説明

Fターム[5J097KK05]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 図面 (2,667) | 特性図 (1,117) | 膜厚特性図 (138)

Fターム[5J097KK05]に分類される特許

1 - 20 / 138


【課題】LSAWからなる弾性表面波を利用するためにタンタル酸リチウム製の圧電基板上にIDT電極を配置した弾性表面波素子において、この弾性表面波素子の周波数帯域が2GHz以上もの高周波数帯域であっても伝搬損失を小さく抑える。
【解決手段】45〜46°回転Y−X板からなるタンタル酸リチウムを圧電基板10として用いると共に、IDT電極2の膜厚hを7.5%λ〜8%λに設定すると共に、IDT電極2における電極指6群について、電極指の幅寸法及び互いに隣接する電極指間の離間寸法に於いて、幅寸法と離間寸法との和で幅寸法を除した値で表されるライン占有率を0.55〜0.65に設定する。 (もっと読む)


【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAWデバイス10は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板12と、基板12の表面22上の第1及び第2の電極パターン18、20により第1及び第2の共振器14、16が形成され、その上にプラスのTCFを有する誘電保護膜24が形成される。そして、第1及び第2の電極パターン18、20が個々の電極幅a1、a2を有するとともに異なる電極周期p1、p2をもって配置され、異なる電極周期p1、p2のそれぞれが電極周期p1、p2に対する電極幅a1、a2のそれぞれの比率と関連付けられる。 (もっと読む)


【課題】メアンダ構造のIDT電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いると共に通過域よりも低域側及び高域側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性波フィルタにおいて、減衰域にて良好な減衰特性を持つフィルタを提供する。
【解決手段】入力側IDT電極12及び出力側IDT電極として、入力ポート21や出力ポートと接地ポート23との間に複数のIDTブロック1を互いに直列に接続したメアンダ構造の電極を各々配置すると共に、互いに隣接するIDTブロック1、1間において電極指17を取り除いて、不要な弾性波が励振することを抑える。 (もっと読む)


【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さいワンチップ漏洩表面弾性波分波器を提供する。
【解決手段】直列腕共振器102−7、102−8、102−9と並列腕共振器103−5,103−6から成る梯子型バンドパスフィルタ107−1、および多重モード型共振器104−1、104−2,104−3、104−4から成る多重モード結合型バンドパスフィルタ107−2から構成される分波器101−1において、直列腕共振器102−7、102−8、102−9のメタライゼーションレシオを多重モード型共振器104−1、104−2,104−3、104−4のメタライゼーションレシオまたは並列腕共振器103−5,103−6のメタライゼーションレシオより大きい値に設定する。 (もっと読む)


【課題】周波数温度特性に優れ、さらに電気機械結合係数が高められた弾性表面波共振子を用いて形成されており、温度特性及び周波数特性を改善し得るチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子S1,S2,P1〜P3に可変コンデンサが接続されている回路構成を備え、該弾性表面波共振子が、LiTaOまたはLiNbOからなる圧電基板11と、該圧電基板の上面11aの凹部11bに充填された電極材料からなるIDT電極12と、該圧電基板を覆うように設けられたSiO膜15とを有する、チューナブルフィルタ1。 (もっと読む)


【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で3〜15波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 (もっと読む)


【課題】周波数調整を容易に行うことが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板10上に設けられた櫛型電極12及び反射電極14と、櫛型電極12及び反射電極14を覆って設けられた、元素がドープされた酸化シリコン膜(例えば、SiOF膜18)を少なくとも含む第1媒質20と、を備え、第1媒質20に含まれる元素がドープされた酸化シリコン膜は、アンドープの酸化シリコン膜よりも音速の遅い膜である弾性波デバイスである。 (もっと読む)


【課題】第1、第2伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第1、第2伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なSAWデバイスを提供する。
【解決手段】基板11の上面11aの一部に形成された結晶配向調整膜13と、基板11の上面11aにおける結晶配向調整膜13の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜12と、圧電薄膜12の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第1、第2伝搬路とを備え、圧電薄膜12のうち、結晶配向調整膜13の形成領域上に位置する第1領域12cと、結晶配向調整膜13の非形成領域上に位置する第2領域12dとは、結晶配向が異なっており、第1、第2伝搬路は、それぞれを占める第1、第2領域12c、12dの面積比が異なる構成とする。 (もっと読む)


【課題】 従来の多層膜技術の観点は耐電力性向上にあり、その特性、特に損失特性からの着眼は無く、むしろ多少の特性劣化が見込まれる場合も多かった。本願の目的は、従来とは異なり、多層膜化により積極的な特性向上、特に低損失化に好適な多層膜構造を提供する。
【解決手段】 弾性表面波基板上にすだれ状電極が形成され、そのすだれ状電極は、ALまたはCuを主材料とする主電極から形成され、さらに主電極の上に主材料とは異なる上部薄膜を配置し、上記主電極の膜厚を弾性表面波波長の7.7〜9.7%とする。 (もっと読む)


【課題】誘電体膜を被覆した弾性表面波素子において、フィルタとしての通過特性の劣化を抑制する。
【解決手段】圧電基板と、当該圧電基板上に形成される少なくとも1組のIDT電極と、当該圧電基板および当該IDT電極の少なくとも一部を被覆する誘電体膜とを備える弾性表面波素子であって、圧電基板は、オイラー角(−10°〜10°,125°〜140°,−10°〜10°)の範囲のカット角のリチウムタンタレート基板であり、誘電体膜は、二酸化珪素を主成分とし、少なくともIDT電極が有する複数の電極指が並ぶ領域を被覆する第1の誘電体膜、および、窒化珪素を主成分とし、当該第1の誘電体膜を被覆する第2の誘電体膜を含み、IDT電極の電極指上に伝搬する弾性表面波の音速が4000m/s〜4100m/sの範囲内である。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波を利用するために圧電基板上にIDT電極を配置した弾性表面波デバイスにおいて、このデバイスの周波数帯域が2GHz以上もの高周波数帯域であっても挿入損失を小さく抑えること。
【解決手段】2GHz以上もの周波数で縦波型リーキー波が圧電基板10上を伝搬するようにIDT電極2を構成したSAW共振子1において、電極指6の各々について、アルミニウム膜22と、当該アルミニウム膜22の下層側に設けられ、このアルミニウム膜22よりも弾性定数が大きいモリブデン膜21と、からなる積層膜23により構成すると共に、モリブデン膜21の膜厚h1を前記積層膜23の全体の膜厚の2/7に設定する。 (もっと読む)


【課題】高結合基板上にSAWトランスデューサまたはSAW共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 (もっと読む)


【課題】通過周波数帯域よりも高域側におけるサイドローブの生成を抑えながら、通過周波数帯域におけるピーク位置から3dB減衰した領域の帯域幅をBW3dB、この帯域幅BW3dBにおける中心周波数をfnとすると、比帯域幅BW3dB/fnが0.01〜0.02もの狭帯域の縦結合共振器型フィルタを提供すること。
【解決手段】圧電基板11を伝搬する弾性波の波長に対応する電極指15の周期単位λ及び電極指15のの膜厚hについて、膜厚比h/λが0.05〜0.085となるように設定すると共に、IDT電極12の合計の電極指15の対数Nについて、100≦N≦400に設定する。 (もっと読む)


【課題】電気的抵抗損失が少なく、電極膜厚を厚くしても大きな電気機械結合係数kを得ることを可能とするSH波を利用した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】上面と下面とを有し、上面に溝が形成されている水晶基板2と、前記溝内に充填されている金属層3aを有し、該金属層3aがアルミニウムよりも密度の重い金属からなるIDT電極4とを備え、SH波を利用している弾性表面波装置1。 (もっと読む)


【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さい縦波型漏洩弾性表面波(LLSAW)装置を提供する。
【解決手段】LLSAW装置のIDトランスデューサ14は、圧電基板1の上面に形成された複数の電極指3とそれらを連結するバスバー2とからなる一対の櫛形電極6A、6Bで構成され、電極指3が交互に間挿された櫛形電極6A、6Bの間に高周波信号が加えられている。電極指3の上面および互いに隣接する電極指3、3の間に位置する圧電基板1の上面には、誘電体膜5が形成されている。 (もっと読む)


【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子10は、圧電基板11の主表面12、及び裏面13は鏡面研磨が施されており、主表面12に入力インターディジタル電極14、出力インターディジタル電極15が設けられている。入力インターディジタル電極14から放射されたバルク波16は裏面13で反射されて出力インターディジタル電極15で受信される。さらに、入力インターディジタル電極14、もしくは出力インターディジタル電極15の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 (もっと読む)


【課題】表面ラフネスの増大や構造破壊を防止しつつ、共振周波数を上昇させることができるようにした圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子10を有する圧電振動デバイスの製造方法であって、前記弾性表波素子10の表面上に波の速度を高める機能膜4を形成する工程、を含む。また、前記機能膜4のヤング率は、励振電極2及び圧電体1の各ヤング率よりも大きく、且つ、前記機能膜4の密度は、前記励振電極2及び前記圧電体1の各密度よりも低い。これにより、質量付加効果による周波数低下の影響を抑えながら、弾性率上昇による周波数上昇を発現させ、弾性表面波素子の共振周波数を上昇させることができる。 (もっと読む)


【課題】動作温度範囲におけるSAWデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】SAWデバイス1は、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,ψ)の水晶基板2の主面に、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT3と、IDTの電極指6a,6b間に凹設した電極指間溝8とを有する。オイラー角ψが42.79°≦|ψ|≦49.57°のとき、IDTの電極指膜厚Hは、0.055μm≦H≦0.335μm、好ましくは0.080μm≦H≦0.335μmの範囲内に設定する。オイラー角ψが|ψ|≠90°×n、(n=0,1,2,3)のとき、電極指膜厚Hは0.05μm≦H≦0.20μmに設定する。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるトランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】SAWデバイス10Aは、オイラー角(−1°≦φ≦1°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、ストップバンド上端モードのSAWを励振する入力IDT12A、出力IDT12Bと、前記IDTを構成する電極指18間に位置する基板を窪ませた溝32を有し、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、


を満たし、かつ、前記IDTのライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】オイラー角(φ,θ,ψ)で、φを−60°〜+60°の範囲で変化させた際の二次温度係数が良好となる範囲のθ,ψとした水晶基板30の主面に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励振する複数の電極指18の基端部をバスバー16で接続した櫛歯状電極14a,14bからなるIDT12及び前記IDTを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝32を有する。また、前記電極指間溝の深さをG、波長をλとした場合に、0.02λ≦G≦0.04λとしたことを、前記IDTの電極指の幅と電極指間の幅の割合であるライン占有率ηを0.49≦η≦0.70とする。 (もっと読む)


1 - 20 / 138