【課題】高いジッタ耐性を有して多相クロックの位相数と消費電力と半導体チップ面積との増大を軽減する。
【解決手段】クロックデータリカバリ回路１のエッジ検出器１０５の複数のエッジ検出回路１０５Ｍの各回路は、第１と第２のエッジ検出回路１０５Ｍ１、２を含む。第１の検出回路１０５Ｍ１は受信データ信号のデータエッジがエッジ検出位相から−１位相よりも進相なことを検出して第１出力信号を生成して、第２の検出回路１０５Ｍ２は受信データ信号のデータエッジがエッジ検出位相から＋１位相よりも遅相なことを検出して第２出力信号を生成する。第１または第２の出力信号に応答して、エッジ検出位相が−１位相分または＋１位相分変更される。受信データ信号のデータエッジの±１位相の範囲内の存在が検出された場合には、次回のエッジ検出位相は現在の状態に維持される。 （もっと読む）

【課題】多相シリアルデータを多相クロックでサンプリングするオーバーサンプリング回路において、遅延量制御動作に伴う消費電流を低減する。
【解決手段】シリアルデータSDATAは、データ遅延部１０２により多相シリアルデータsdata0〜sdata3とされ、オーバーサンプリング部１０３において、多相クロックck0〜ck3により、オーバーサンプリングされる。データ遅延部１０２のデータ遅延素子１０７の遅延時間は、キャリブレーションデータ発生部１０１で生成されたデータのオーバーサンプリング出力の位相差をオーバーサンプリング位相検出部１０５により検出し、その位相差が所望の値となるように、遅延量制御デジタル信号dd_cntを調整する。遅延量制御デジタル信号dd_cntをデジタルアナログ変換部１０６によりアナログの遅延量発生信号d_cntに変換し、データ遅延素子１０７に供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の入出力クロックスキューを抑制する。
【解決手段】Ｉ／Ｏ電圧電源で駆動される第１のバッファ１及び第２のバッファ８と、Ｉ／Ｏ電圧電源の電圧レベルを示す電圧判定信号を生成する電圧判定部５と、第１のバッファ１を介して入力された入力クロック信号に基づいて出力クロック信号の位相を調整して第２のバッファへ出力するエコークロック生成部７と、電圧判定信号と位相の調整量との関係を選択するモード情報を記憶する記憶部６と、を有し、エコークロック生成部７は、電圧判定信号とモード情報とに基づいて出力クロック信号の位相の調整量を決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、遅延素子の遅延時間のばらつきを補償するように、デジタルコードを補正する必要のないＴＤＣを提供することを目的とする。
【解決手段】基準信号の周波数に対して所望倍数の周波数を有する出力信号を出力する発振部と、基準信号についての出力信号の整数分周及び小数分周の和並びに当該所望倍数について差分を計算し、発振部に当該差分を０にするように出力信号を出力させる位相比較部と、を備えるＰＬＬ回路において、ＴＤＣ２は、小数分周の初期値を設定し、初期値を計測値として出力するデジタルコード発生器２３と、初期値に基づく位相比較部及び発振部の動作後に、当該差分を０にする方向に、小数分周の分解能を１ステップとして段階的に、小数分周を初期値から最適値へと更新し、最適値を計測値として出力するデジタルコード発生器２３及び加減算器２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の電磁干渉を減少させる周波数調整装置及びそれを含むＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】本発明の周波数調整装置は、基準クロックの周波数を複数の分周比に分周して複数のビットの周波数制御信号を生成する周波数制御信号生成部、及び前記複数のビットの周波数制御信号に応答して、入力される前記基準クロックの周波数を調整する周波数調整部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減されたＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】内部クロック信号ＥＣＬＫを受けるインバータ回路２１０〜２１７と、内部クロック信号ＯＣＬＫを受けるインバータ回路２２０〜２２７とを有し、調整コードＣ０〜Ｃ７を受けて選択されたインバータ回路の出力を合成することによって、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１６段階に調整する。インバータ回路２１０，２２０は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１段階変化させる能力を有し、インバータ回路２１１〜２１７，２２１〜２２７は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を２段階変化させる能力を有する。このように、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を調整するインバータ回路の最大能力が抑制されていることから、調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】擬似ロックを防止するための論理回路の回路規模を低減する。
【解決手段】遅延ロックドループ(ＤＬＬ)は、複数の可変遅延回路ＤＬ０〜８の電圧制御遅延回路１と位相周波数比較器２とチャージポンプ３を具備する。初段の出力ＰＨ［０］と最終段の出力ＰＨ［８］は、比較器２に供給される。比較器２のアップ信号とダウン信号は、チャージポンプ３に供給される。擬似ロック防止回路４は、第Ｍ段の出力ＰＨ［１］と第Ｍ＋１段の出力ＰＨ［２］に応答して、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂを生成する。初段の回路ＤＬ０から第Ｍ＋１段の回路ＤＬ２に、クロック入力信号ＣＬＫとクロック反転入力信号がリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。第Ｍ＋２段の回路ＤＬ３から最終段の回路ＤＬ８に、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂがリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。 （もっと読む）

【課題】ロック状態であるか否かを検出し、その検出結果を出力するＣＤＲ回路及びＣＤＲ方法を提供する。
【解決手段】受信データ信号をサンプリングするデータサンプリングクロック信号に同期して、受信データ信号をサンプリングしてサンプルドデータ信号を生成するデータサンプリング回路、データサンプリングクロック信号に対して位相がずれたエッジサンプリングクロック信号に同期して、受信データ信号をサンプリングしてサンプルドエッジ信号を生成するエッジサンプリング回路、データサンプリングクロック信号に同期して、受信データ信号の振幅と基準電圧との比較結果信号を出力する振幅比較回路を備え、比較結果信号、サンプルドデータ信号およびサンプルドエッジ信号に基づいて、データサンプリングクロック信号の位相を調整する位相シフタ回路、及び受信データ信号とデータサンプリングクロック信号との位相関係を検出するロック検出回路を備える。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増加を抑えかつ出力信号のジッタ特性を低下させずに、複数の動作周波数に対応できる多相クロック発生回路を提供する。
【解決手段】多相クロック発生回路は、位相の異なる複数のリファレンスクロック信号が入力され、該リファレンスクロック信号が取り得る複数の周波数ごとに設けられた遅延パスであって該リファレンスクロック信号に対して予め定められた位相差を生じさせる複数の遅延パスと、リファレンスクロック信号の周波数に基づいて、複数の遅延パスのうち、リファレンスクロック信号の周波数に対応する遅延パスを選択するスイッチ部と、スイッチ部が選択した遅延パスにより、位相差が変更された複数のリファレンスクロック信号から所定の位相差を有する複数のクロック出力信号を生成する位相補間回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 段数切替型の遅延回路において、段数切替時に発生するハザードを抑制する。
【解決手段】 本発明の段数切替型の遅延回路は、段数切替前後で遅延回路の内部ノードの論理状態が変化しないように、遅延のための経路として選択されていない段に遅延回路の入力が接続されている。これにより、遅延回路のハザードの発生を抑制することができ、ひいては遅延回路を備えるＤＬＬ回路や半導体装置の論理規模を低減でき、低消費電力化に寄与し、また、半導体装置の処理速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】アナログ電圧を使用することなく、クロック信号を高精度且つ広範囲に遅延させる。
【解決手段】入力ノード１１０ａと出力ノード１１０ｂとの間に直列接続された複数のワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎを備える。ワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎのそれぞれは、入力されたクロック信号の一方のエッジに応答して、ワンショットパルスを生成する。ワンショットパルスのパルス幅は、カウント値ＲＣＮＴに基づいて可変である。これにより、カウント値ＲＣＮＴを変化させることによって、ディレイライン１１０の遅延量を広範囲且つ高精度に変化させることが可能となる。しかも、アナログ電圧を使用しないことから、アナログ電圧の生成回路やその安定化回路などを設ける必要もなくなり、回路設計が容易となる。 （もっと読む）

【課題】サンプル間、温度等の変位に伴い発生するロック位相の変動を補正し、ロック位相を一定とすることができるＤＬＬを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】位相検出回路（ＰＤ）１０５を構成する複数のＭＯＳＦＥＴのうち所定のＭＯＳＦＥＴのバックゲート電位を変更するＰＤバックゲート電位変更回路１０６と、温度センサ１０７と、サンプル別閾値電圧（Ｖｔ）情報を記憶したＦｕｓe（ヒューズ）１０８を備える。温度センサ１０７の温度情報、Ｆｕｓe（ヒューズ）１０８に記憶されたサンプル別閾値電圧（Ｖｔ）情報は、ＰＤバックゲート電位変更回路１０６に読み出され、閾値電圧を制御し、ロック位相の変動を補正する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積の増加を抑えつつロックアップ時間の高速化を実現する。
【解決手段】本発明に係る遅延ロックループ回路１は、遅延ライン３と、初期遅延モニタリング部４と、位相比較部５と、遅延制御部６と、ファイン遅延部７とを備え、初期遅延モニタリング部４は、基準クロックと複数の単位遅延部のうちの一部の単位遅延部が出力する単位遅延クロックとの位相を比較する複数の位相比較用フリップフロップを備え、これら位相比較用フリップフロップの数を単位として当該比較を段階的に繰り返すことにより、全範囲について初期遅延モニタリングを行うものである。 （もっと読む）

【課題】電流消費を削減する。
【解決手段】第１のクロック信号（ＩＣＬＫ）を受け、第１のクロック信号を可変である遅延量に応じて遅延させた第２のクロック信号（ＬＣＬＫ）を出力する遅延回路（３１）と、第２のクロック信号を受け、遅延された第３のクロック信号（ＲＣＬＫ）を出力するレプリカ回路（３２）と、第１および第３のクロック信号の位相差が所定時間以上であるか否かを検知し、所定時間以上である場合には遅延回路の遅延量を変化させ、所定時間未満である場合には遅延回路の遅延量を変化させないように制御する位相差検出回路（３６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩチップ面積の増大を抑制しつつ、製造ばらつきや使用条件の影響を受けない安定的な位相調整を実現する
【解決手段】入力クロックと出力クロックの位相差を調整する位相調整回路を以下のように構成する。その位相調整回路は、出力クロックに遅延を付加するクロック遅延回路と、入力クロック、もしくは、入力クロックと出力クロックの位相差のパルスを入力として受け、パルス除去幅設定値によって遅延素子の段数を変化させて、入力クロック、もしくは、入力クロックと出力クロックの位相差のパルスの幅を検出する位相差検出回路とを有することが好ましい。そして、位相差検出回路で検出した入力クロックと出力クロックの位相差が入力クロックに対して目標の位相差になるようにクロック遅延回路にて出力クロックに遅延を付加する。 （もっと読む）

【課題】クロック信号にジッタ成分が重畳している場合であってもＤＬＬ回路を正しくロックさせる。
【解決手段】カウンタ部１０２のカウント値に応じてクロック信号ＬＣＬＫを生成するディレイライン１０１と、クロック信号ＬＣＬＫを反転させるか否かを制御する反転制御部１０３とを備える。カウンタ部１０２のカウント値を第１の初期値にリセットした後、反転制御部１０３はクロック信号ＬＣＬＫを反転させ又は反転させることなく出力する。次に、カウンタ部１０２のカウント値を第２の初期値にリセットする。本発明によれば、ジッタなどの影響によってクロック信号ＬＣＬＫを誤って反転させ、或いは誤って反転させなかった場合であっても、ダウンカウント（またはアップカウント）が多数回連続することがなくなる。これにより、第１及び第２の初期値としてオフセットした値を用いることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力クロック信号を生成して出力するまでに要する時間を短縮させる。
【解決手段】半導体装置は、第１のクロック信号のライズエッジ及び第２のクロック信号のライズエッジを合成して第１及び第２のクロック信号のライズエッジの間にライズエッジを有する第３のクロック信号を生成する第１の位相合成回路と、第１のクロック信号のフォールエッジ及び第２のクロック信号のフォールエッジを合成して第１及び第２のクロック信号のフォールエッジの間にフォールエッジを有する第４のクロック信号を生成する第２の位相合成回路と、第３のクロック信号のライズエッジを受けてライズ／フォールエッジの内の一方の位相を、第４のクロック信号のフォールエッジを受けてライズ／フォールエッジの内の他方の位相を其々調整した出力クロック信号を出力する第３の位相合成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＬ回路がロックしないという現象の発生を防止する。
【解決手段】カウンタ回路２０２と、カウンタ回路２０２のカウント値ＣＮＴに応じた遅延量を内部クロック信号ＬＣＬＫに与えるディレイライン２０１とを有する。まず、カウンタ回路２０２は第１のカウント値にセットされ、判定信号ＰＤに基づいてそのカウント値ＣＮＴが周期的に更新される。その結果、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相が所望の位相に到達しなかった場合、カウンタ回路２０２は、第１のカウント値とは異なる第２のカウント値にセットされ、ＤＬＬ回路２００がリスタートされる。これにより、ＤＬＬ回路がロックしなかった場合であっても自動的にリスタートされることから、ＤＬＬ回路がロックしないという現象が防止される。 （もっと読む）

【課題】レプリカ回路が不要で、小面積化を図ることが可能であり、しかもジッタの増加を防止でき、低ジッタ出力クロックを生成することが可能なクロック生成装置および電子機器を提供する。
【解決手段】アキュムレータの値に応じて目標とするＮＣＯクロックと実際のＮＣＯクロックとの位相差を取得する位相差取得部と、入力クロックに位相同期した信号に応じて入力クロックに複数の遅延を与えた複数の遅延クロックを生成する遅延同期回路と、位相差取得部の位相差情報を受けて複数の遅延クロックから目標とする上記ＮＣＯクロックの位相に近づくような遅延が与えられた遅延クロックを選択し、選択クロックとして出力する選択部と、選択部で選択された上記選択クロックに上記ＮＣＯクロックを同期させて出力クロックを得る第２の同期回路とを有する。 （もっと読む）