【課題】圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極の周囲に絶縁膜が形成されており、耐電力性に優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３を含む電極が形成されており、該電極が形成されている領域の周囲に絶縁膜６が形成されており、ＩＤＴ電極３の電極指３ａの下方部分において、電極指３ａの幅が圧電基板２に近づくにつれて狭くなっており、絶縁膜６が、電極指３ａの幅方向寸法が狭くなっている下方部分に入り込むように形成されている、弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスにおいて温度特性のばらつきを抑制しかつ量産に適した小型化を可能にする。
【解決手段】 オイラー角表示で（０°，θ，０°＜｜ψ｜＜９０°）、好ましくは（０°，θ，９°＜｜ψ｜＜４６°）、より好ましくは（０°，９５°＜θ＜１５５°，３３°＜｜ψ｜＜４６°）の面内回転ＳＴカット水晶板からなる水晶基板１１の主面に、ＳＡＷの波長λに対してＨ／λ≦０．０８５となる厚さＨの交差指電極１２ａ，１２ｂからなるシングル型のＩＤＴ１３を形成する。これにより、ストップバンドの上限モードで励振させ、製造上のばらつきを含めて、使用温度範囲（０〜７０℃）で周波数変動幅Δｆabを２５ｐｐｍ以下に抑えた良好な温度特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波利用で、レイリー波スプリアスの影響を抑圧する弾性表面波装置の提供。
【解決手段】（０°±５°，θ，ψ）のＬｉＮｂＯ_３基板２上にＣｕを主体で、ＩＤＴ電極３を含む電極形成領域を除く領域に、第１の酸化ケイ素膜６が形成され、電極及び第１の酸化ケイ素膜６を覆う様に、第２の酸化ケイ素膜７が形成され、電極密度が、第１の酸化ケイ素膜の密度の１．５倍以上で、かつオイラー角（０°±５°，θ，ψ）のψが、１０°〜３０°の範囲内で、θ及びψは、ＩＤＴ電極膜厚が０．０５λの時、ハッチング付与領域範囲内にあり、０．０５λ以外の時、前記領域を、下記式で表われるθ_ｘに変換して得られた領域内にある、弾性表面波装置。
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【課題】１つのＳＡＷ共振片を使用して異なる周波数の信号を出力し、インピーダンス素子でＳＡＷ共振片の周波数変化量と制御電圧の関係を調整するＳＡＷ発振器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、第１ＩＤＴ１４および第２ＩＤＴ１６を圧電基板上に直列配設したＳＡＷ共振片１２と、第１ＩＤＴ１４に入力される信号の位相と第２ＩＤＴ１６に入力される信号の位相とを同じまたは異にするスイッチ部３０と、第１ＩＤＴ１４および第２ＩＤＴ１６に信号を供給する発振段３６と、ＳＡＷ共振片１２に接続されたインピーダンス素子４０とを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】面内回転した回転ＳＴカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、５次高調波動作させた新しい形式の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】圧電体平板上に１個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した一対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、すだれ状電極における電極指の前記Ｘ方向の幅寸法をＬＴとし、配列周期長に対する線幅比ＬＴ／ＰＴが（１／２±１／１２）の範囲であり、反射器におけるＸ方向の幅寸法をＬＲとし、配列周期長ＰＲに対する線幅比ＬＲ／ＰＲが（１／２±１／１２）の範囲であり、前記寸法ＰＲに対してＰＴの関係がＰＲ＜ＰＴであり、前記弾性表面波の速度Ｖと動作周波数ｆの関係がｆ＝５Ｖ／（２ＰＴ）である弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】３次モードによるスプリアスを抑制する一方で、４次モードによるスプリアスを
も抑制できるフィルタを提供する。
【解決手段】第１の縦結合ＤＭＳ共振器Ａと第２の縦結合ＤＭＳ共振器Ｂとが並列に接続
されたフィルタである。第１の縦結合ＤＭＳ共振器Ａは、ＩＤＴ電極２（ａ）、３（ａ）
が間引き法によって重み付けされている。また、第２の縦結合ＤＭＳ共振器Ｂは、ＩＤＴ
電極２（ｂ）、３（ｂ）が間引き法によって重み付けされており、第１の縦結合ＤＭＳ共
振器Ａと逆相の関係にあり、２次モードの周波数が第１の縦結合ＤＭＳ共振器Ａの１次モ
ードの周波数と一致し、４次モードの周波数が第１の縦結合ＤＭＳ共振器Ａの４次モード
の周波数と一致する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板に圧電薄膜を形成した表面波装置において、スプリアスが小さく、温度特性が良好であり、かつレイリー波の電気機械結合係数Ｋ² を拡大し得る表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ、θ、ψ）において、φが−２．５°±５°、θが１１６°±５°及びψが＋２．５°±５°の範囲にある水晶基板２と、前記水晶基板２上に形成された圧電薄膜５と、前記圧電薄膜５に接するように形成されたくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂとを備え、前記水晶基板２のオイラー角が、図６におけるレイリー波のパワーフロー角ＰＦＡが±２．５°となる範囲にあり、図７における表面波装置の周波数温度係数ＴＣＦが±５ｐｐｍ／℃となる範囲にあり、前記圧電薄膜５の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、圧電薄膜５の規格化膜厚Ｈ／λが０．０５以上とされており、かつ、前記圧電薄膜５の周波数温度係数ＴＣＦがマイナスの値を有する、表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】水晶基板の切断において、切断屑をほとんど排出しない水晶基板の切断方法を提
供する。
【解決手段】水晶基板１の切断方法は、レーザ加工装置２０にセットされた水晶基板１の
厚みを測定する工程と、フェムト秒レーザであるレーザ光２３の水晶基板１内の集光点４
５を調整する工程と、切断予定位置にそって改質領域５０を形成するために、レーザ光２
３を走査する工程とを有する。レーザ光２３を走査する工程は、水晶基板１の厚み方向に
集光点４５を順に３回移動させて、厚み方向の全面に改質領域５０を形成する。 （もっと読む）

表面波で作動する変換器を提示する。変換器は複数のセルに分けられる。このセルの長さは実質的に波長である。この変換器は第２のセルタイプのセルと、第１のセルタイプの少なくとも１つのセルを含む。ここでこの第２のセルタイプのセルはＳＰＵＤＴセルであり、１００％の励起強度を有する。第１のセルタイプのセルは少なくとも４つの励起中心を有する。ここで、隣接する２つの、異なった極性を有する電極指の間に励起中心が配置されており、ここで第１のセルタイプのセルは最大で３０％の励起強度を有する。
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【課題】 絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ_３で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】水晶板をストップバンドの上限モードで励振する場合に、スプリアスを主共振から所定周波数以上遠ざけることができるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子片は、水晶板の表面にすだれ状電極からなるＩＤＴが設けてある。水晶板は、オイラー角表示で（０°，θ，０°≦｜ψ｜≦９０°）となっている。弾性表面波素子片は、ＩＤＴにより水晶板に生成された弾性表面波の波長をλ、ＩＤＴの電極指の膜厚をＨ、電極指の対数をＮとした場合、０．０９≦Ｈ／λ≦０．１１、かつ、Ｎ≦−２０００００×（Ｈ／λ）^２＋３７０００×（Ｈ／λ）−１５７０の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に少なくとも２つのＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて配置したＳＡＷデバイスにおいて、デバイスサイズを大型にすることなく通過特性を改善することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１の主面上にＩＤＴ電極２、３を所定の間隔をあけて配置し、中心周波数をｆｏ（Ｈｚ）、ＩＤＴ電極２、３の交差長をＷ（ｍｍ）、ＩＤＴ電極２、３間の距離をＤ（ｍｍ）とした時、０＜（Ｗ／Ｄ）×ｆｏ／１０^９≦０．６に設定する。 （もっと読む）

【課題】二次相が発生せず、組成の均一な結晶を育成できるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法、及びこれを用いた圧電デバイス用基板を提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の化学量論組成を含まない組成領域（点Ａ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇで囲まれる組成範囲）から、点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で原料を秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を引き上げ育成する。 （もっと読む）

【課題】マルチブレードを持ち、生産性の向上と品質維持とを達成できるダイシング装置およびダイシング方法を提供する。
【解決手段】スピンドル１に複数枚のブレード３〜５を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付ける。各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きい。スピンドル１を回転させながら厚みが厚くかつ径が小さいブレード３で被加工物Ｗをハーフカットし、次に被加工物Ｗをスピンドルの軸方向にブレードのピッチＳ分だけ相対移動させ、厚みが薄くかつ径が大きいブレード４，５で既にハーフカットされた被加工物Ｗを更にハーフカットあるいはフルカットする。 （もっと読む）

【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を配置して第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して３つのＩＤＴ電極を配置して第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第１及び第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ１と第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ３とを互いに異ならせたことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を配置して第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して３つのＩＤＴ電極を配置して第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第１及び第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチｐ１と第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチｐ２とを互いに異ならせた弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は，
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含み、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層は、擬立方晶表示において（１００）配向でエピタキシャル成長しており、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の（１００）面は、Ｒ面サファイア基板１１のＲ面（１−１０２）に対して、［１１−２０］方向ベクトルを回転軸として傾いている。 （もっと読む）

【課題】高次横モードを効果的に抑圧でき、かつ回折劣化を抑制でき、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性に優れた表面波装置を提供する。
【解決手段】表面波基板上に第１，第２のバスバー２２，２３と、第１及び／または第２のバスバー２２，２３に電気的に接続された複数本の電極指とを有するＩＤＴ２１が形成されており、第１，第２のバスバー２２，２３が、反射係数が小さい格子領域を有する、表面波装置。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ装置を形成する圧電ウエハの温度特性並びに電気特性を改善する。特にこれらの良好な特性と共に静電破壊等を防ぐことが出来る信頼性に優れた圧電ウエハを簡便な方法で製造する。
【解決手段】共に圧電性材料からなる第一ウエハと第二ウエハとを備え、第一ウエハと第二ウエハとを同極面同士が接合されるように貼り合せて一体化した複合圧電ウエハである。第一ウエハの厚さは０.１λ〜１．５λである。両ウエハを一体化するには直接接合又は表面活性化接合による。第一ウエハには、焦電特性の改善処理、添加物の添加および体積抵抗率を３．６×１０¹⁰ 〜１．５×１０¹⁴Ω・ｃｍとすることが望ましい。 （もっと読む）