【課題】低周波のノイズの影響に強いポジショナを提供する。
【解決手段】入力ラインＬ１と出力ラインＬ２との間に能動負荷Ｚとして可変インピーダンス回路ＺＢを設ける。可変インピーダンス回路ＺＢは、直流の電流信号に対するインピーダンスが低く、交流の電流信号に対するインピーダンスが高いという特性を有し、ラインＬ１，Ｌ２間に接続された抵抗Ｒ１とＲ２とＲ３との直列回路と、ラインＬ１にそのコレクタが接続され、そのベースが抵抗Ｒ２とＲ３との接続点に接続されたトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のエミッタとラインＬ２との間に接続された抵抗Ｒ４と、抵抗Ｒ２とＲ３との接続点にその一端が接続されたコンデンサＣ１と、コンデンサＣ１の他端とラインＬ２との間に接続された抵抗Ｒ５と、抵抗Ｒ１とＲ２との接続点にその一端が接続されたコンデンサＣ２と、コンデンサＣ２の他端とラインＬ２との間に接続された抵抗Ｒ２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 選択する容量の数に関わらずにそのオン抵抗を一定に保つことができる可変インピーダンス装置及びそれを用いた無線システムを提供する。
【解決手段】 一対の入出力端子１０１、１０２と、一対の入出力端子間に並列に接続された複数の回路ブロックＢＬ１〜ＢＬ４と、を備え、回路ブロックは、一対の入出力端子の一方に一端が接続された容量性回路要素Ｃ１〜Ｃ４と、容量性回路要素の他端と一対の入出力端子の他方との間に互い並列に接続された回路ブロックの数以上の数のスイッチ素子ＳＷ１−１〜ＳＷ４−４を備えるスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】状態切替時の通過位相差を抑えつつ、回路サイズを小さくすることができる可変減衰器を提供する。
【解決手段】可変減衰器は、第１の入出力端子１ａと、第２の入出力端子１ｂと、第１のスイッチング素子としての第１のＦＥＴ２ａと、第２のスイッチング素子としての第２のＦＥＴ２ｂと、第１の抵抗３ａと、第２の抵抗３ｂと、第３の抵抗３ｃと、第１のインダクタ４ａと、第２のインダクタ４ｂとを有している。第１のインダクタ４ａのインダクタンスは、動作周波数において第１のＦＥＴ２ａのオフ容量と共振するような値に予め設定されている。第２のインダクタ４ｂのインダクタンスは、動作周波数において第２のＦＥＴ２ｂのオフ容量６ｂと共振するような値に予め設定されている。 （もっと読む）

【課題】容量値の切り換えが可能なデカップリング回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、インバータ２１を有する。インバータ２１は、ゲート電極Ｇ１を有するｉ（ｉは１以上の整数）個のＰＭＯＳトランジスタ及びゲート電極Ｇ２を有するｊ（ｊは０以上の整数）個のＰＭＯＳトランジスタを有する。また、インバータ２１は、ゲート電極Ｇ３を有するｍ（ｍは１以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタ及びゲート電極Ｇ２を有するｎ（ｎは０以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタを有する。ゲート電極Ｇ１〜Ｇ４は、インバータ２１の入力端と接続される。ゲート電極Ｇ１及びＧ２の合計面積は、ゲート電極Ｇ３及びＧ４の合計面積と異なる。 （もっと読む）

【課題】減衰量の周波数依存性を改善することができる減衰器を提供すること。
【解決手段】減衰器１０は、ＦＥＴ１１〜１３、インダクタ１４及び１５、抵抗１６、入力端子１７、出力端子１８を備え、入力端子１７には、ＦＥＴ１１のドレイン電極と、ＦＥＴ１２のドレイン電極と、インダクタ１４の一方端とが接続され、出力端子１８には、ＦＥＴ１１のソース電極と、ＦＥＴ１３のドレイン電極と、インダクタ１５の一方端とが接続され、ＦＥＴ１１のドレイン電極とソース電極との間にインダクタ１４と、抵抗１６と、インダクタ１５とが直列に接続された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術の高インピーダンス回路は、温度変化等の影響を受けて、高いインピーダンスを維持することができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる高インピーダンス回路は、ダイオード接続されたトランジスタ２１，２２を備え、トランジスタ２１のバックゲートとトランジスタ２２のソースとが接続され、トランジスタ２２のバックゲートとトランジスタ２１のソースとが接続される。このような回路構成により、温度変化等の影響を抑え、高いインピーダンスを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の可変減衰器では、高周波信号を損失少なく通過させる基準状態と、所望の減衰量を得る減衰状態との間で、通過位相差を生じてしまうという課題があった。
【解決手段】 入出力間ＦＥＴ３と並列、定位相可変減衰器４と直列に位相補正用ＦＥＴ５を設置することで、入出力間ＦＥＴ３がオン状態のときは位相補正用ＦＥＴ５をオフ状態とし、入出力間ＦＥＴ３がオフ状態のときは位相補正用ＦＥＴ５をオン状態とすることによって、基準状態と減衰状態との間で通過位相を等しくすることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗を広い範囲で変化させることができる可変抵抗制御回路及び可変抵抗器を提供すること
【解決手段】本発明にかかる可変抵抗制御回路は、電源１０と、電源１０よりも低い電位を有する電源１１との間に設けられ、電源１０と接続される抵抗２１と、電源１０と、電源１１との間に設けられ、前記抵抗２１と直列に接続されるＭＯＳトランジスタ３１と、電源１０と、電源１１との間に設けられ、前記ＭＯＳトランジスタ３１と直列に接続されるＭＯＳトランジスタ３２と、抵抗２１とＭＯＳトランジスタ３１との節点における電圧と、制御電圧とに基づいて、ＭＯＳトランジスタ３２にゲート電圧を出力するオペアンプ４１とを備え、オペアンプ４１は、ゲート電圧に基づいて抵抗値が制御される外部の可変抵抗に対してゲート電圧を出力するものである。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小を図りつつ、出力信号に含まれるオフセットを減少させることが可能なフィルタ回路を提供する。
【解決手段】フィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に接続された第１のキャパシタと、前記出力端子と設定電位との間に接続されたバイアス回路と、を備え、前記バイアス回路は、前記出力端子と設定電位との間に接続された第１のＭＯＳトランジスタと、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートと前記出力端子との間に接続された第２のキャパシタと、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートに一端が接続され、第１のバイアス電位が他端に印加された抵抗素子と、を有する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増大を招くことなく、半導体材料に起因するｈｆｅのばらつきなどに影響されることのない安定した増倍率を確保する。
【解決手段】カレントミラー比が共に１：Ｎに設定された第１及び第２のカレントミラー回路２１，２２の各々の入力段の間に、第１及び第２のトランジスタ１，１３がトーテムポール接続により直列接続されて設けられ、この第１及び第２のトランジスタ１，１３の相互の接続点に抵抗器３の一端が接続され、抵抗器３の他端は、入力信号が印加可能とされ、第１及び第２のカレントミラー回路２１，２２の出力段は、相互に接続されて信号出力可能とされると共に、抵抗器３の他端に接続されて、信号入力端子８から見た抵抗器３の見かけ上の抵抗値が１／（１＋Ｎ）倍に見えるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体材料に起因するｈｆｅのばらつきなどに影響されることなく、安定した増倍率を確保する。
【解決手段】カレントミラー比が共に１：Ｎに設定された第１及び第２のカレントミラー回路２１，２２の各々の入力段の間に、第１及び第２のトランジスタ１，１３がトーテムポール接続により直列接続されて設けられ、この第１及び第２のトランジスタ１，１３の相互の接続点に容量３の一端が接続され、容量３の他端は、入力信号が印加可能とされ、第１及び第２のカレントミラー回路２１，２２の出力段は、相互に接続されて信号出力可能とされると共に、容量３の他端に接続されて、信号入力端子８から見た容量３の見かけ上の容量値が（１＋Ｎ）倍に見えるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】外部抵抗を備える半導体集積回路において、外部抵抗の抵抗値を容易に変更可能にする技術を提供する。
【解決手段】外部抵抗を備える半導体集積回路であって、半導体集積回路の入出力インピーダンスは、外部抵抗の抵抗値に基づいて調整され、外部抵抗は、その抵抗値として、複数の抵抗値の中から所望の抵抗値を選択できるように形成されていることを特徴とする半導体集積回路。 （もっと読む）

【課題】高周波で使用する１段当たりの可変減衰量が大きい可変減衰器を提供する。
【解決手段】可変減衰器は、ゲート、ドレイン、ソース、ボディを有するＭＯＳＦＥＴ１２と、減衰量制御回路１４と、温度補償回路２１とを備える。減衰量制御回路１４は、ゲート、及びドレイン、ソースに制御電圧を与える。温度補償回路２１は、ボディに温度補償電圧を与える。入力端子、出力端子は、それぞれＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン、ソースに接続する構成をとる。温度補償回路２１は、ＭＯＳＦＥＴ１２の動作温度に応じて、ボディに供給する電圧を制御して、ホディ電圧とゲート電圧との関係で入力端子及び出力端子間に流れる電流の抵抗値を調整する。 （もっと読む）

【課題】負電圧で動作可能であり、かつ出力電圧の温度変化が大きな特性が得られる温度補償バイアス回路を提供する。
【解決手段】プラス側電圧印加端子３にドレイン端子が接続し、温度が高くなるにつれてドレイン電流が増加する傾向を示す閾値電圧Ｖｔｈ付近の電圧範囲のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが印加されるトランジスタ４と、一端がトランジスタ４のソース端子に接続し、他端が抵抗６の一端に接続するダイオード５と、一端が抵抗６の他端に接続すると共に、他端がマイナス側電圧印加端子１に接続し、トランジスタ４のゲート端子が抵抗６との接続部に接続する抵抗７と、ダイオード５と抵抗６との接続部に接続して出力電圧が取り出される出力電圧端子２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ減衰器としての可変特性を所望に合わせ込んでそのばらつきを吸収することが可能なＭＯＳ抵抗制御装置、これを用いる無線送信機を提供すること。
【解決手段】ソースが第１の基準電位に接続されたＭＯＳトランジスタと、該ＭＯＳトランジスタのドレインと第２の基準電位との間に挿入・接続された第１の制御電流源と、第１、第２の入力端、および出力端を有し、該第１の入力端がＭＯＳトランジスタのドレインと第１の制御電流源との接続ノードに接続され、該出力端がＭＯＳトランジスタのゲートに接続されたオペアンプと、該オペアンプの第２の入力端に一端が接続されたインピーダンス素子と、該インピーダンス素子に一端の側から電流を入力する基準電流源と、インピーダンス素子に一端の側からさらに電流を入力する第２の制御電流源と、ＭＯＳトランジスタのドレインに電流を入力する第３の制御電流源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタＴｒのエミッタ電圧帰還効果により、交流電圧ＡＣに対して直流負荷Ｚｄｃを見かけ上で高インピーダンスとして、交流電圧ＡＣが直流負荷Ｚｄｃ側に印加されない交流直流電圧分離回路を提供する。
【解決手段】交流電圧ＡＣと直流電圧ＤＣが重畳された入力電圧が印加される回線１０に接続したコンデンサＣ１で取り出した交流電圧ＡＣを交流負荷Ｚａｃに印加する。回線１０にトランジスタＴｒのコレクタを接続してそのエミッタを直流負荷Ｚｄｃに接続し、コレクタとベース間に抵抗Ｒ１を介装し、ベースを第２のコンデンサＣ２を介して接地し、エミッタに取り出された直流電圧ＤＣを直流負荷Ｚｄｃに印加する。エミッタ電圧帰還効果により、コレクタ側から見た直流負荷Ｚｄｃが数１０ｋΩ以上の値となり、交流電圧ＡＣが直流負荷Ｚｄｃにより減衰されずに、また直流負荷Ｚｄｃに交流電圧ＡＣが印加するようなことがない。 （もっと読む）

【課題】 インダクタンス可変型共振回路を実現する手段を提供し、主に車載用放送受信機の感度の向上及び妨害波除去能力の向上を解決する為の手段を提供する。
【解決手段】 増幅器と誘導性素子を組み合わせ、増幅器の利得を＋１未満の範囲で電子的に可変することによって、誘導性素子のインダクタンスを可変するＬＣ共振回路を提供し、そのＬＣ共振回路を、アンテナ容量が存在しても所望の周波数帯域を可変することが可能な同調回路及び局部信号発生器の発振器として利用することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ抵抗の制御精度を向上することができるＭＯＳ抵抗制御装置およびこれを利用したＭＯＳ減衰器を提供すること。
【解決手段】ソースドレインが直列に接続され、該直列に接続されたソースドレインのうち最も外側のソースが第１の基準電位に接続された２以上のＭＯＳトランジスタと、この２以上のＭＯＳトランジスタの直列に接続されたソースドレインのうち最も外側のドレインと第２の基準電位との間に挿入・接続された電流源と、第１、第２の入力端、および出力端を有し、該第１の入力端に第３の基準電位が供給され、該第２の入力端が最も外側のドレインと第２の基準電位との接続ノードに接続され、該出力端が２以上のＭＯＳトランジスタのゲートそれぞれに接続されたオペアンプとを具備する。 （もっと読む）

【課題】通過状態及び減衰状態において同程度の歪み特性を同程度の送信電力まで許容することができ、かつ通過状態において電力増幅器の利得圧縮特性を補償することができるアッテネータを得る。
【解決手段】リニアライザは、第５ダイオードＤ５１〜Ｄ５ｎと、第３抵抗ＲＬＴ１と、第６ダイオードＤ６１〜Ｄ６ｎと、第１のｎチャネルＭＯＳトランジスタＴｒ１とを有する。そして、第１，第４制御電圧端子Ｖｃ１，Ｖｃ４にロウレベルの電圧が印加され、かつ第２，第３制御電圧端子Ｖｃ２，Ｖｃ３にハイレベルの電圧が印加される場合に、第５制御電圧端子Ｖｃ５にロウレベルの電圧が印加され、第１，第４制御電圧端子Ｖｃ１，Ｖｃ４にハイレベルの電圧が印加され、かつ第２，第３制御電圧端子Ｖｃ２，Ｖｃ３にロウレベルの電圧が印加される場合に、第５制御電圧端子Ｖｃ５にハイレベルの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】減衰器、移相器の動作制御に用いられ、減衰量および移相量を切替えるのに制御電圧が１つで済むことより、ＩＣの小型化、低コスト化が可能なスイッチ回路を提供する。
【解決手段】スイッチ回路は、回路部１、２と、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４、ＲＴ０と、キャパシタＣ１、Ｃ２と、ＮＭＯＳトランジスタＴ０とから構成されている。また、ＲＦ入出力端子Ｖｉｏ１、Ｖｉｏ２から信号の入出力が行われる。Ｖｒｅｆは基準となる電位であり、定電位に保持されている。また、不図示の制御手段により制御電圧Ｖｃを変える事によりＮＭＯＳトランジスタＴ０のドレインーソース間抵抗が制御される。 （もっと読む）