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Fターム[5J097JJ03]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 容器素子支持構成 (1,074) | 容器支持形式 (375) | ハーメチックシール型 (243) | 樹脂封入又は樹脂接着 (183)

Fターム[5J097JJ03]に分類される特許

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【課題】 弾性波フィルタを含むチップが積層体に搭載され、樹脂により封止された弾性波デバイスにおいて、放熱性の改善を図ること。
【解決手段】 複数の層40a〜40cの主面が提供する配線形成のための複数の面101〜104を有する積層体と、積層体の表面である101面に実装されたチップ30と、チップ30を封止する樹脂部60と、102面に形成され、弾性波フィルタを構成する共振器の少なくとも1つと電気的に接続されたインダクタの配線パターンL2と、102面に配線パターンL2の少なくとも一部(領域70)に沿って形成されたグランドパターンGNDと、101面及び102面と異なる104面に形成され、配線パターンL2及びグランドパターンGNDと電気的に接続された外部端子42と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 (もっと読む)


【課題】電極端子の剥離を抑制するとともに、アイソレーション特性の悪化を抑制することが可能な高周波電子部品を提供する。
【解決手段】高周波電子部品は、基板200と、基板200に搭載される弾性表面波素子100と、基板200の裏面上に互いに離間して形成され、少なくとも1つが弾性表面波素子100と電気的に接続される複数の電極端子を含む電極層330と、端子面上に形成された保護層400とを備える。保護層400は、基板200の裏面の中央領域を露出させ、かつ、電極層330における複数の電極端子の周縁部を覆うように基板200の裏面の周縁領域に形成される。 (もっと読む)


【課題】外部振動や機械的衝撃に対して高い信頼性を確保した電子モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】コア層1の上下面にビルドアップ層2b,2aを積層した多層基板20を用い、基板20の一部にコア層1を貫通した開口3に収納されたSAWフィルタ5を内蔵させ、上面のビルドアップ層2b上に形成した配線/回路パターン10aにSAWフィルタ5の端子5cおよび電子部品12a,12bを接続する。また、基板20の上面側のコア層1上に設けた配線/回路パターン6bにICチップ11a,11bを接続して搭載し、配線基板20の下面のビルドアップ層2aの表面に設置された放熱パターン9を有する。そして、基板20の上面から下面に貫通し、ICチップ11a,11bと放熱パターン9に達する熱伝達用のビアホール4を複数備え、ICチップ11a,11bを含む複数の電子部品が搭載された上面の全面を覆って補強板16を固定した。 (もっと読む)


【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体1は、支持部材5と、該支持部材5上にバンプ8を介して実装された複数の圧電素子7と、複数の圧電素子7を共に覆い、複数の圧電素子7と支持部材5との間の空間Sを密閉する封止樹脂(樹脂部9)とを有する。複数の圧電素子7は、隣り合う圧電素子7の下面19a間の距離d1が下面19aよりも上方側の所定位置間(例えば上面19b間)の距離d2よりも大きい。そして、樹脂部9は、隣り合う圧電素子7間の間隙Wの少なくとも上方側の一部に充填された介在部9eを有する。 (もっと読む)


【課題】絶縁層に設けた貫通孔にメッキ膜を形成することにより形成される配線を強固なものにするとともに、貫通孔よりも上部に形成されるメッキ層の厚みを均一にする。
【解決手段】電子部品は、圧電基板1の上面に形成されたIDT電極2およびパッド電極3と、パッド電極3に達する貫通孔を有する支持層4および第1のカバー層5と、パッド電極3に接続されるビア電極6と、ビア電極6の上部と接続されるように第1のカバー層5上に形成され、ビア電極6の上部内側に位置するように穴部を有する配線下地層7と、ビア電極6と一体に配線下地層7上に形成された配線層8と、配線層8を被覆する第2のカバー層9と、第2のカバー層9を貫通して配線層と接続されたアンダーバンプメタル10と、アンダーバンプメタル10上に設けられたバンプ11とを備える。 (もっと読む)


【課題】 入力端子または出力端子を共通化しても挿入損失の劣化が生じ難い弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】 圧電基板101と、圧電基板101の主面上に配置された、圧電基板101の主面を伝搬するSAWの伝搬方向と直交する方向に伸びた電極指22を複数本有しているIDT電極11を複数個有し、これら複数個のIDT電極11が伝搬方向に沿って配列されている縦結合共振子型の第1SAWフィルタ部5と、前記伝搬方向に沿って伸びている対向部7aを有し、SAWフィルタ部5に電気的に接続された基準電位配線7と、対向部7aに並んで配置された、前記伝搬方向に沿って伸びているLC形成部4aを有し、一端がSAWフィルタ部5に接続されている入力信号配線4とを備えた構成とする。 (もっと読む)


【課題】SAWデバイスおよびBAWデバイスの電気的性能を向上させる。
【解決手段】開示された実施形態は、シャープな部分を含む筐体によって形成されたキャビティ内に配置された電子デバイスを有するパッケージを含む。該パッケージは、該筐体上に塗布された感光層を含み、該シャープな部分に隣接するスムーズな部分を設けてもよい。該パッケージの製造方法も開示される。他の実施形態も記載され特許請求され得る。 (もっと読む)


【課題】 振動空間の気密性を長時間にわたって保持することができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】 素子基板3と、素子基板3の主面に配置された励振電極5と、凹部を有し、凹部の内面および素子基板3の主面で囲まれた空間である振動空間21内に励振電極5が位置するようにして前記凹部の周囲が素子基板3の主面に接合されたカバー9とを備えた弾性波装置である。カバー9は、素子基板3との接合部の外面側および内面側の少なくとも一方に、素子基板3の主面に沿って伸びている伸長部10を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、極めて小型で容易に製造することのできる弾性表面波装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波装置11は、圧電基板12と、この圧電基板の表面に設けられた複数の櫛形電極13と、前記複数の櫛形電極に接続された配線14と、前記圧電基板の上に設けられ、かつ空間15を介して前記櫛形電極を覆う素子カバー16と、前記配線の上から前記素子カバーの側面を経由して前記素子カバーの上面に至る第1の接続電極17と、前記圧電基板と前記素子カバーと前記第1の接続電極とを覆う封止樹脂19と、この封止樹脂の表面に設けられた外部端子20と、前記封止樹脂を貫通して前記第1の接続電極と前記外部端子とを接続する第2の接続電極18とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】支持部材の上面における省スペース化を図ることが可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス1は、ベース基板5と、ベース基板5上に実装され、下面(機能面19a)に機能部7aを有する圧電素子7と、ベース基板5及び圧電素子7間に、機能部7aを囲むように位置してベース基板5及び圧電素子7を接続する複数のバンプ9と、複数のバンプ9の少なくとも一部(本実施形態では全部)についてバンプ9同士を結びつつ機能部7aを囲むようにベース基板5の上面11aと圧電素子7の下面との間に設けられる壁部10と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電子部品の厚みの増大や損傷が生じ難く、識別手段の脱落も生じ難く、さらに電気的特性の変動ももたらし難い、識別機能を備えた電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】対向し合う第1及び第2の主面を有する基板2の第2の主面に回路素子が構成されており、基板2の第2の主面に保護層6が積層されており、保護層6の側面に識別用段差16,17が形成されている、電子部品1。 (もっと読む)


【課題】好適に実装・個片化を行うことができる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス1の製造方法は、複数のベース基板5が含まれる母基板31及び複数の圧電素子7が含まれる母基板33を準備する工程(図3(a))と、複数の圧電素子7が複数のベース基板5にそれぞれフェースダウン実装されるように、母基板31及び33を対向させ、その対向面間に介在するバンプ27により母基板31及び33を互いに接続する工程(図3(b))と、接続された母基板31及び33をカットして、ベース基板5及び圧電素子7を含む複数の第1個片8を形成する工程(図3(d))と、を含む。 (もっと読む)


【課題】保護カバーの変形に起因した電気特性の劣化を抑制することができる信頼性に優れた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置は、弾性波を伝搬させる圧電基板1と、圧電基板1の主面上に配置されたIDT電極2と、IDT電極2が収容される中空の収容空間8を有し、圧電基板1の主面上に配置される保護カバー17と、IDT電極2と電気的に接続された、保護カバー17を貫通する柱状の2つ以上の外部接続用電極10と、保護カバー17上に配置された導体層18とを備える。導体層18は少なくとも2つの外部接続用電極10に接続されているとともに、平面透視したときに導体層18に接続された2つの外部接続用電極10の中心間を結ぶ直線が収容空間8の中心を通る。 (もっと読む)


【課題】特性を安定させることができる、保護膜を備えた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置11は、(a)基板12にIDT電極21が形成された弾性波素子と、(b)弾性波素子を覆うように形成される保護膜15とを備える。弾性波素子は、IDT電極21を含む基板12上に形成されたSiO膜13をさらに備え、保護膜15がSiO膜13の上から形成されている。保護膜15に、IDT電極21により励起される弾性波のエネルギーが分布している。保護膜15は、珪素と窒素を主成分とする窒化シリコン(SiN)膜であり、珪素と窒素との組成比を1:Xで表すとき、Xが0.2を超え、1.00未満である。 (もっと読む)


【課題】周波数の調整を安定して行なうことが可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置は、主面を有する圧電基板100と、圧電基板100の主面上に形成され、所定の周波数で圧電基板100を励振させるIDT電極200と、圧電基板100に所定の応力を生じさせて所定の周波数を変化させる加圧部600とを備える。 (もっと読む)


【課題】弾性波装置が好適に封止された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、実装面53aを有する実装基板53と、実装面53aに実装されたSAW装置と、樹脂61を含んで構成され、SAW装置を覆うとともにSAW装置と実装面53aとの間に充填された封止部59と、を有する。SAW装置は、素子基板3と、素子基板3の第1主面3aに設けられた励振電極と、励振電極を覆うカバー9と、を有する。また、SAW装置は、カバー9の天面9a、9bを実装面53aに対向させて実装面53aに実装されている。そして、封止部59には、カバー9と実装面53aとの間において、ガスが閉じ込められた複数の気孔65A,65Bが分布している。 (もっと読む)


【課題】加熱時に、装置内部における接続に破損が発生することを抑制できる回路モジュール及び複合回路モジュールを提供することである。
【解決手段】SAWフィルタ32bは、圧電基板17と、圧電基板17の主面上に設けられている縦結合部と、縦結合部上に空隙Spを形成した状態で圧電基板17の主面を覆う支持層18及びカバー層20,22と、カバー層22上に設けられ、かつ、縦結合部と電気的に接続されているバンプ24a〜24fと、を含んでいる。実装基板は、マザー基板上に実装され、バンプ24a〜24fを介してSAWフィルタ32bが実装される。 (もっと読む)


【課題】不要な寄生容量を減少し、圧電基板や支持基板へのダメージが抑制され、かつ、圧電基板材料の選択の自由度が高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、圧電基板200Aに所定の幅および所定の深さを有する溝210Aを形成する工程と、溝210Aの開口が支持基板100と対向するように、圧電基板200Aを支持基板100に貼り合わせる工程と、支持基板100に貼り合わせられた圧電基板200Aの厚みを減じる方向に圧電基板200Aを研磨し、溝210Aが形成された部分において支持基板100を露出させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】減衰域よりも高周波数帯域側に通過帯域を設定したハイパス型のノッチフィルタにおいて、前記通過帯域における挿入損失を抑えること。
【解決手段】入力ポート5と出力ポート6との間に2つのSAW共振子11、12からなる直列回路を直列に配置すると共に、これらSAW共振子11、12間にインダクタ素子15を並列に接続する。そして、SAW共振子11(12)に対して、容量素子21(22)及び補助インダクタ素子31(32)からなる直列回路を並列に接続する。更に、補助インダクタ素子31(32)のインダクタンス値が0.5nH〜1.6nHとなるようにする。 (もっと読む)


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