【課題】弾性表面波を利用した弾性波フィルタにおいて、簡易化構成で周波数特性を可変にできるとともに、温度変化に対して好適に対応できる弾性波フィルタ及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】弾性波フィルタ１は、圧電基板３のダイアフラム部５の表面に、弾性波フィルタ素子７と測温素子９とヒータ素子１１とが密着して形成されている。従って、簡易な構成の弾性波フィルタ１であるにもかからず、ヒータ素子１１によって弾性波フィルタ素子７の温度を変化させて、弾性波フィルタ素子７の周波数特性をリアルタイムで任意に変化させることができる。特に、測温素子９によって弾性波フィルタ素子７の温度を測定しながら、ヒータ素子１１によって弾性波フィルタ素子７を加熱して、弾性波フィルタ素子７を所望の温度に制御することにより、周囲の温度にかかわらず、弾性波フィルタ素子７の周波数特性を、安定的に所望の特性に調節することができる。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制することおよび弾性波デバイスにおけるＴＣＦの製造バラツキを抑制すること。
【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第１の成膜工程（Ｓ１０）と、前記酸化シリコン膜のＳｉ−Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程（Ｓ１２）と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第１の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第２の成膜工程（Ｓ１８）と、を含む弾性波デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】周波数の経時的変化を抑制できるＳＡＷデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板１１にすだれ状電極１２を形成するＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１と、（１）すだれ状電極１２の電極指１２ａ，１２ｂの質量を変化させる工程、（２）すだれ状電極１２に質量体を付加する工程、（３）電極指１２ａ，１２ｂ間に露出している圧電基板１１をエッチングする工程の（１）〜（３）の少なくとも１つの工程を行い、ＳＡＷ素子片１０の周波数を調整する第１周波数調整工程Ｓ５と、第１周波数調整工程Ｓ５後、ＳＡＷ素子片１０を２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱するアニール工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】周波数を有効かつ十分に可変制御し得るＳＡＷ素子及びＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶からなる圧電基板２の主面に、ＳＡＷを励振するためのＩＤＴ３とヒータ電極５ａ，５ｂとを設け、該ヒータ電極をＩＤＴに対してＳＡＷ伝搬方向と直交する向きの両側に配置した。ＳＡＷ素子の動作温度範囲は、圧電基板の周波数温度特性が２次曲線又は３次曲線で表される場合に、その極値を含まないように設定し、該２次曲線又は３次曲線が温度の上昇に関して常に負方向に変化するようにする。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
ＳＡＷデバイス１は、圧電基板２の主面上にＩＤＴ３とその両側に配置した反射器５、６とを備え、少なくとも一方の反射器が、電源側端子９を介して外部電源に接続されかつ接地側端子１０を介して接地される。電源側端子と接地側端子間に所定の電流を印加し、反射器の一部又は全体をヒータ電極として発熱させ、圧電基板の温度を上昇させる。これにより、熱応力でＳＡＷデバイスの周波数を変動させることなく、安定した周波数特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
圧電基板２，１２上にＩＤＴ３，１３及び反射器４，１４を備えるＳＡＷ共振子１，１１において、圧電基板の弾性表面波伝搬方向の長さＬ及び厚さＴを、ヒータ電極５を圧電基板の主面に形成したときは、Ｔ／Ｌが０．０６５以下となるように、ヒータ電極１５を圧電基板の裏面に形成したときは、Ｔ／Ｌが０．１２９以上となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 ２段構成の弾性表面波フィルタの群遅延および挿入損失の周波数特性を簡易な方法で改善する。
【解決手段】 第１の弾性表面波フィルタに温度センサ３と温度調節部５を付設し、第２の弾性表面波フィルタ２に温度センサ４と温度調節部６を付設する。そして、第１の弾性表面波フィルタ１を通過した信号の周波数特性におけるピーク点と、第２の弾性表面波フィルタ２を通過した信号の周波数特性におけるボトム点とが重なり合うように、第１の弾性表面波フィルタ１の温度と第２の弾性表面波フィルタ２の温度とを所定の温度差になるように制御する。 （もっと読む）