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Fターム[5J097KK01]の内容

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【課題】周波数の温度係数および/または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。
【解決手段】第1の音響波速度VLをもつ導波路層WLと、該導波路層に直接隣接し、第2の音響波速度VM1を有する第1の外套層M1とを有しており、導波路で音響波を励起するために電極E1を備えており、波速度について式VL<VM1が成り立っており、導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、導波路層WLは二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有している。 (もっと読む)


【課題】LSAWからなる弾性表面波を利用するためにタンタル酸リチウム製の圧電基板上にIDT電極を配置した弾性表面波素子において、この弾性表面波素子の周波数帯域が2GHz以上もの高周波数帯域であっても伝搬損失を小さく抑える。
【解決手段】45〜46°回転Y−X板からなるタンタル酸リチウムを圧電基板10として用いると共に、IDT電極2の膜厚hを7.5%λ〜8%λに設定すると共に、IDT電極2における電極指6群について、電極指の幅寸法及び互いに隣接する電極指間の離間寸法に於いて、幅寸法と離間寸法との和で幅寸法を除した値で表されるライン占有率を0.55〜0.65に設定する。 (もっと読む)


【課題】Q値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するIDTが設けられた弾性表面波共振子において、IDTは、中央部に配置された第1領域と、第1領域の両側に配置された第2領域および第3領域とを備え、第1領域では周波数が一定であり、第2領域および第3領域ではIDTの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第1領域における周波数をFa、第2領域における端部の周波数をFbM、第3領域における端部の周波数をFcN、としたとき、0.9815<FbM/Fa<0.9953、かつ、0.9815<FcN/Fa<0.9953、である。 (もっと読む)


【課題】圧電基板と支持基板とが接合されていても、クラックや割れなどが発生せず、しかも周波数温度特性が良好な弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 LiTaO製の圧電基板2にSi製の支持基板3が、接着剤4を介して接合された弾性表面波素子1であって、圧電基板2の厚さが、40〜50μmに設定され、接着剤4の厚さが、20μm以上に設定されている。 (もっと読む)


【課題】周波数調整を容易に行うことが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板10上に設けられた櫛型電極12及び反射電極14と、櫛型電極12及び反射電極14を覆って設けられた、元素がドープされた酸化シリコン膜(例えば、SiOF膜18)を少なくとも含む第1媒質20と、を備え、第1媒質20に含まれる元素がドープされた酸化シリコン膜は、アンドープの酸化シリコン膜よりも音速の遅い膜である弾性波デバイスである。 (もっと読む)


【課題】特性を安定させることができる、保護膜を備えた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置11は、(a)基板12にIDT電極21が形成された弾性波素子と、(b)弾性波素子を覆うように形成される保護膜15とを備える。弾性波素子は、IDT電極21を含む基板12上に形成されたSiO膜13をさらに備え、保護膜15がSiO膜13の上から形成されている。保護膜15に、IDT電極21により励起される弾性波のエネルギーが分布している。保護膜15は、珪素と窒素を主成分とする窒化シリコン(SiN)膜であり、珪素と窒素との組成比を1:Xで表すとき、Xが0.2を超え、1.00未満である。 (もっと読む)


【課題】好適にスプリアスを抑制できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】SAW素子1は、基板3と、基板3の上面3aに位置するIDT電極5とを有する。IDT電極5は、互いに対向する第1バスバー21Aおよび第2バスバー21Bと、第1バスバー21Aから第2バスバー21B側へ延びる複数の第1電極指23Aと、第2バスバー21Bから第1バスバー21A側へ延び、複数の第1電極指23Aと交差する複数の第2電極指23Bとを有する。互いに隣接する第1電極指23Aと第2電極指23Bとの交差幅に関して、全ての交差幅の中での最大交差幅をa、最小交差幅をbとしたときに、0.01≦(a−b)/(a+b)≦0.066が満たされる。 (もっと読む)


【課題】減衰域よりも高周波数帯域側に通過帯域を設定したハイパス型のノッチフィルタにおいて、前記通過帯域における挿入損失を抑えること。
【解決手段】入力ポート5と出力ポート6との間に2つのSAW共振子11、12からなる直列回路を直列に配置すると共に、これらSAW共振子11、12間にインダクタ素子15を並列に接続する。そして、SAW共振子11(12)に対して、容量素子21(22)及び補助インダクタ素子31(32)からなる直列回路を並列に接続する。更に、補助インダクタ素子31(32)のインダクタンス値が0.5nH〜1.6nHとなるようにする。 (もっと読む)


【課題】圧電基板表面の弾性表面波を利用するフィルタや共振子などの弾性表面波デバイスに関して、弾性表面波デバイスの封止と、周波数温度特性の改善とを一度に行うことができる弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板1と、圧電基板5と、前記圧電基板の一方主面に形成されている櫛型電極6と、前記櫛型電極と同一の主面に設けられている電極パッド7とを有し、前記実装基板上にフェイスダウンボンディングにより実装されている弾性表面波素子2と、前記弾性表面波素子の主面及び側面を固定して封止する封止部3とを備える弾性表面波デバイス10であって、前記封止部は、前記圧電基板よりも線膨張係数の低い材料から構成されている。 (もっと読む)


【課題】縦モード共振型フィルタを用いてバンドパスフィルタを構成するにあたり、通過帯域内におけるリップルの発生を抑えながら、通過帯域の広域化を図ること。
【解決手段】3つのフィルタ部1〜3を入力ポート21と出力ポート22との間に並列に接続し、第1のフィルタ部1の高域側の共振点f21と、第2のフィルタ部2の低域側の共振点f12とを互いに重ね合わせると共に、第2のフィルタ部2の高域側の共振点f22と、第3のフィルタ部3の低周波数側の共振点f13と、を互いに重ね合わせる。そして、第1のフィルタ部1及び第3のフィルタ部3では出力ポート22から取り出される電気信号の位相が互いに同位相となり、一方第2のフィルタ部2では出力ポート22から取り出される電気信号の位相がこれら第1のフィルタ部1及び第3のフィルタ部3とは逆位相となるようにする。 (もっと読む)


【課題】反射係数が高くかつ温度係数の低い弾性波素子を提供する。
【解決手段】
SAW素子1は、圧電基板1と、圧電基板1の上面3aに配置されたIDT電極5と、IDT電極5の上面に配置された絶縁材料からなるスペーサー18と、スペーサー18の上面に配置された付加膜9と、付加膜9が配置されたIDT電極5を圧電基板1のうちIDT電極5から露出する部分とともに覆い、上面3aからの厚みが圧電基板1の上面3aから付加膜9の上面までの厚み以上であるSiOからなる絶縁層11とを有する。付加膜9は、IDT電極5の材料,スペーサーの材料18およびSiOよりも音響インピーダンスが大きく、スペーサー18よりも密度が大きく、かつIDT電極5の材料およびSiOよりも弾性波の伝搬速度が遅い材料からなる。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができ、さらに放熱性にも優れるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板2に穴3が形成され、かつ基板外部よりLiが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1。 (もっと読む)


【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるSAW素子、このSAW素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】SAW素子1は、水晶基板10と、水晶基板10の主面11に形成されたIDT電極20と、水晶基板10の主面11に形成され、IDT電極20と隣り合う反射器30,31と、水晶基板10の主面11に形成されると共に、一端がIDT電極20と接続されたスパイラルインダクター40と、を備え、スパイラルインダクター40は、水晶基板10に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】弾性波デバイスにおいて、フィルタとしての十分な帯域を維持しつつ、温度に対する周波数特性の安定化を図る。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成されて所定波長λのレイリー波を主要弾性波として励起するIDT電極と、前記圧電基板および前記IDT電極を覆うように形成された誘電体膜とを備える弾性波デバイスであって、前記誘電体膜は、前記IDT電極の少なくとも一部の電極指の鉛直上方に凸部を有し、前記IDT電極の電極指の延伸方向に垂直な断面において、前記誘電体膜の上端縁の最も低い部分を通る水平線より上方の前記凸部を含む領域の面積である、当該凸部の1つ当たりの断面積は、0.0125λ2以下である。 (もっと読む)


【課題】IDTを用いてバースト信号の遅延時間変化より力学量を検地する表面弾性波力学量センサにおける位相誤測定を解決する。
【解決手段】ベース基板103と、前記ベース基板103の一方の面に接合され、前記ベース基板103との間に気密封止されたキャビティを形成する封止基板105と、前記ベース基板103に接合され、前記キャビティ内に配設された面内圧電等方性を有する圧電性基板101と、前記圧電性基板101の前記ベース基板103に接する面と反対の面上に形成されたIDT107と、を備え、前記IDT107は、円弧形状に形成されると共に、各電極指が同心円状に形成され、前記封止基板107¥5は、前記キャビティ側の面上に突起部104を有するとともに、前記突起部104の先端は、前記同心円の中心に接触していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板110を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板110上にIDT電極を形成する工程とを備える。IDT電極を形成する工程は、Al層124Aを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板110上に形成することと、Al層124Aの形成を中断した後に再びAl層124Bの形成を行ない、更にAl層124Bの形成を中断した後に再びAl層124Cの形成を行ないAl層を所定の厚さにすることとを含む。 (もっと読む)


【課題】テーパー型の弾性波フィルタにおいて、圧電基板の寸法を小さく抑えつつ、入力側IDT電極及び出力側IDT電極を各々一つずつ配置した従来のフィルタよりもインピーダンスを高める。
【解決手段】入力側IDT電極12同士及び出力側IDT電極13同士が各々同じ構成のフィルタ部31、32を配置すると共に、一方のフィルタ部31のIDT電極12、13間に他方のフィルタ部32の入力側IDT電極12を配置する。この時、フィルタ部31、32において、一方のフィルタ部31を他方のフィルタ部32に対して2つの長辺4、4のうちいずれかの長辺4側に配置している。そして、入力側IDT電極12、12同士及び出力側IDT電極13、13同士が信号ポート20と接地ポート23との間に各々直列に接続されるように、高周波数側のバスバー14、14同士を導電路41(42)により互いに接続する。 (もっと読む)


【課題】位相反転用のインダクタからなる直列腕と減衰域に対応する周波数で直列共振を起こす素子部からなる並列腕とを備えたノッチフィルタにおいて、これら直列腕及び並列腕を基板上に実装した場合であっても、減衰域における特性の劣化を抑えること。
【解決手段】内部領域に導電路34の形成されたパッケージ基板5上にインダクタ11及びSAW共振子12(圧電基板4)を配置して、この導電路34を介してSAW共振子12を接地する。そして、前記SAW共振子12と前記接地ポート3との間に、前記減衰域に対応する周波数において前記導電路34のインダクタ成分と直列共振が起こるように容量値の設定された容量成分37を接続して直列共振回路21を構成する。 (もっと読む)


【課題】LiNbO基板の上に、IDT電極を覆うように厚み0.25λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧する。
【解決手段】弾性表面波装置1は、LiNbOからなる圧電基板10と、圧電基板10の上に形成されたIDT電極11と、IDT電極11を覆うように圧電基板10の上に形成された誘電体層12とを備えている。IDT電極11の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに誘電体層12の厚みは、0.2λ以上である。 (もっと読む)


【課題】線形性能の高い分波器を提供すること。
【解決手段】受信端子Trxとアンテナ端子Tantとの間に接続され、弾性波共振器である1または複数の直列共振器を含む、受信帯域を有する受信用フィルタ10と、送信端子Ttxと前記アンテナ端子との間に接続され、弾性波共振器を含む、送信帯域を有する送信用フィルタ20と、を具備し、前記受信用フィルタの前記1または複数の直列共振器のうち前記アンテナ端子に最も近い直列共振器S11の共振周波数は、前記受信帯域の上端周波数より高い分波器。 (もっと読む)


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