造と噛み合う凸構造を持つ制御板を用いた機械的接触の機構を用いる事で、平坦な固体表面で生じるＳＡＷの作用による摩擦減衰効果のため機械的接触による共振特性の変化が弱まる効果を低減させることが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド積層構造の基板にＩＤＴを形成した高周波化対応のダイヤモンドＳＡＷ素子において、その周波数を高精度に調整することができかつ周波数安定性に優れたＳＡＷ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に形成された交差指電極５ａ，５ｂ及び交差指電極からなるＩＤＴと、を有し、原子量が１５０ａｍｕよりも大きくて物理吸着が少ないＴａ粒子１２を、基板２の主面に、交差指電極５ａ，５ｂ間及び交差指電極間が短絡しない程度に付着され、それにより周波数を調整したＳＡＷ素子１である。 （もっと読む）

【課題】高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子を簡単な構造で実現する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１０は、水晶からなる圧電基板２０と、圧電基板２０の表面２１に形成される櫛歯状のＩＤＴ電極３０と、圧電基板２０の裏面２２の少なくともラム波が伝搬する領域に、圧電基板２０の材質とは密度が異なる材質からなる調整膜６０が形成されている。この調整膜６０の厚さｔを適切に制御することにより、高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子１０を簡単な構造で実現する。 （もっと読む）

【課題】保護膜付与による影響を利用して温度特性を改善する弾性表面波装置の温度特性調整方法を提供する。
【解決手段】カット角がオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の範囲内にある事を基本とする面内回転ＳＴカット水晶基板を用いた弾性表面波素子片の周波数温度特性の調整方法であって、前記弾性表面波素子片における温度と周波数との関係を求め、当該求めた周波数と基準温度における基準周波数との偏差を求め、求めた偏差と温度との関係を一次式で近似し、予め求めた励振電極に形成した保護膜の厚さと前記一次式の傾きとの関係に基づいて、励振電極に保護膜を形成して前記近似した一次式の傾きを０に近づけることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子の特性周波数に応じた回路が適切に選択されている弾性表面波装
置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子１０をカバー１００で覆った後に、弾性表面波素子１０の特
性周波数ｆ₀に適した第２回路５０を選択するためのレーザ光６０の照射による配線５１
，５２の切断を行う。ここで、レーザ光６０の照射による熱で、絶縁層１２、圧電層１３
、配線５１，５２等の材料からなる飛散物７０が飛散しても、カバー１００によって弾性
表面波素子１０に付着しないので、レーザ光６０照射前後で特性周波数ｆ₀が変化しない
。したがって、第２回路５０選択後でも特性周波数ｆ₀に応じた回路が選択されている弾
性表面波装置１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子の特性を向上させ、また、弾性波素子の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０上に圧電膜１３を形成し、この圧電膜１３上に導電性膜１７を形成し、さらに、圧電膜１３上に弾性波発生用の櫛歯型電極１９ａを形成するとともに、導電性膜１７上に位置し、櫛歯型電極１９ａと電気的に接続される導電性膜１９ｂを形成した後、櫛歯型電極１９ａを覆い、導電性膜１９ｂ上に開口部ＯＡ２を有する保護膜２１を形成する。その結果、開口部ＯＡ２の形成、即ち、保護膜２１のエッチングの際、開口部ＯＡ２底部にエッチング残渣が生じていてもワイヤボンディング時に貫通することが可能なため、接続不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】インターディジタル電極２の表層部に形成する陽極酸化膜を、該陽極酸化膜の絶縁性と弾性表面波素子の素子特性を両立させることが出来る膜厚に形成し、且つインターディジタル電極２によって励起される弾性表面波の周波数を、所望の周波数に調整することが出来る弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】インターディジタル電極２の陽極酸化処理工程において、電解液４中で陰極部材５とインターディジタル電極２の間を流れる電流の密度を制御することにより、圧電基板１に励起されることとなる弾性表面波の周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図りつつ、所望の周波数特性を有する弾性表面波素子を得ることができる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電材料を主材料として構成された圧電体層４上に、電気信号の入力用および出力用の１対のＩＤＴ５、６と、１対のＩＤＴ５、６を保護する保護膜７とを順次積層する弾性表面波素子１の製造方法であって、圧電体層４上に１対のＩＤＴ５、６を形成して、基体１ａを得る工程と、基体１ａに弾性表面波を励振させ、その伝播速度を測定する工程と、測定された伝播速度に基づいて、得られる弾性表面波素子１の弾性表面波の伝播速度が目的とする設定伝播速度となるように、保護膜７の設定膜厚を決定する工程と、決定された設定膜厚となるように保護膜７を形成する工程とを有する。 （もっと読む）