【課題】通過特性においてリップルの小さい弾性表面波共振子及びこれを用いた弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、圧電基板１１と、この圧電基板の表面に設けた複数個の電極指で構成されるＩＤＴ１３と、前記ＩＤＴの両端部に近接して設けた反射器１４とを備え、前記ＩＤＴはその中央部において電極指ピッチが一定の等ピッチ領域と前記ＩＤＴの両端部において電極指ピッチを徐々に小さくしたグラデーション領域１２５０を有する構成からなる。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗損失が少なく、電極膜厚を厚くしても大きな電気機械結合係数ｋ^２を得ることを可能とするＳＨ波を利用した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板２と、前記溝内に充填されている金属層３ａを有し、該金属層３ａがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるＩＤＴ電極４とを備え、ＳＨ波を利用している弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧電基板上における弾性表面波の伝搬特性に基づいて所望の媒質にかかわる計測や監視を実現する弾性表面波センサに関し、コストが大幅に増加することなく、性能が向上し、かつ特性のバラツキが安定かつ確実に回避されることを目的とする。
【解決手段】圧電基板上に形成されて電気信号を弾性波に変換し、圧電基板を伝搬した弾性波を電気信号に変換する弾性表面波センサであって、圧電基板上に配置され、電気信号を弾性波に変換する２つの送波電極と、圧電基板上で２つの送波電極に個別に対向して形成され、圧電基板を介して到来した個々の弾性波を電気信号にそれぞれ変換する２つの受波電極と、２つの送波電極の一方と一方の送波電極に対向して形成された一方の受波電極とで挟まれた圧電基板上の領域に形成され、弾性波の内、弾性表面波を２つの受波電極以外の方向に反射する反射電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】 振動が印加された場合のインピーダンス変化が大きい振動センサと、この振動センサを用いた通信距離の拡大が可能な振動検知システムを提供すること。
【解決手段】 水晶基板４と、水晶基板４上に形成された一対の入出力端子５と、一対の入出力端子５に接続された表面弾性波を励振するための一対の櫛歯電極１とを有し、入出力端子５に電気信号を入力し、水晶基板４に生じた振動により生ずる入出力端子５のインピーダンスの変化を検出して水晶基板４の振動を検出する。櫛歯電極１の開口長２を９０μｍ〜２７０μｍとし、櫛歯電極１により励振する表面弾性波の波長λに対する櫛歯電極１の開口長の比ｒが、７０≦ｒ≦２１０、電極指の本数ｎは、１６０≦ｎ≦４８０となるように設定され、ｎ×ｒ≧１８０００となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化、製造コストの低減が可能なアンテナモジュール、電子チューナモジュール、携帯通信機器を提供する。
【解決手段】本発明に係るアンテナモジュール１は、信号を受信するためのアンテナ素子１１と、該アンテナ素子１１で受信する信号を共振させる共振発生部１２と、該共振発生部１２に接続され、アンテナ素子１１で受信した信号から所定の周波数帯域の信号を除去するフィルタ部１３とを備えている。フィルタ部１３は、共振発生部１２とフィルタ部１３とのインピーダンスを整合するコイル１３ｃを有し、フィルタ部１３のコイル１３ｃを用いて、アンテナ素子１１の電気長を延長する。 （もっと読む）

【課題】目標とする周波数特性を有する弾性境界波装置を確実に提供することを可能とする弾性境界波装置の製造方法および弾性境界波装置を得る。
【解決手段】第１の媒質１と、第１の媒質上に積層されている第２の媒質と、第１，第２の媒質との界面に配置されたＩＤＴ電極２とを備える積層体を用意し、第２の媒質の外側からイオンを注入し、周波数を調整する各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの増大や構造破壊を防止しつつ、共振周波数を上昇させることができるようにした圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０を有する圧電振動デバイスの製造方法であって、前記弾性表波素子１０の表面上に波の速度を高める機能膜４を形成する工程、を含む。また、前記機能膜４のヤング率は、励振電極２及び圧電体１の各ヤング率よりも大きく、且つ、前記機能膜４の密度は、前記励振電極２及び前記圧電体１の各密度よりも低い。これにより、質量付加効果による周波数低下の影響を抑えながら、弾性率上昇による周波数上昇を発現させ、弾性表面波素子の共振周波数を上昇させることができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３と、その両側に配置した一対の反射器１４と、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７と、反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８とを有し、ＳＡＷの波長λと電極指間溝の深さＧとが０．０１λ≦Ｇを満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが所定の関係式を満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとがη＜ηrの関係にある。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲に極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、製造ばらつきにより個体間に生じ得る周波数温度特性のばらつき及び劣化を抑制する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λであり、電極指膜厚ＨとＩＤＴライン占有率ηとが所定の関係を満足することにより、周波数温度特性が常に動作温度範囲内で極大値と極小値との間に変曲点を有し、かつＩＤＴライン占有率ηの製造ばらつきによる変曲点温度の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲におけるＳＡＷデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有する。オイラー角ψが４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°のとき、ＩＤＴの電極指膜厚Ｈは、０．０５５μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍ、好ましくは０．０８０μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍの範囲内に設定する。オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるディスクリート型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための弾性表面波フィルタは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるトランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０Ａは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振する入力ＩＤＴ１２Ａ、出力ＩＤＴ１２Ｂと、前記ＩＤＴを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有し、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】周波数特性のばらつき、及び水晶基板との熱歪みや経年変化による周波数変動を抑制するとともに、電気機械結合係数を改善した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（φ＝０°、１１０°≦θ≦１５０°、８８°≦ψ≦９２°）とした水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に配置された複数の電極指１８を有し、励振波を弾性表面波としたＩＤＴ１２と、を有した弾性表面波共振子であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝３２が配置され、前記電極指１８が、前記溝３２の間、または前記溝の内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、λとＧ間で所定の関係式を有し、且つ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηと波長λ間でも所定の関係式を有し、更に、前記ＩＤＴにおける電極指の対数Ｎも所定の範囲を有する弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】二端子対ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂと、ＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有する二端子対ＳＡＷ共振子１０Ａであって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（−１．５°≦φ≦１．５°、１１７°≦θ≦１４２°、４１．９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）とする水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に発生させる弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の電極指７８を有しストップバンド上端モードの前記弾性表面波を発生させるＩＤＴ７２と、を有するＳＡＷ共振子７０であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝８４が形成され、前記電極指７８は、前記溝８４の内部底面に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ，θ，ψ）で、φを−６０°〜＋６０°の範囲で変化させた際の二次温度係数が良好となる範囲のθ，ψとした水晶基板３０の主面に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励振する複数の電極指１８の基端部をバスバー１６で接続した櫛歯状電極１４ａ，１４ｂからなるＩＤＴ１２及び前記ＩＤＴを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝３２を有する。また、前記電極指間溝の深さをＧ、波長をλとした場合に、０．０２λ≦Ｇ≦０．０４λとしたことを、前記ＩＤＴの電極指の幅と電極指間の幅の割合であるライン占有率ηを０．４９≦η≦０．７０とする。 （もっと読む）

【課題】一般的な共振回路において可変リアクタンス素子や可変インダクタンス素子を使用することなく、発振周波数やフィルタの周波数特性を制御し得る共振回路、及びかかる共振回路を使用した発振回路やフィルタ等を提供する。
【解決手段】水晶振動子等の圧電振動子やコイル、コンデンサあるいはそれらと等価的な素子を組み合わせた共振回路であって、互いに共振周波数の異なる少なくとも２つの共振回路を組み合わせ、夫々の共振回路の励振電流若しくは電圧を独立に変化させると、複合共振回路全体の反共振周波数を変動させることができる現象を利用して、その周波数特性を自在に調整し得る発振回路やフィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】温度が変化した場合でも、測定対象の状態を精度良く検知することができる弾性表面波センサ、センシングシステム、及び圧力測定方法を提供すること。
【解決手段】第１弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（圧力と温度の影響を含む）第１の演算値を求め、第３弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（温度のみの影響を含む）第２の演算値を求める。第２の演算値と温度による基板変化量のマップを用いて、第２の演算値を温度（のみ）による基板変化量に換算し、この温度による基板変化量から（圧力基準値に対応する）温度補正量を求め、温度補正量に第１の演算値を加えた加算値を求め、加算値から圧力及び温度による基板変化量を求める。そして、圧力及び温度による基板変化量から温度のみによる基板変化量を引くことにより、圧力のみによる基板変化量を求める。 （もっと読む）