【課題】発振回路内で構成要素を接続するオプションコンダクタの使用を可能とする技術の提供。
【解決手段】発振回路２００は、第１の伝導層内でルーティングコンダクタを介して相互結合されるトランジスタを含む。発振回路はまた、第２の伝導層内に、バラクタ２０３〜２０６、コンデンサ２２１〜２２６、及びオプションコンダクタ２０７、２０８，２１２〜２１６も含む。オプションコンダクタは、トランジスタのうちの１つとコンデンサまたはバラクタとの間の接続の少なくとも一部を形成する。上記発振回路は、第１の伝導層内のルーティングコンダクタを介して前記複数の第１のトランジスタのうちの１つに結合されるインダクタと、該インダクタの第１の部分を形成する、前記第２の伝導層内の第２のオプションコンダクタとをさらに備え得る。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の内部回路に供給されるクロック信号の周波数が、正常時よりも高くなった場合の上記内部回路の暴走を回避する。
【解決手段】半導体集積回路装置（１）において、内部回路（１７）と、水晶振動子を用いた発振動作によりクロック信号を形成する水晶発振回路（１１）と、上記内部回路が正常に動作可能な周波数のクロック信号を形成する内蔵発振器（１４）とを設ける。また上記水晶発振回路で形成されたクロック信号の周波数が、上記内部回路の正常動作の周波数範囲よりも上昇したことを検出可能な異常高速発振検出回路（１３）を設ける。さらに上記異常高速発振検出回路での検出結果に基づいて、上記水晶発振回路で形成されたクロック信号に代えて、上記内蔵発振器で形成されたクロック信号を上記内部回路に供給するための制御回路（１６）を設けることで、内部回路の暴走を回避する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の入出力クロックスキューを抑制する。
【解決手段】Ｉ／Ｏ電圧電源で駆動される第１のバッファ１及び第２のバッファ８と、Ｉ／Ｏ電圧電源の電圧レベルを示す電圧判定信号を生成する電圧判定部５と、第１のバッファ１を介して入力された入力クロック信号に基づいて出力クロック信号の位相を調整して第２のバッファへ出力するエコークロック生成部７と、電圧判定信号と位相の調整量との関係を選択するモード情報を記憶する記憶部６と、を有し、エコークロック生成部７は、電圧判定信号とモード情報とに基づいて出力クロック信号の位相の調整量を決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発振器が出力する出力信号の１周期に小数分周の分解能つまり位相の分解能が依存しないＴＤＣを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、直列に接続され入力端で発振器が出力する出力信号ＣＫＶを入力される複数の遅延素子２１と、複数の遅延素子２１が出力する複数の遅延クロック信号を、ＰＬＬ回路が入力される基準信号ＦＲＥＦのエッジタイミングでそれぞれラッチする複数のラッチ回路２２と、直列接続された複数の遅延素子２１の入力端で入力される出力信号ＣＫＶと、直列接続された複数の遅延素子２１の出力端で出力される出力デジタル信号が、エッジタイミングを等しくするように、複数の遅延素子２１の遅延時間を調整する遅延時間調整回路３２と、を備えることを特徴とするＴＤＣ２である。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減することができる発振回路を提供する。
【解決手段】入力信号が含むアナログ成分をデジタル信号に変換するアナログ／デジタル変換回路１００と、アナログ／デジタル変換回路１００で変換されたデジタル信号Ｄ１について、予め設定された周波数帯域成分のみを基準信号として通過させるバンドパスフィルタ１０１と、バンドパスフィルタ１０１を通過した基準信号Ｄ２と、ＰＬＬループ内に設けられる電圧制御発振器２０３からの出力信号Ｄ３との位相差が一定となるように電圧制御発振器２０３にフィードバック制御を行って発振させるＰＬＬ回路２００とを備え、バンドパスフィルタ１０１は、所定の条件に基づいて、アナログ／デジタル変換回路１００で変換されたデジタル信号Ｄ１の所定ビット幅について、「０」に固定するマスク処理を実行するマスク処理部１０２を備える。 （もっと読む）

【課題】調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減されたＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】内部クロック信号ＥＣＬＫを受けるインバータ回路２１０〜２１７と、内部クロック信号ＯＣＬＫを受けるインバータ回路２２０〜２２７とを有し、調整コードＣ０〜Ｃ７を受けて選択されたインバータ回路の出力を合成することによって、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１６段階に調整する。インバータ回路２１０，２２０は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１段階変化させる能力を有し、インバータ回路２１１〜２１７，２２１〜２２７は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を２段階変化させる能力を有する。このように、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を調整するインバータ回路の最大能力が抑制されていることから、調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬのループフィルタの帯域を大きくすることにより、局部発振器の位相雑音性能が大幅に改善し、隣接チャネル選択性能を改善する受信機を提供する。
【解決手段】受信信号と局部発振器から出力されるローカル信号とをミキサでミキシングし、生成された中間周波数（ＩＦ）信号をバンドパスフィルタで選択して復調する無線受信機において、局部発振器は、受信信号のチャネル周波数間隔のｎ倍（ｎは３以上の整数）の周波数間隔のローカル信号を切り替えて出力する構成であり、バンドパスフィルタは、受信信号の受信すべきチャネルによって通過帯域の中心周波数を切り替える構成である。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩチップ面積の増大を抑制しつつ、製造ばらつきや使用条件の影響を受けない安定的な位相調整を実現する
【解決手段】入力クロックと出力クロックの位相差を調整する位相調整回路を以下のように構成する。その位相調整回路は、出力クロックに遅延を付加するクロック遅延回路と、入力クロック、もしくは、入力クロックと出力クロックの位相差のパルスを入力として受け、パルス除去幅設定値によって遅延素子の段数を変化させて、入力クロック、もしくは、入力クロックと出力クロックの位相差のパルスの幅を検出する位相差検出回路とを有することが好ましい。そして、位相差検出回路で検出した入力クロックと出力クロックの位相差が入力クロックに対して目標の位相差になるようにクロック遅延回路にて出力クロックに遅延を付加する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第１のノードと第２のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第１のノードと電気的に接続される第１のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第１のコンタクトとは離れて形成され、前記第２のノードと電気的に接続される第２のコンタクトと、を有する。前記第１のノードまたは前記第２のノードから発振信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣで設計・構成するシリアル・データ通信の高速化を図ることができ、しかも受信データのジッタ許容範囲を明確にできる。
【解決手段】ＤＰＬＬ回路１０のうち、データシフト回路ＤＳ１〜ＤＳ３は受信データからソースクロックＣＬＫで同期を取った複数のシリアル・データを生成する。排他的論理和回路ＥＸ＿ＯＲは一対のシリアル・データから受信データの変化点を検出する。カウンタＤＰＬＣＮＴは、最大カウント値ｎが設定され、変化点から次の変化点までをソースクロックをカウントする。一致判定回路ＡＮＤはカウンタのカウント値が予め設定したカウント値ｎ／２に一致したときに受信クロックとして出力する。ハイレベル・データ・リンク・コントローラ・モジュール（ＨＤＬＣ−ＩＰ）２０は、受信クロックを使って受信データ（シリアル・データ）の転送制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ループフィルタをオンチップ化する際、トランジスタの素子サイズのバラツキによるＰＬＬ回路の特性バラツキを軽減して、回路規模と消費電力の増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路は、位相周波数比較器１とループアッテネータ２とチャージポンプ３とループフィルタ４と電圧制御発振器５と分周器６を具備するフェーズロックドループ回路を内蔵する。アッテネータ２は、サンプリング回路２１とカウンタ２２とを含む。回路２１にサンプリングパルスＳＰＬ＿ＣＬＫと位相周波数比較器１から出力される第１と第２の出力信号が供給され、回路２１はサンプリング出力信号を出力する。カウンタ２２は回路２１から出力される所定個数のサンプリングパルスのカウントアップを完了すると、カウントアップ完了出力信号を出力する。チャージポンプ３は、カウントアップ完了出力信号に応答してループフィルタ４に充電電流または放電電流を出力する。 （もっと読む）

【課題】大きな電圧制御オシレータ（ＶＣＯ）利得を効率的に取り扱うための技術の提供。
【解決手段】ＶＣＯの中心周波数を調節する平均制御電流を供給するための低速高利得パス、及び通常動作の間ＶＣＯ周波数を調節する瞬間的な制御電流を供給するための高速低利得パス、を利用する。１つのデザインでは、ＶＣＯは、電圧−電流コンバータ２５２、電流増幅器２５４、総和器２５６、及び電流制御オシレータ（ＩＣＯ）２６０を含む。電圧−電流コンバータは、制御電圧ＶＣＴＲＬを受け取り、そして第１電流Ｉ_１と第２電流Ｉ_２とを発生する。電流増幅器は、第１電流を増幅しそしてフィルタし、そして第３電流Ｉ_３を発生する。総和器は、第２電流と第３電流を合算し、そして制御電流を発生する。ＩＣＯは、制御電流ＣＴＲＬを受け取り、そして制御電流により決定される周波数を有するオシレータ信号を発生する。 （もっと読む）

【課題】ジッタが抑制されたＰＬＬを提供する。
【解決手段】ＰＬＬは，基準クロックとフィードバッククロックとの位相差信号を遅延し，異なる時間遅延させた位相差信号に応じてチャージ電流を生成する複数のチャージポンプＣＰを有す。また当該複数のチャージポンプが生成するチャージ電流を加算して出力するチャージポンプ等化器と，ループフィルタと電圧制御発振器の理想特性を持ち，位相差信号の位相差を有する位相差デジタル値を入力して理想特性に基づいてレプリカ出力を生成するレプリカ回路１０と，レプリカ出力と理想出力との誤差信号と前記位相差信号との相関値を平滑化してチャージポンプ係数を生成し，複数のチャージポンプそれぞれに負帰還する係数生成回路２０−１とを有し、複数のチャージポンプはチャージポンプ係数に応じた電流値を持つチャージ電流をそれぞれ生成する。 （もっと読む）

【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】クロック生成回路からクロック信号を受けるドライブ回路の経年劣化を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、クロック信号ＩＮＴ１−ＳＩＧを生成して出力するクロック生成回路２と、クロック生成回路２からクロック信号ＩＮＴ１−ＳＩＧを受けるドライブ回路３とを備え、クロック生成回路２は、クロック信号ＩＮＴ１−ＳＩＧを生成して出力ノード２ａから出力するクロック出力モードと、出力ノード２ａの電位をハイレベルに固定する第１のクロック停止モードと、出力ノード２ａの電位をロウレベルに固定する第２のクロック停止モードとを有する。 （もっと読む）

【課題】レプリカ回路の精度を抜本的に向上する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくともフィードバッククロック信号ＲＣＬＫ１に基づいて外部クロック信号ＣＫ，／ＣＫを遅延させてなる内部クロック信号ＲＬＣＬＫを出力するＤＬＬ回路７０と、内部クロック信号ＲＬＣＬＫに同期してデータを出力する複数の出力バッファ６４ａと、出力バッファ６４ａのレプリカであり、内部クロック信号ＲＬＣＬＫに同期してフィードバッククロック信号ＲＣＬＫ１を生成し、ＤＬＬ回路７０に供給する出力レプリカ７３と、ＤＬＬ回路７０から内部クロック信号ＲＬＣＬＫを受け、複数の出力バッファ６４ａ及び出力レプリカ７３に伝送するクロックツリー７２とを備え、クロックツリー７２は、それぞれＤＬＬ回路７０から複数の出力バッファ６４ａ及び出力レプリカ７３に至る内部クロック信号ＲＬＣＬＫの複数の伝送経路の信号線負荷が互いに実質的に等しくなるよう構成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＶＣＯを備えた半導体装置において、発振信号の発振振幅のばらつきの抑制および低消費電力化を実現する。
【解決手段】ＶＣＯ３０は、ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＬＣタンクＶＣＯと、ＶＣＯの発振周波数帯域から一の発振周波数を選択するための周波数選択信号を生成する自動周波数選択回路４２と、ＶＣＯの制御電圧を生成するＰＬＬ３２と、周波数選択信号に基づいて差動型のＭＯＳトランジスタのゲートに供給するバイアス電圧を調整するバイアス回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】小規模かつ低消費電力で発振信号を生成可能な半導体集積回路およびこれを用いた無線通信装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、デジタル制御発振器と、カウンタと、時間デジタル変換器と、加算器と、制御信号生成部と、を備える。時間デジタル変換器は、発振信号と参照信号との位相差に対応する第３のデジタル信号を生成する。前記時間デジタル変換器は、分周器と、複数のインピーダンス素子と、位相差検出部と、を有する。分周器は、前記発振信号を分周して複数の分周信号を生成する。複数のインピーダンス素子は、前記複数の分周信号を分圧して、前記発振信号を遅延させた複数の遅延信号を生成する。位相差検出部は、前記参照信号と、前記複数の遅延信号のそれぞれと、を比較することにより、前記参照信号と前記発振信号との位相差に対応する前記第３のデジタル信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出して、マスク解除信号に対する制御信号のセットアップ時間またはホールド時間のマージンを大きくする。
【解決手段】 モニタモード中に、通常より低い参照電位を受信回路に供給して伝送信号の論理レベルを判定することで、半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出する。検出したプロセス状態に応じて可変遅延回路を制御し、内部同期信号および外部同期信号の少なくともいずれかの遅延時間を調整する。これにより、内部同期信号に応じて生成されるマスク解除信号に対する半導体チップからの制御信号のセットアップ時間またはホールド時間を、半導体チップのプロセス状態に拘わらず一定にできる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減し、かつ回路面積も小さい位相調整回路を提供すること
【解決手段】位相調整回路１００は、複数の遅延素子回路１２１〜１２４をリング状に結合したＶＣＯ１２０を有するＰＬＬ発振回路１００を備える。また位相調整回路１００は遅延素子回路を所望の遅延量に応じた数（１２５〜１２７）だけ有し、入力信号に前記所望の遅延量を与える位相遅延回路２００、２１０を備える。ＰＬＬ発振回路１００は基準クロックの入力に応じた基準信号に、基準信号の所定周期分の遅延を与えた発振信号をＶＣＯ１２０において生成する。ＰＬＬ発振回路１００は、基準信号と、発振信号に応じた信号と、が略同位相となるように算出された遅延量に応じた遅延制御信号を遅延素子回路１２１〜１２４、及び遅延素子回路１２５〜１２７の各々に対して入力する。 （もっと読む）