【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスおよびＢＡＷデバイスの電気的性能を向上させる。
【解決手段】開示された実施形態は、シャープな部分を含む筐体によって形成されたキャビティ内に配置された電子デバイスを有するパッケージを含む。該パッケージは、該筐体上に塗布された感光層を含み、該シャープな部分に隣接するスムーズな部分を設けてもよい。該パッケージの製造方法も開示される。他の実施形態も記載され特許請求され得る。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲において温度特性が良好で、しかも、実装が容易で、小型化が可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 所定のオイラー角で切り出された水晶基板２の表面上に、一対の櫛型電極３からなる弾性表面波素子４が配設され、櫛型電極３を構成する平棒状の電極指３１の幅と配設ピッチとの比である幅ピッチ比が、電極指３１のＳＡＷ伝搬と直交方向において、複数異なるように櫛型電極３が形成され、各幅ピッチ比は、当該幅ピッチ比での周波数温度特性曲線において所定の頂点温度が得られるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とが接合されていても、クラックや割れなどが発生せず、しかも周波数温度特性が良好な弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 ＬｉＴａＯ_３製の圧電基板２にＳｉ製の支持基板３が、接着剤４を介して接合された弾性表面波素子１であって、圧電基板２の厚さが、４０〜５０μｍに設定され、接着剤４の厚さが、２０μｍ以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の分離面の欠陥層を選択的にエッチングして平坦化し、均一な膜厚の圧電薄膜を得る圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、圧電単結晶基板１の表面１２側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板１にイオン注入部分１００を形成する。次に、支持基板５０を圧電単結晶基板１に接合する。そして、圧電単結晶基板１と支持基板５０との接合体を加熱し、イオン注入部分１００を分離面とした分離を行う。ここで、支持基板５０に形成された圧電薄膜１０をアニールする。そして、圧電薄膜１０の分離面における欠陥層１３を選択的にエッチングして結晶層１１を露出させることで、圧電薄膜１０の分離面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスにおいて、フィルタとしての十分な帯域を維持しつつ、温度に対する周波数特性の安定化を図る。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成されて所定波長λのレイリー波を主要弾性波として励起するＩＤＴ電極と、前記圧電基板および前記ＩＤＴ電極を覆うように形成された誘電体膜とを備える弾性波デバイスであって、前記誘電体膜は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部の電極指の鉛直上方に凸部を有し、前記ＩＤＴ電極の電極指の延伸方向に垂直な断面において、前記誘電体膜の上端縁の最も低い部分を通る水平線より上方の前記凸部を含む領域の面積である、当該凸部の１つ当たりの断面積は、０．０１２５λ²以下である。 （もっと読む）

【課題】 弾性波デバイスにおけるフィルタ特性の安定及び信頼性の向上。
【解決手段】 圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。圧電基板１０上に櫛形電極１２を形成する工程と、櫛形電極１２の表面に、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。絶縁膜１６をＡＬＤ法により形成することで、フィルタ特性の安定及び信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲内（−４０℃から＋８５℃）における周波数変動量を１０ｐｐｍ以内とすることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数が−γ_１でありγ_１＞０である第１の共振子１４と、第１の共振子１４に接続され、３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数がγ_２でありγ_２＞０である第２の共振子１６とを備え、第１の共振子１４と第２の共振子１６との間における変曲点の差が１９℃以下であり、０＜｜γ_１｜≦｜２．４γ_２｜の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現するとともに、周波数のバラつきを抑制可能な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を含み、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、を備え、平面視で、前記電極指の間の位置に、前記水晶基板の窪である電極指間溝を配置し、前記電極指間溝の間に配置されている前記水晶基板の凸部のライン占有率をηｇ、前記凸部上に配置されている前記電極指のライン占有率をηｅとし、前記ＩＤＴの実効ライン占有率ηｅｆｆを前記ライン占有率ηｇと前記ライン占有率ηｅとの相加平均とした場合、下記式の関係を満たす。


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【課題】配線電極、アンダーバンプメタル層またはパッド電極におけるＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極層と、他の金属層との間の金属の拡散を抑制することができ、電極層間の接触抵抗が確実に低められた電極を備える電子部品を得る。
【解決手段】基板２上に電極が形成されており、該電極がＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１の電極層１２Ａと、第１の電極層１２Ａに積層されており、Ｃｕからなる第２の電極層１４Ａと、第２の電極層１４Ａの第１の電極層１２Ａとは反対側の面に積層されており、かつＴｉからなる第３の電極層１５Ａと、第３の電極層１５Ａの第２の電極層１４Ａとは反対側の面に積層されており、Ｔｉ以外の金属からなる第４の電極層１６Ａとを有する、電子部品。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲におけるＳＡＷデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有する。オイラー角ψが４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°のとき、ＩＤＴの電極指膜厚Ｈは、０．０５５μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍ、好ましくは０．０８０μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍの範囲内に設定する。オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性を維持しつつ、電気機械結合係数を改善して安定した発振性を発揮するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（φ＝０°，θ＝１２３°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧ及び電極指の膜厚ＨとＳＡＷの波長λが、１≦Ｇ／λ≦４、及び１≦Ｈ／λ≦４の関係を満足する。更に、ＩＤＴのライン占有率η及びオイラー角ψを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が０．０５２％以上かつ周波数温度特性が２０ｐｐｍ以下となるように決定する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３、その両側に配置した一対の反射器１４、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７、及び反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８を有する。電極指及び導体ストリップに直交する第１の方向（Ｘ´軸）と水晶基板の電機軸（Ｘ軸）とが角度ψをもって交差し、ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、１．０°≦α≦２．７５°の角度αをもって第１の方向と交差する第２の方向に配置される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ，θ，ψ）で、φを−６０°〜＋６０°の範囲で変化させた際の二次温度係数が良好となる範囲のθ，ψとした水晶基板３０の主面に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励振する複数の電極指１８の基端部をバスバー１６で接続した櫛歯状電極１４ａ，１４ｂからなるＩＤＴ１２及び前記ＩＤＴを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝３２を有する。また、前記電極指間溝の深さをＧ、波長をλとした場合に、０．０２λ≦Ｇ≦０．０４λとしたことを、前記ＩＤＴの電極指の幅と電極指間の幅の割合であるライン占有率ηを０．４９≦η≦０．７０とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】二端子対ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂと、ＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有する二端子対ＳＡＷ共振子１０Ａであって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（−１．５°≦φ≦１．５°、１１７°≦θ≦１４２°、４１．９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）とする水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に発生させる弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の電極指７８を有しストップバンド上端モードの前記弾性表面波を発生させるＩＤＴ７２と、を有するＳＡＷ共振子７０であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝８４が形成され、前記電極指７８は、前記溝８４の内部底面に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、パッケージ１２の底面に設けた接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の基端５０側とを接合させて、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載したものである。このとき、ＳＡＷ素子片４０は、接着剤２８が接合されている基端５０側に比べて先端５２を上方に傾けて、パッケージ１２に搭載されている。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止でき、またＳＡＷ素子片４０に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、λとＧ間で所定の関係式を有し、且つ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηと波長λ間でも所定の関係式を有し、更に、前記ＩＤＴにおける電極指の対数Ｎも所定の範囲を有する弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるトランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０Ａは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振する入力ＩＤＴ１２Ａ、出力ＩＤＴ１２Ｂと、前記ＩＤＴを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有し、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】温度が変化した場合でも、測定対象の状態を精度良く検知することができる弾性表面波センサ、センシングシステム、及び圧力測定方法を提供すること。
【解決手段】第１弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（圧力と温度の影響を含む）第１の演算値を求め、第３弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（温度のみの影響を含む）第２の演算値を求める。第２の演算値と温度による基板変化量のマップを用いて、第２の演算値を温度（のみ）による基板変化量に換算し、この温度による基板変化量から（圧力基準値に対応する）温度補正量を求め、温度補正量に第１の演算値を加えた加算値を求め、加算値から圧力及び温度による基板変化量を求める。そして、圧力及び温度による基板変化量から温度のみによる基板変化量を引くことにより、圧力のみによる基板変化量を求める。 （もっと読む）