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Fターム[5J097KK01]の内容

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圧電基板(11)と、圧電基板(11)の表面に設けた複数個の電極指(12)で構成されるIDT(13)と、このIDT(13)の両端部に近接して設けた反射器(14)とを備え、上記IDT(13)は両端部の複数の電極指(12)の電極指ピッチを、このIDT(13)の中央付近の電極指ピッチと異ならせたグラデーション領域を有し、このグラデーション領域の電極指ピッチはグラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指からグラデーション領域のもう一方の端部の電極指にかけて電極指ピッチを順次変化させるとともに、グラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指の電極指ピッチを上記IDT(13)の中央付近の電極指ピッチの1〜5%小さくした構成からなる。 (もっと読む)


良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ周波数の製造偏差を低減し得る弾性境界波装置を提供する。 第1の媒質層としてのLiNbO基板2と、第2の媒質層としてのSiO膜3との境界に、インターデジタル電極4及び/または反射器5,6が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極4及び/または反射器5,6のデューティ比をdとしたときに、0.33<d<0.49とされている、弾性境界波装置。
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弾性表面波(SAW)デバイス用の一方向変換器。一実施形態では、このデバイスは、(1)伝搬のSAWの方向に垂直な開回路反射器が配置される圧電基板上の定められた領域、および定められた領域内に配置され、対向するバス・バーに接続された低反射率変換器電極のペアであって、SAW伝搬の方向に垂直で、電極のペアの励起中心が反射器からSAWの中心周波数のレイリー波長の約7/8のところに配置されるように位置決めされた、低反射率変換器電極のペアを含む。

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良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 第1の媒質層としてのLiNbO基板2と、第2の媒質層としてのSiO膜3との境界に、インターデジタル電極4及び/または反射器5,6が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極4及び/または反射器5,6のデューティ比をdとしたときに、0.54<d<0.89とされている、弾性境界波装置。
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【課題】 SAWチップをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動を生じることなく、信頼性の高いSAWチップとこれを利用したSAWデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板111にドライエッチングにより電極パターンを形成するSAWチップ110の製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金により電極膜23を形成する電極膜形成工程ST1と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエッチング工程ST2と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するための洗浄工程ST3とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 圧電基板上に複数のSAW共振子を配置して構成するラダー型SAWフィルタの減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極とその両側にグレーティング反射器を配して形成するSAW共振子を、複数個配設して構成するラダー型SAWフィルタにおいて、前記IDT電極及び前記グレーティング反射器の電極指幅LとスペースSとの関係を0.55≦L/(L+S)≦0.75としたラダー型SAWフィルタである。 (もっと読む)


【課題】 トランスバーサルSAWフィルタの帯域幅を拡大すると共に減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 トランスバーサルSAWフィルタのIDT電極の少なくとも1つを電極間引き法を用いてメインローブ、第1サイドローブ及び第2サイドローブで形成し、メインローブの基本区間数をL、メインローブを置換する逆方向SPUDTの区間数をN1とするとき、0.08L<N1<0.6Lの範囲内に選ぶ。 (もっと読む)


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