【課題】特定の周波数において、一定量の減衰量を確保すること。
【解決手段】ラダー型に接続された複数の直列共振器Ｓ１−Ｓ４および複数の並列共振器Ｐ１−Ｐ４と、前記複数の直列共振器のうち少なくとも１つの直列共振器Ｓ１に並列に接続された第１インダクタＬ１と、を具備し、前記複数の並列共振器の一部Ｐ３ａは、前記複数の直列共振器と前記複数の並列共振器とが形成する通過帯域の外であって前記第１インダクタと前記少なくとも１つの直列共振器とが形成する第１減衰極１０の高周波数側に共振周波数ｆｒｐ３および反共振周波数ｆａｐ３を有し、前記複数の並列共振器の一部の少なくとも１つは、共振周波数の低周波数側に副共振の共振周波数ｆｒｐ３１を有するフィルタ。 （もっと読む）

【課題】 帯域外特性を改善できる弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 ＳＡＷフィルタを２組備えた共振型フィルタを備え、１組目のＳＡＷフィルタに形成される複数のグランド電極７ａ，７ｂをパッケージ４０の第１のグランド電極パッド３０ａにワイヤー１２ａ，１２ｂで接続し、２組目のＳＡＷフィルタに形成される複数のグランド電極８ａ，８ｂをパッケージ４０の第２のグランド電極パッド３０ｃにワイヤー１２ｃ，１２ｄで接続し、第１、第２のグランド電極パッド３０ａ，３０ｃが、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、各組のグランド電極のパターンを、接続するグランド電極パッド側に近づけるよう引き出した形状とした弾性表面波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】メアンダ構造のＩＤＴ電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いると共に通過域よりも低域側及び高域側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性波フィルタにおいて、減衰域にて良好な減衰特性を持つフィルタを提供する。
【解決手段】入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極として、入力ポート２１や出力ポートと接地ポート２３との間に複数のＩＤＴブロック１を互いに直列に接続したメアンダ構造の電極を各々配置すると共に、互いに隣接するＩＤＴブロック１、１間において電極指１７を取り除いて、不要な弾性波が励振することを抑える。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴの電極指の対数が異なる複数の弾性波共振子を直列腕共振子として有するラダー型フィルタにおいて、通過帯域高域側減衰量を大きくすることを可能とするラダー型フィルタを得る。
【解決手段】弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ９からなる複数の直列腕共振子と弾性波共振子Ｐ１〜Ｐ６を有する複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであって、少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ５のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチが、残りの少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ６のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチと異なっている、ラダー型フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性に優れ、さらに電気機械結合係数が高められた弾性表面波共振子を用いて形成されており、温度特性及び周波数特性を改善し得るチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｐ１〜Ｐ３に可変コンデンサが接続されている回路構成を備え、該弾性表面波共振子が、ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１１と、該圧電基板の上面１１ａの凹部１１ｂに充填された電極材料からなるＩＤＴ電極１２と、該圧電基板を覆うように設けられたＳｉＯ_２膜１５とを有する、チューナブルフィルタ１。 （もっと読む）

【課題】特性の劣化を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と、圧電基板１０上に設けられ、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６又は並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と接続された信号配線１６及び接地配線１８と、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６との間に空洞が形成されるように直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６上に設けられた金属天井２０と、金属天井２０上に設けられた封止部と、を具備し、少なくとも１つの金属天井は、高周波信号を伝送する信号配線１６と接続されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】高い抑圧度を持つフィルタを実現する。
【解決手段】分波器（１０）は、共通端子（Ａｎｔ）と、送信端子（Ｔｘ）と、受信端子（Ｒｘ）とを有し、共通端子（Ａｎｔ）と送信端子（Ｔｘ）との間に接続される送信フィルタ（１）と、共通端子（Ａｎｔ）と受信端子（Ｒｘ）との間に接続される受信フィルタ（２）と、共通端子（Ａｎｔ）と受信端子（Ｒｘ）との間に受信フィルタ（２）と直列に接続される移相回路（３）とを備え、移相回路（３）より共通端子（Ａｎｔ）または送信端子（Ｒｘ）に至る線路の一部と、移相回路（３）より受信端子（Ｒｘ）に至る線路の一部とがリアクタンスを介して結合されている。これにより、送信フィルタからの送信信号が受信回路に到達することを根本的に減滅させ、アイソレーションを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 コストや開発期間の増大や特性の劣化を招くことなく、インダクタンス成分を容易に調整可能として、所望の周波数特性を得ることができる弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 パッケージ２に、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１に接続可能で、櫛形電極１９からの線路長が異なるよう配置された複数のパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３と、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１２に接続可能で、櫛形電極１８からの線路長が異なるよう配置された複数のパッケージ側ＧＮＤ電極２４，２５，２６とを設け、並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンス値を所望の値とするよう、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１,１２と、各々対応する１つ又は複数のパッケージ側ＧＮＤ電極とが、フリップチップボンディングにより接続された弾性表面波デバイスとしている。 （もっと読む）

【課題】支持基板および素子基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合に生じるスプリアスを抑制することが可能な弾性波デバイスおよびモジュールを提供すること。
【解決手段】多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極１８と、を具備する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】縦型漏洩弾性表面波の伝搬減衰が小さな圧電基板、この圧電基板を利用した弾性表面波素子及び電子部品、前記圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】縦型漏洩弾性表面波を励振するための圧電基板１０は、圧電結晶中の一価陽イオンをプロトンと交換するプロトン交換処理が可能な圧電材料からなり、前記圧電材料をプロトン交換処理することにより形成されたプロトン交換層１１と、このプロトン交換層内のプロトンを前記一価陽イオンと交換する逆プロトン交換処理することにより、前記プロトン交換層の上層側に、圧電基板の表面に露出するように形成された逆プロトン交換層１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】好適にスプリアスを抑制できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、基板３と、基板３の上面３ａに位置するＩＤＴ電極５とを有する。ＩＤＴ電極５は、互いに対向する第１バスバー２１Ａおよび第２バスバー２１Ｂと、第１バスバー２１Ａから第２バスバー２１Ｂ側へ延びる複数の第１電極指２３Ａと、第２バスバー２１Ｂから第１バスバー２１Ａ側へ延び、複数の第１電極指２３Ａと交差する複数の第２電極指２３Ｂとを有する。互いに隣接する第１電極指２３Ａと第２電極指２３Ｂとの交差幅に関して、全ての交差幅の中での最大交差幅をａ、最小交差幅をｂとしたときに、０．０１≦（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）≦０．０６６が満たされる。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗をさほど悪化させることなく、サージ耐圧を高めることが可能とされているラダー型フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波共振子Ｐ５及び弾性波共振子Ｐ６が互いに直列に接続されており、少なくとも１つの弾性波共振子Ｐ５に並列に抵抗１４が接続されており、残りの弾性波共振子Ｐ６に抵抗が接続されていない弾性波装置を有し、入力端子と出力端子との間に延びる直列腕に設けられた複数の直列腕共振子と、前記直列腕とグラウンド電位との間に延びる少なくとも１つの並列腕に設けられた並列腕共振子とを備え、前記並列腕共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子が上記弾性波装置からなる、ラダー型フィルタ装置３。 （もっと読む）

【課題】通過帯域よりも低周波数側及び高周波数側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性表面波フィルタにおいて、前記減衰域において良好な減衰量を得ること。
【解決手段】２つのＳＡＷ共振子１１、１２を入力ポート５と出力ポート６との間に互いに並列に接続する。そして、周波数と減衰量との関係を示す特性図において、これらＳＡＷ共振子１１、１２の各々の減衰域に形成されるサイドローブの位置を互いに位置ずれさせるために、第１のＳＡＷ共振子１１の本数Ｎと、第２のＳＡＷ共振子１２の本数Ｎと、を互いに異なる本数に設定する。更に、このように本数Ｎを互いに異なる数量に設定したことに伴うインピーダンスの不整合を解消するために、これらＳＡＷ共振子１１、１２の互いの交差長Ｗを異なった寸法にする。 （もっと読む）

【課題】減衰域よりも高周波数帯域側に通過帯域を設定したハイパス型のノッチフィルタにおいて、前記通過帯域における挿入損失を抑えること。
【解決手段】入力ポート５と出力ポート６との間に２つのＳＡＷ共振子１１、１２からなる直列回路を直列に配置すると共に、これらＳＡＷ共振子１１、１２間にインダクタ素子１５を並列に接続する。そして、ＳＡＷ共振子１１（１２）に対して、容量素子２１（２２）及び補助インダクタ素子３１（３２）からなる直列回路を並列に接続する。更に、補助インダクタ素子３１（３２）のインダクタンス値が０．５ｎＨ〜１．６ｎＨとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 フィルタの挿入損失の低下及び小型化が可能な電子回路、及び当該電子回路を搭載した電子モジュールを提供すること。
【解決手段】 アンテナ端子２０に接続された、通過帯域の異なる複数のデュプレクサ（２３、２４）と、アンテナ端子２０と複数のデュプレクサ（２３、２４）のそれぞれとの間に接続された複数の弾性波フィルタ（４０、４１）と、を備え、複数の弾性波フィルタ（４０、４１）のうち第１弾性波フィルタ４０のフィルタ特性は、複数のデュプレクサ（２３、２４）のうち、第１弾性波フィルタ４０に接続された第１デュプレクサ２３の送信及び受信双方の通過帯域の信号を通過させ、複数のデュプレクサ（２３、２４）のうち、第１弾性波フィルタ４０とは異なる第２弾性波フィルタ４１に接続された第２デュプレクサ２４の送信及び受信双方の通過帯域の信号を抑圧するように設定されている電子回路、及び当該電子回路を含む電子モジュール。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯で用いることが可能であると共に、受信フィルタや分波器の受信端子数を削減することが可能な通信モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明は、アンテナ端子１１と受信端子１２との間に接続され、受信帯域がそれぞれ異なる複数の受信フィルタと、複数の受信フィルタのうち少なくとも２つの受信フィルタ１３、１４に共通に接続され、少なくとも２つの受信フィルタ１３、１４のうちの一つの受信フィルタの受信帯域を通過させる場合には、少なくとも２つの受信フィルタ１３、１４のうちの他の受信フィルタの受信帯域を抑圧域とする整合回路１５と、を備え、少なくとも２つの受信フィルタ１３、１４それぞれの受信端子１２は、整合回路１５を介して共通化されている通信モジュールである。 （もっと読む）

【課題】受信側フィルタの通過帯域における挿入損失を小さく抑えつつ、受信側フィルタの通過帯域の中心周波数ｆ_Ｒと送信側フィルタの通過帯域の中心周波数ｆ_Ｔとの差分に対応する周波数ｆ（ｆ＞０）を持つ妨害波が当該受信側フィルタに回り込むことを抑えること。
【解決手段】アンテナポート１と受信ポート３との間に互いに直列に設けられた第１の直列腕２１及び第２の直列腕２１との間の接続点とアースとの間に、補助インダクタ素子２５を設ける。そして、第１の直列腕２１の容量値、第２の直列腕２１の容量値及び補助インダクタ素子２５のインダクタンス値について、第１の直列腕２１、第２の直列腕２１及び補助インダクタ素子２５からなる構成が周波数ｆに減衰域が位置するハイパスフィルタとなるように夫々設定する。 （もっと読む）