【課題】周波数の温度係数および／または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。
【解決手段】第１の音響波速度ＶＬをもつ導波路層ＷＬと、該導波路層に直接隣接し、第２の音響波速度ＶＭ１を有する第１の外套層Ｍ１とを有しており、導波路で音響波を励起するために電極Ｅ１を備えており、波速度について式ＶＬ＜ＶＭ１が成り立っており、導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、導波路層ＷＬは二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有している。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＡＷからなる弾性表面波を利用するためにタンタル酸リチウム製の圧電基板上にＩＤＴ電極を配置した弾性表面波素子において、この弾性表面波素子の周波数帯域が２ＧＨｚ以上もの高周波数帯域であっても伝搬損失を小さく抑える。
【解決手段】４５〜４６°回転Ｙ−Ｘ板からなるタンタル酸リチウムを圧電基板１０として用いると共に、ＩＤＴ電極２の膜厚ｈを７．５％λ〜８％λに設定すると共に、ＩＤＴ電極２における電極指６群について、電極指の幅寸法及び互いに隣接する電極指間の離間寸法に於いて、幅寸法と離間寸法との和で幅寸法を除した値で表されるライン占有率を０．５５〜０．６５に設定する。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とが接合されていても、クラックや割れなどが発生せず、しかも周波数温度特性が良好な弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 ＬｉＴａＯ_３製の圧電基板２にＳｉ製の支持基板３が、接着剤４を介して接合された弾性表面波素子１であって、圧電基板２の厚さが、４０〜５０μｍに設定され、接着剤４の厚さが、２０μｍ以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】周波数調整を容易に行うことが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２及び反射電極１４と、櫛型電極１２及び反射電極１４を覆って設けられた、元素がドープされた酸化シリコン膜（例えば、ＳｉＯＦ膜１８）を少なくとも含む第１媒質２０と、を備え、第１媒質２０に含まれる元素がドープされた酸化シリコン膜は、アンドープの酸化シリコン膜よりも音速の遅い膜である弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】特性を安定させることができる、保護膜を備えた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１１は、（ａ）基板１２にＩＤＴ電極２１が形成された弾性波素子と、（ｂ）弾性波素子を覆うように形成される保護膜１５とを備える。弾性波素子は、ＩＤＴ電極２１を含む基板１２上に形成されたＳｉＯ_２膜１３をさらに備え、保護膜１５がＳｉＯ_２膜１３の上から形成されている。保護膜１５に、ＩＤＴ電極２１により励起される弾性波のエネルギーが分布している。保護膜１５は、珪素と窒素を主成分とする窒化シリコン（ＳｉＮ_Ｘ）膜であり、珪素と窒素との組成比を１：Ｘで表すとき、Ｘが０．２を超え、１．００未満である。 （もっと読む）

【課題】好適にスプリアスを抑制できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、基板３と、基板３の上面３ａに位置するＩＤＴ電極５とを有する。ＩＤＴ電極５は、互いに対向する第１バスバー２１Ａおよび第２バスバー２１Ｂと、第１バスバー２１Ａから第２バスバー２１Ｂ側へ延びる複数の第１電極指２３Ａと、第２バスバー２１Ｂから第１バスバー２１Ａ側へ延び、複数の第１電極指２３Ａと交差する複数の第２電極指２３Ｂとを有する。互いに隣接する第１電極指２３Ａと第２電極指２３Ｂとの交差幅に関して、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６が満たされる。 （もっと読む）

【課題】減衰域よりも高周波数帯域側に通過帯域を設定したハイパス型のノッチフィルタにおいて、前記通過帯域における挿入損失を抑えること。
【解決手段】入力ポート５と出力ポート６との間に２つのＳＡＷ共振子１１、１２からなる直列回路を直列に配置すると共に、これらＳＡＷ共振子１１、１２間にインダクタ素子１５を並列に接続する。そして、ＳＡＷ共振子１１（１２）に対して、容量素子２１（２２）及び補助インダクタ素子３１（３２）からなる直列回路を並列に接続する。更に、補助インダクタ素子３１（３２）のインダクタンス値が０．５ｎＨ〜１．６ｎＨとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板表面の弾性表面波を利用するフィルタや共振子などの弾性表面波デバイスに関して、弾性表面波デバイスの封止と、周波数温度特性の改善とを一度に行うことができる弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板１と、圧電基板５と、前記圧電基板の一方主面に形成されている櫛型電極６と、前記櫛型電極と同一の主面に設けられている電極パッド７とを有し、前記実装基板上にフェイスダウンボンディングにより実装されている弾性表面波素子２と、前記弾性表面波素子の主面及び側面を固定して封止する封止部３とを備える弾性表面波デバイス１０であって、前記封止部は、前記圧電基板よりも線膨張係数の低い材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】縦モード共振型フィルタを用いてバンドパスフィルタを構成するにあたり、通過帯域内におけるリップルの発生を抑えながら、通過帯域の広域化を図ること。
【解決手段】３つのフィルタ部１〜３を入力ポート２１と出力ポート２２との間に並列に接続し、第１のフィルタ部１の高域側の共振点ｆ_２１と、第２のフィルタ部２の低域側の共振点ｆ_１２とを互いに重ね合わせると共に、第２のフィルタ部２の高域側の共振点ｆ_２２と、第３のフィルタ部３の低周波数側の共振点ｆ_１３と、を互いに重ね合わせる。そして、第１のフィルタ部１及び第３のフィルタ部３では出力ポート２２から取り出される電気信号の位相が互いに同位相となり、一方第２のフィルタ部２では出力ポート２２から取り出される電気信号の位相がこれら第１のフィルタ部１及び第３のフィルタ部３とは逆位相となるようにする。 （もっと読む）

【課題】反射係数が高くかつ温度係数の低い弾性波素子を提供する。
【解決手段】
ＳＡＷ素子１は、圧電基板１と、圧電基板１の上面３ａに配置されたＩＤＴ電極５と、ＩＤＴ電極５の上面に配置された絶縁材料からなるスペーサー１８と、スペーサー１８の上面に配置された付加膜９と、付加膜９が配置されたＩＤＴ電極５を圧電基板１のうちＩＤＴ電極５から露出する部分とともに覆い、上面３ａからの厚みが圧電基板１の上面３ａから付加膜９の上面までの厚み以上であるＳｉＯ_２からなる絶縁層１１とを有する。付加膜９は、ＩＤＴ電極５の材料，スペーサーの材料１８およびＳｉＯ_２よりも音響インピーダンスが大きく、スペーサー１８よりも密度が大きく、かつＩＤＴ電極５の材料およびＳｉＯ_２よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができ、さらに放熱性にも優れるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板２に穴３が形成され、かつ基板外部よりＬｉが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料１。 （もっと読む）

【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるＳＡＷ素子、このＳＡＷ素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に形成されたＩＤＴ電極２０と、水晶基板１０の主面１１に形成され、ＩＤＴ電極２０と隣り合う反射器３０，３１と、水晶基板１０の主面１１に形成されると共に、一端がＩＤＴ電極２０と接続されたスパイラルインダクター４０と、を備え、スパイラルインダクター４０は、水晶基板１０に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板１１０を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板１１０上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備える。ＩＤＴ電極を形成する工程は、Ａｌ層１２４Ａを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板１１０上に形成することと、Ａｌ層１２４Ａの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｂの形成を行ない、更にＡｌ層１２４Ｂの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｃの形成を行ないＡｌ層を所定の厚さにすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】テーパー型の弾性波フィルタにおいて、圧電基板の寸法を小さく抑えつつ、入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極を各々一つずつ配置した従来のフィルタよりもインピーダンスを高める。
【解決手段】入力側ＩＤＴ電極１２同士及び出力側ＩＤＴ電極１３同士が各々同じ構成のフィルタ部３１、３２を配置すると共に、一方のフィルタ部３１のＩＤＴ電極１２、１３間に他方のフィルタ部３２の入力側ＩＤＴ電極１２を配置する。この時、フィルタ部３１、３２において、一方のフィルタ部３１を他方のフィルタ部３２に対して２つの長辺４、４のうちいずれかの長辺４側に配置している。そして、入力側ＩＤＴ電極１２、１２同士及び出力側ＩＤＴ電極１３、１３同士が信号ポート２０と接地ポート２３との間に各々直列に接続されるように、高周波数側のバスバー１４、１４同士を導電路４１（４２）により互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスにおいて、フィルタとしての十分な帯域を維持しつつ、温度に対する周波数特性の安定化を図る。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成されて所定波長λのレイリー波を主要弾性波として励起するＩＤＴ電極と、前記圧電基板および前記ＩＤＴ電極を覆うように形成された誘電体膜とを備える弾性波デバイスであって、前記誘電体膜は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部の電極指の鉛直上方に凸部を有し、前記ＩＤＴ電極の電極指の延伸方向に垂直な断面において、前記誘電体膜の上端縁の最も低い部分を通る水平線より上方の前記凸部を含む領域の面積である、当該凸部の１つ当たりの断面積は、０．０１２５λ²以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴを用いてバースト信号の遅延時間変化より力学量を検地する表面弾性波力学量センサにおける位相誤測定を解決する。
【解決手段】ベース基板１０３と、前記ベース基板１０３の一方の面に接合され、前記ベース基板１０３との間に気密封止されたキャビティを形成する封止基板１０５と、前記ベース基板１０３に接合され、前記キャビティ内に配設された面内圧電等方性を有する圧電性基板１０１と、前記圧電性基板１０１の前記ベース基板１０３に接する面と反対の面上に形成されたＩＤＴ１０７と、を備え、前記ＩＤＴ１０７は、円弧形状に形成されると共に、各電極指が同心円状に形成され、前記封止基板１０７￥５は、前記キャビティ側の面上に突起部１０４を有するとともに、前記突起部１０４の先端は、前記同心円の中心に接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位相反転用のインダクタからなる直列腕と減衰域に対応する周波数で直列共振を起こす素子部からなる並列腕とを備えたノッチフィルタにおいて、これら直列腕及び並列腕を基板上に実装した場合であっても、減衰域における特性の劣化を抑えること。
【解決手段】内部領域に導電路３４の形成されたパッケージ基板５上にインダクタ１１及びＳＡＷ共振子１２（圧電基板４）を配置して、この導電路３４を介してＳＡＷ共振子１２を接地する。そして、前記ＳＡＷ共振子１２と前記接地ポート３との間に、前記減衰域に対応する周波数において前記導電路３４のインダクタ成分と直列共振が起こるように容量値の設定された容量成分３７を接続して直列共振回路２１を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ_３基板の上に、ＩＤＴ電極を覆うように厚み０．２５λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性表面波装置１は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１０と、圧電基板１０の上に形成されたＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１を覆うように圧電基板１０の上に形成された誘電体層１２とを備えている。ＩＤＴ電極１１の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに誘電体層１２の厚みは、０．２λ以上である。 （もっと読む）

【課題】線形性能の高い分波器を提供すること。
【解決手段】受信端子Ｔｒｘとアンテナ端子Ｔａｎｔとの間に接続され、弾性波共振器である１または複数の直列共振器を含む、受信帯域を有する受信用フィルタ１０と、送信端子Ｔｔｘと前記アンテナ端子との間に接続され、弾性波共振器を含む、送信帯域を有する送信用フィルタ２０と、を具備し、前記受信用フィルタの前記１または複数の直列共振器のうち前記アンテナ端子に最も近い直列共振器Ｓ１１の共振周波数は、前記受信帯域の上端周波数より高い分波器。 （もっと読む）