【課題】高域側フィルタ素子及び低域側フィルタ素子を備え、これらフィルタ素子の帯域外減衰特性を改善する。
【解決手段】本発明の弾性表面波装置は、圧電基板300の一方主面に低域側の送信用フィルタ素子ＴＸ及び高域側の受信用フィルタ素子ＲＸが形成され、送信用フィルタ素子ＴＸ及び受信用フィルタ素子ＲＸは、回路基板200の上面にフェースダウンで実装されている。受信用フィルタ素子ＲＸの接地電極322は回路基板200に形成された３本の直線状貫通導体221′に接続されておりインダクタンスは小さく、送信用フィルタ素子ＴＸの接地電極312は回路基板200に形成されたクランク状貫通導体211′に接続されインダクタンスは大きい。 （もっと読む）

【課題】付加インピーダンスを用いて減衰極を形成し、ＳＡＷフィルタの周波数特性を高性能化し得る有極型ＳＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】二端子対回路のＳＡＷ共振器を用いた共振器形ＳＡＷフィルタと二端子対回路のインピーダンスの直列接続により構成される有極型ＳＡＷフィルタであって、前記二端子対回路のインピーダンスにより減衰極を形成し、急峻な周波数特性を有するとともに、前記二端子対回路のインピーダンスＺ_4AP にインダクタＬ₄₀とキャパシタＣ₄₀を用いるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 ＧＰＳ受信機のＲＦ用ＳＡＷデバイスの要求規格を満たす手段を得る。
【解決手段】 オイラー角（０°±４°，１４４．１°〜１６０．０°，０°±４°）のタンタル酸リチウム基板の上に少なくとも１つのＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側に配置したグレーティング反射器とを備えたＳＡＷデバイスであって、前記ＩＤＴ電極及びグレーティング反射器をアルミニウムあるいはアルミニウム合金で形成し、その基準化電極膜厚Ｈ／λ（Ｈは電極膜厚、λは波長）を０．１０から０．１４の範囲に設定して構成する。 （もっと読む）

本発明は、縦方向に結合されており、非対称的な電気的なポートおよび対照的な電気的ポートを有する入力変換器および出力変換器を備えた表面波共振器フィルタに関する。入力変換器は相互に並列に接続されており、また非対称的な電気的なポートの信号端子と接続されている。入力変換器はそれぞれ２つの出力変換器の間に配置されており、これらの２つの出力変換器は相互に並列に接続されており、また対称的な電気的なポートの端子に接続されている。中央に配置されている２つの出力変換器は一緒にいわゆるＶスプリット変換器を形成し、２つの出力変換器に共通する電流レールは、音響的なトラックの中心とは反対側において反射性に作用するフィンガを用いて、隣接する入力変換器の前述の電流レールとは反対側にあるアースレールに接続されている。本発明によるフィルタは良好な対称性および整合において挿入損失が少ないという利点を有する。
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高い周波数における共振子のＱ値を向上し、このような共振子を用いたフィルタの挿入損失、及びフィルタの急峻度を向上する。 圧電基板の上に、インターディジタルトランスデューサとその両側に反射電極とを設けた弾性表面波共振子を複数個並列接続し、並列接続された弾性表面波共振器の共振周波数を、並列接続されたもの同士すべて同じにするものであり、このようにすることにより、共振のＱ値が向上でき、またこの弾性表面波共振子を用いて弾性表面波フィルタを構成することにより、挿入損失、急峻度の改善を図る。 （もっと読む）

圧電基板上に複数の縦結合共振子型弾性波フィルタ素子を形成し、これらをカスケード接続して構成した弾性波フィルタにおいて、縦結合共振子型弾性波フィルタ素子間のカスケード接続線に入る寄生容量の悪影響を軽減することで、カスケード接続点のインピーダンス整合を改善し、弾性波フィルタ入出力端のＶＳＷＲを改善する。 圧電基板３００上に弾性波の伝搬方向に沿って形成された３つのＩＤＴ３０２，３０３，３０４；３０８，３０９，３１０をそれぞれ含む２つの縦結合共振子型弾性波フィルタ３０６，３１２をカスケード接続した弾性波フィルタ３５０において、縦結合共振子型弾性波フィルタ３０６，３１１の少なくとも一方について、カスケード接続されたＩＤＴ３０２，３０４；３０８，３１０の電極指ピッチを、他の前記ＩＤＴ３０３；３０９電極指ピッチよりも小さくする。 （もっと読む）

使用温度範囲において、十分な大きさの減衰量及び帯域幅を得ることを可能とする分波器を提供する。 通過帯域が相対的に低く、かつ第１の温度特性改善薄膜が設けられている第１のフィルタ１１と、通過帯域が相対的に高く、第２の温度特性改善薄膜が設けられている第２のフィルタ１２とを備え、第１のフィルタの周波数温度係数が第２のフィルタの周波数温度係数よりも大きくなるように第１，第２の温度特性改善薄膜の膜厚が異ならされている、分波器１。 （もっと読む）

圧電基板（１２）上に櫛型電極およびグレーティング反射器で構成された弾性表面波共振子（１５〜２０）を複数接続して構成であって、上記弾性表面波共振子（１５〜２０
）のうち、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されており、少なくとも１つの弾性表面波共振子の表面には誘電体膜（１４）が形成されていない構成からなる。これにより、帯域内挿入損失が小さく、また急峻性が良好で、かつ帯域の広いＳＡＷフィルタを得ることができる。 （もっと読む）

圧電基板（１１）と、圧電基板（１１）の表面に設けた複数個の電極指（１２）で構成されるＩＤＴ（１３）と、このＩＤＴ（１３）の両端部に近接して設けた反射器（１４）とを備え、上記ＩＤＴ（１３）は両端部の複数の電極指（１２）の電極指ピッチを、このＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチと異ならせたグラデーション領域を有し、このグラデーション領域の電極指ピッチはグラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指からグラデーション領域のもう一方の端部の電極指にかけて電極指ピッチを順次変化させるとともに、グラデーション領域の一方に位置する最端部の電極指の電極指ピッチを上記ＩＤＴ（１３）の中央付近の電極指ピッチの１〜５％小さくした構成からなる。 （もっと読む）

十分な減衰量を得ることができ、加えて、低損失かつ広帯域であるフィルタ装置を提供する。 通過帯域の相対的に低い第１のバンドパスフィルタまたは通過帯域が相対的に高い第２のバンドパスフィル
タとを含む通信システムの第１のバンドパスフィルタとして用いられるフィルタ装置であって、入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕に直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３が挿入されており、直列腕と基準電位とを結ぶ並列腕にそれぞれ、並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２が接続されており、少なくとも１つの並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２に直列にインダクタンスＬ１，Ｌ２が接続されており、インダクタンスＬ１，Ｌ２の挿入により生じた副共振の共振周波数が、該ラダー型フィルタに対して相手側のフィルタである受信側または送信側帯域フィルタの通過帯域内またはその近傍に位置されている、フィルタ装置１。 （もっと読む）

圧電基板（２０１）上に、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とを形成することにより構成され、第１のＩＤＴ（２０２）は入出力端子の一方
の端子（２０４）と入出力端子の他方の端子（２０５）との間、すなわち信号経路に直列に配置され、第２のＩＤＴ（２０３）は入出力端子の一方の端子（２０４）と第１のＩＤＴ（２０２）との間から信号経路に対して並列に配置される。さらに、第１のＩＤＴ（２０２）と第２のＩＤＴ（２０３）とはそれぞれの共振器により励起される弾性表面波の同一伝播路上で近接して配置される。 （もっと読む）

本発明は、これまでの公知の表面弾性波（ＳＡＷ）トランスデューサに比べて伝搬特性の高いエッジ急峻度のもとで群遅延時間の周波数応答が格段に改善された表面波で作動するトランスデューサに関する。このトランスデューサは、ＳＰＵＤＴセルをベースに構成されており、この変換器構造においては２つのセルが設けられている。これらのセルは縦方向で異ならせてスケーリングを施される以外は同じようにデザインされている。スケーリングレベルに応じて音響波の局所フェーズは本発明のトランスデューサが用いられるフィルタの通過帯域における群遅延時間の周波数特性における脈動率が最大でも５０ｎｓとなるように作用する。
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弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス用の一方向変換器。一実施形態では、このデバイスは、（１）伝搬のＳＡＷの方向に垂直な開回路反射器が配置される圧電基板上の定められた領域、および定められた領域内に配置され、対向するバス・バーに接続された低反射率変換器電極のペアであって、ＳＡＷ伝搬の方向に垂直で、電極のペアの励起中心が反射器からＳＡＷの中心周波数のレイリー波長の約７／８のところに配置されるように位置決めされた、低反射率変換器電極のペアを含む。

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本発明は表面音響波によって動作する変換器に関する。この変換器においては妨害的な横方向のモードが抑制される。このことは、音響的なトラックおよびこのトラックに接する外部領域によって形成される導波体の音波の励起プロフィールと横方向の基本モードとの相互的な適合によって達成される。この適合は音響的なトラックを励起領域と端部領域に分割することによって行われ、それぞれの端部領域の幅は横方向の基本モードの約１／４波長であり、また横方向の基本モードの波数は励起領域において０である。本発明の有利な実施形態においては、励起領域を横方向において相互に直列および／または並列に接続されている部分トラックに分割することによって、横方向の座標に依存する励起強度を達成することができ、この励起強度は基本モードに最適に適合されている。
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【課題】 トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域内特性を平坦化する手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に２つのＩＤＴ電極を所定の間隔をおいて配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタであって、ＩＤＴ電極の一方を反射機能を有する電極周期λＲの基本区間と、反射機能を有しない電極周期λＳの基本区間とを用いて形成すると共に電極周期λＲ及びλＳを互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、低損失、広帯域で急峻なスカート特性を要する弾性表面波装置を提供することを目的としている。
【解決手段】圧電性基板１０上に、伝搬特性に方向性を有する一方向性電極構造のＳＰＵＤＴ３，４，７，８，１１，１２，１４，１５を互いに伝搬方向が逆方向になるように対向配置してなるＲＳＰＵＤＴ５，９，１３，１６によって構成されるトランスデューサを、並列に接続している。 （もっと読む）

【課題】 通過帯域外の減衰量を大きくしたＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電基板１上に三電極縦モード型ＳＡＷフィルタ素子４と、ラダー型フィルタ素子６を形成し、パッケージ９内に収納し、この三電極縦モード型ＳＡＷフィルタ素子４とラダー型ＳＡＷフィルタ素子６は縦続接続されており、三電極縦モード型ＳＡＷフィルタ素子４とラダー型ＳＡＷフィルタ素子６のアース端子１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄをパッケージ９のアース端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄとそれぞれ電気的に接続するとともに、アース端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄをパッケージ９内の一ヵ所において電気的に接続した構成である。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板上に複数のＳＡＷ共振子を配置して構成するラダー型ＳＡＷフィルタの減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配して形成するＳＡＷ共振子を、複数個配設して構成するラダー型ＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極及び前記グレーティング反射器の電極指幅ＬとスペースＳとの関係を０．５５≦Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）≦０．７５としたラダー型ＳＡＷフィルタである。 （もっと読む）

【課題】 トランスバーサルＳＡＷフィルタの帯域幅を拡大すると共に減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 トランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極の少なくとも１つを電極間引き法を用いてメインローブ、第１サイドローブ及び第２サイドローブで形成し、メインローブの基本区間数をＬ、メインローブを置換する逆方向ＳＰＵＤＴの区間数をＮ１とするとき、０．０８Ｌ＜Ｎ１＜０．６Ｌの範囲内に選ぶ。 （もっと読む）