【課題】圧電基板と支持基板とを樹脂製の接着層で接合した複合基板において、一度高温となった後に反りが残るのを防止する。
【解決手段】圧電基板１１の裏面と支持基板１２とを接合する絶縁樹脂製の接着層１３に、圧電基板１１の電荷を除去する導電性の除電粒子を含有させている。これにより、この複合基板１０及びそれを用いて形成された弾性表面波デバイスが一度高温となった後に反りが残るのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角（−1.5°≦φ≦1.5°，117°≦θ≦142°，42.79°≦｜ψ｜≦49.57°）の水晶基板３０を用い、ＳＡＷを励振するＩＤＴ１２およびこれを挟む一対の反射器２０と、電極指１８間の水晶基板３０を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、0.01λ≦Ｇを満たし、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηとが−2×Ｇ／λ＋0.72≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.01λ≦Ｇ≦0.05λ）、および、−3.5898×Ｇ／λ＋0.7995≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.05λ＜Ｇ≦0.0695λ）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ＡＴカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角（０±２°、３５〜４０°、０±２°）によってカット形成された水晶基板１２と、この水晶基板１２の表面に板波を励振させる少なくとも１つの櫛形励振電極１３と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜１４とを備え、位相速度が４５００〜６０００ｍ／ｓの範囲にある板波の温度特性が２５℃付近に変曲点を持つ略３次温度特性になるように櫛形励振電極１３と周波数調整膜１４の膜厚を調整した。 （もっと読む）

【課題】小型で通過帯域特性を向上した弾性表面波フィルタを提供することを目的としている。
【解決手段】弾性波フィルタは、圧電基板と、圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と、複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続される第１、及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１の配線電極は入力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第２の配線電極は出力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であると共に、第１の配線電極５０１は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成である。 （もっと読む）

【課題】温度変化などの環境の変化に伴う弾性波の伝播特性の変動の少ない弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、圧電基板１と、前記圧電基板上に設けられた櫛形電極２と、前記櫛形電極を覆い、アルゴンを含有する酸化ケイ素膜３と、前記酸化ケイ素膜上に設けられた酸化窒化ケイ素膜４と、を備え、前記酸化ケイ素膜の膜厚Ｈと前記圧電基板を伝播する弾性波の波長λはＨ／λ≧０．１５の関係を満たし、前記酸化窒化ケイ素膜の膜厚は３ｎｍ以上である構成を有する。 （もっと読む）

【課題】所定の通過域の周波数帯が広く、通過域での挿入損失量が少ないバンドパスフィルタ装置の提供。
【解決手段】ハイパス用弾性表面波共振子１１１とハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続の第一のハイパス用インダクタ素子１１２とからなるハイパスフィルタ回路部１１０と、一端がハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続された第一の弾性表面波共振子１２１と一端が第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子１２２と第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子１２４と一端が第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子１２３と第三の弾性表面波共振子に並列に接続された第二のローパス用インダクタ素子１２５とからなるローパスフィルタ回路部１２０とを備え、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とが接続された構成。 （もっと読む）

【課題】入力側ＩＤＴ電極、出力側ＩＤＴ電極及びこれら電極間に介設されたグレーティング型の電極を備えた弾性波フィルタにおいて、波長が基本波の波長の半分である２倍波の出力側ＩＤＴ電極への伝搬を抑えること。
【解決手段】長さ方向における互いの中心線同士の離間距離がλ／４となり、且つ各々の幅寸法の等しい２本のグレーティング電極指１７が隙間領域を介して配置されたダブル電極構造３１を弾性波の伝搬方向に沿って設けると共に、このダブル電極構造３１がλ／２の配列間隔で配置された主反射領域３２と、ダブル電極構造３１が３／４λの配列間隔で配置された補助反射領域３３と、を連続して設ける。 （もっと読む）

【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波素子において、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制する弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子１２は、圧電基板１３と、圧電基板１３の上に配置されたＩＤＴ電極１４と、ＩＤＴ電極１４に接続された内部電極１５と、ＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８と、支柱体１６と天板１８とを覆う絶縁保護体１９と、絶縁保護体１９の上に配置される外部電極２０と、絶縁保護体１９の上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターン２１と、絶縁保護体１９を貫通するように設けられ、外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスにおける横モードによる不要振動を低減する
【解決手段】弾性波デバイス１は、基板２と、基板２上に形成された誘電体膜４と、基板２と誘電体膜４との間に設けられるＩＤＴ電極３ａ、３ｂとを備える。基板２および誘電体膜４の少なくとも一方が圧電体であり、ＩＤＴ電極３ａ、３ｂは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指３ａ−２、３ｂ−２を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するＩＤＴ電極までの間のギャップ部において、誘電体膜４の膜厚が変化している。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。
η０＝−７０．００００（Ｈ／λ）²＋４．６０００（Ｈ／λ）＋０．３２５４ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスチップ間のアイソレーション特性を向上させること。
【解決手段】基板１０と、前記基板上にフリップチップ実装された複数の弾性波デバイスチップ２０、２２と、前記複数の弾性波デバイスチップの一部の側面から前記基板までを金属を用い封止する封止部１８と、を具備し、前記複数の弾性波デバイスチップの内少なくとも１つにおいて、前記封止部に接する少なくとも１つの側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ２が、前記封止部に接しない側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ１より長いことを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子の動作精度をより向上させ、ひいては球状弾性表面波素子を利用した種々の装置の動作精度をより向上させる。
【解決手段】電気音響変換素子２２の中心Ｃが、表面領域１６において＋Ｙ結晶軸との交点から最大径の外周線１４の延出方向に１５度以内の範囲内にあり、さらに、水晶またはランガサイトが、右旋性である場合は、前記音響変換素子２２の中心Ｃが、前記表面領域１６において前記＋Ｙ結晶軸との交点から前記最大径の外周線１４に対し＋Ｚ方向に１度以上３度以内の角度で回転した位置にあり、一方、前記水晶またはランガサイトが、左旋性である場合は、前記音響変換素子２２の中心Ｃが、前記表面領域１６において前記＋Ｙ結晶軸との交点から前記最大径の外周線１４に対し−Ｚ方向に１度以上３度以内の角度で回転した位置にある球状弾性表面波素子１０である。 （もっと読む）

【課題】耐モールド圧力性に優れ、かつ、低背化・小型化された圧電部品を低コストで製造する。
【解決手段】圧電基板２と、該圧電基板の主面に形成された櫛歯電極３と、該櫛歯電極及び該櫛歯電極に隣接して配設された配線電極の上面に形成された絶縁層８と、該絶縁層の上面に形成された再配線層９と、該再配線層の上面から、前記櫛歯電極を除き、その全面を覆う無機材料からなる保護膜層と、該保護膜層上にナノフィラーを添加した感光性樹脂フィルムを積層して形成した外囲壁部４と、該外囲壁部の開口先端部にナノフィラーまたはマイカフィラーを添加した感光性樹脂フィルムを積層して形成した天井部５と、該外囲壁部及び天井部を貫通して形成した電極柱６と、からなり、ここで、ナノフィラーを添加した前記感光性樹脂フィルムが、平均粒径が１．０ｎｍ以下の無機材料からなるナノフィラーが添加され、かつ弾性率が３．０ＧＰａ以上である感光性樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）

【課題】高い良品率で容易に製造し得る弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されている第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第３の媒質１３と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に設けられているＩＤＴ電極１６と、第３の媒質１３と第２の媒質１２との間に設けられている光触媒層１７とを備えている。第３の媒質１３は、第１及び第２の媒質１１，１２よりも遅い音速を有する。光触媒層１７は、光触媒を含む。光触媒は、第２の媒質１２を構成している誘電体と第３の媒質１３を構成している誘電体とのうちの少なくとも一方を改質させる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴカット弾性表面波共振子と比べて小型の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、水晶基板１０上に形成され、ＳＨタイプの弾性表面波の位相伝搬方向に沿った周期λｉ内に対数が２対以上、本数が４本以上の電極指２０２，２０３が配置されたすだれ状電極２０と、水晶基板１０上において位相伝搬方向におけるすだれ状電極２０の両側にそれぞれ配置されるように形成され、位相伝搬方向に沿った周期λｒ内のメタライゼーションレシオηｒが（λｉ／λｒ）×ηｒ≧０．６の関係式を満足する電極指３００，３０１が配置された反射器３０，３１とを備える。すだれ状電極２０と反射器３０，３１とは、導電性重金属を主成分とする金属からなり、すだれ状電極２０の電極厚みＨと周期λｉとの比Ｈ／λｉは、０．０１４以上０．０２６以下である。 （もっと読む）

【課題】角型性の良好なヒステリシス特性を有しないことで信頼性を向上させた圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｐｂ（Ｚｒ_ＸＴｉ_ＹＮｂ_Ｚ）Ｏ_３で示され、以下の関係、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１
０≦Ｙ≦０．２５
０．０５≦Ｚ≦０．２５
が成立することを特徴とする圧電体である。 （もっと読む）