【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性に優れ、さらに電気機械結合係数が高められた弾性表面波共振子を用いて形成されており、温度特性及び周波数特性を改善し得るチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｐ１〜Ｐ３に可変コンデンサが接続されている回路構成を備え、該弾性表面波共振子が、ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１１と、該圧電基板の上面１１ａの凹部１１ｂに充填された電極材料からなるＩＤＴ電極１２と、該圧電基板を覆うように設けられたＳｉＯ_２膜１５とを有する、チューナブルフィルタ１。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波を利用するために圧電基板上にＩＤＴ電極を配置した弾性表面波デバイスにおいて、このデバイスの周波数帯域が２ＧＨｚ以上もの高周波数帯域であっても挿入損失を小さく抑えること。
【解決手段】２ＧＨｚ以上もの周波数で縦波型リーキー波が圧電基板１０上を伝搬するようにＩＤＴ電極２を構成したＳＡＷ共振子１において、電極指６の各々について、アルミニウム膜２２と、当該アルミニウム膜２２の下層側に設けられ、このアルミニウム膜２２よりも弾性定数が大きいモリブデン膜２１と、からなる積層膜２３により構成すると共に、モリブデン膜２１の膜厚ｈ１を前記積層膜２３の全体の膜厚の２／７に設定する。 （もっと読む）

【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さい縦波型漏洩弾性表面波（ＬＬＳＡＷ）装置を提供する。
【解決手段】ＬＬＳＡＷ装置のＩＤトランスデューサ１４は、圧電基板１の上面に形成された複数の電極指３とそれらを連結するバスバー２とからなる一対の櫛形電極６Ａ、６Ｂで構成され、電極指３が交互に間挿された櫛形電極６Ａ、６Ｂの間に高周波信号が加えられている。電極指３の上面および互いに隣接する電極指３、３の間に位置する圧電基板１の上面には、誘電体膜５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１１の主表面１２、及び裏面１３は鏡面研磨が施されており、主表面１２に入力インターディジタル電極１４、出力インターディジタル電極１５が設けられている。入力インターディジタル電極１４から放射されたバルク波１６は裏面１３で反射されて出力インターディジタル電極１５で受信される。さらに、入力インターディジタル電極１４、もしくは出力インターディジタル電極１５の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるトランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０Ａは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振する入力ＩＤＴ１２Ａ、出力ＩＤＴ１２Ｂと、前記ＩＤＴを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有し、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角（−1.5°≦φ≦1.5°，117°≦θ≦142°，42.79°≦｜ψ｜≦49.57°）の水晶基板３０を用い、ＳＡＷを励振するＩＤＴ１２およびこれを挟む一対の反射器２０と、電極指１８間の水晶基板３０を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、0.01λ≦Ｇを満たし、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηとが−2×Ｇ／λ＋0.72≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.01λ≦Ｇ≦0.05λ）、および、−3.5898×Ｇ／λ＋0.7995≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.05λ＜Ｇ≦0.0695λ）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な弾性境界波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波フィルタ装置１は、第１〜第３の媒質１１〜１３と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第１のＩＤＴ電極１４と、第２の媒質１２と第３の媒質１３との間に形成されている第２のＩＤＴ電極１５とを備えている。第１及び第２の媒質１１，１２のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されていると共に、第２及び第３の媒質１２，１３のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されている。第２の媒質１２の音速は、第１及び第３の媒質１１，１３のそれぞれの音速よりも遅い。第１のＩＤＴ電極１４により励振された弾性境界波が第２のＩＤＴ電極１５により電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。
η０＝−７０．００００（Ｈ／λ）²＋４．６０００（Ｈ／λ）＋０．３２５４ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】漏洩弾性表面波を用いており、音速を高めることができ、高周波化を容易に果たすことができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＬｉＮｂＯ_３基板２上のＩＤＴ電極３を覆うように酸化ケイ素膜６が形成されており、酸化ケイ素膜６上に誘電体層７が形成されており、誘電体層７の横波音速が、ＬｉＮｂＯ_３における遅い横波音速よりも速く、誘電体層７の膜厚Ｈ３としたときに、漏洩弾性表面波の波長λで規格化してなる規格化膜厚Ｈ３／λが０．２５〜０．６の範囲にある弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】化学的ウエットエッチング方式が適用可能なオイラー角の水晶基板を用いた高周波共振器の提供。
【解決手段】水晶基板１上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極２又は該電極２と反射器３が配置され、該水晶基板１のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示（λ，μ，θ）で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。 （もっと読む）

【課題】ストンリー波による応答を抑圧でき、フィルタ特性が良好なラダー型フィルタを提供する。
【解決手段】１５°〜３０°ＹカットＬｉＮｂＯ_３基板からなる圧電基板２上に、ＩＤＴ電極７、ＩＤＴ電極を覆う酸化ケイ素層１０、その上に酸化ケイ素層１０よりも音速の速い誘電体層１１が形成された三媒質構造の弾性境界波共振子を用いて直列腕共振子及び並列腕共振子が構成されており、複数の弾性境界波共振子が、波長がλ１、伝搬角がψ１、デューティが（ｄｕｔｙ１）であり、λ１及びｄｕｔｙ１がψ１＝０°においてストンリー波の応答が極小値となるように構成されている第１の弾性境界波共振子と、波長がλ２、伝搬角がψ２、デューティが（ｄｕｔｙ２）であり、ψ２が１０°以上である第２の弾性境界波共振子とを有し、〔λ１≠λ２かつ０°≦ψ１＜ψ２〕または〔（ｄｕｔｙ１）≠（ｄｕｔｙ２）かつ０°≦ψ１＜ψ２〕であるラダー型フィルタ。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、電極指片２１ａ〜２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さｔが、０＜ｔ／λ≦３であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η＿ＩＤＴ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ＩＤＴ／λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η＿ｇ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ｇ／λ、とすると、η＿ＩＤＴ＝η＿ｇ＝０のときの周波数Ｆを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆと、前記ギャップ部での周波数変化ΔＦ＿ｇ／Ｆと、の関係が、ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆ＜ΔＦ＿ｇ／Ｆ、を満たす。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、複数の電極指片２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、これら複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、ＩＤＴ電極２０のラム波の伝搬方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、上記電極指片の交差領域（交差幅Ｗｉ）の水晶基板１０の厚さをｔｉ、交差領域の外端とバスバー電極２１ｄ，２２ｃとの間の領域の水晶基板の厚さをｔｇ、ラム波の波長をλとしたときに、ｔｉが０＜ｔｉ／λ≦３で表される範囲にあり、且つ、ｔｇ＜ｔｉの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性を改善することができ、かつ高次モードスプリアスを充分に抑圧することが可能とされている、弾性波装置を得る。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体２と、圧電体２上に積層されたＳｉＯ_２層６と、圧電体２とＳｉＯ_２層６との界面に設けられたＩＤＴ電極３とを備え、ＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（φ，θ，ψ）のφ及びθが、それぞれφ＝０°及び８０°≦θ≦１３０でありＳＨ波を主成分とする弾性波を用いる弾性波装置において、ψが、５°≦ψ≦３０°の範囲内にされている弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】ＡＴカット水晶振動子と同等かそれ以上の優れた周波数温度特性を有する弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、カット角がオイラー角（φ°，θ°，ψ°）による表示で（０±０．２５°，１１３〜１３５°，±（４０〜４９°））となる水晶基板２と、水晶基板２上に設けられ、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ３（櫛歯電極）と、ＩＤＴ３を水晶基板２とは反対側から覆うように設けられ、ＳｉＯ_２を主成分として構成されたＳｉＯ_２膜６とを有し、ＳｉＯ_２膜６の規格化膜厚ｈｓ／λ（ただし、ｈｓは、ＳｉＯ_２膜６の平均厚さ［ｎｍ］であり、λは、弾性表面波の波長［ｎｍ］である）が、０．００４６〜０．０２３３である。 （もっと読む）