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【課題】温度係数が逆符号のXカット水晶板とYカット水晶板とを直接接合して零温度係数をもつ水晶振動子を構成し、温度依存性が小さく、かつ、電気機械結合係数が大な、さらに周波数温度特性の良い水晶振動子を得る。
【解決手段】プラスの温度係数を有するXカット水晶板10とマイナスの温度係数を有するYカット水晶板11の対向する主面を適宜の接合方法により直接接合するとともに、他の対向する露出した主面に電極12をそれぞれ形成して零温度係数を有する水晶振動子を構成する。 (もっと読む)


【課題】送受信帯域外の減衰特性と送受信端子間のアイソレーション特性を低下させることなく、従来よりも小型化、低背化が可能なアンテナ分波器を提供する。
【解決手段】アンテナ端子と送信端子との間に配置される送信フィルタと前記アンテナ端子と受信端子との間に配置される受信フィルタとをパッケージに実装してなるアンテナ分波器において、パッケージ内の受信フィルタ用のグランドパターン152は、他のグランドパターン156,157とは分離されており、2つ以上のフットパッドを有する。 (もっと読む)


【課題】低損失、低コストであり、かつスプリアスを抑制すること。
【解決手段】基板10と、基板上に形成された下部電極12と、前記下部電極上に形成された圧電膜14と、前記圧電膜上に形成された上部電極16と、を具備し、前記圧電膜を挟み下部電極と上部電極とが対向する共振領域20の端において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方が前記共振領域の中央部に対し厚く形成された厚膜領域32が形成され、前記厚膜領域の幅は、前記圧電膜の厚さ方向に交差する方向に伝搬する弾性波の波長より狭い圧電薄膜共振子。 (もっと読む)


【課題】数μm以下の厚みの非常に薄い水晶薄膜を安定して製造できる水晶デバイスの製造方法、及びこの製造方法で製造した水晶デバイスを提供する。
【解決手段】水晶単結晶基板1に水素イオンを注入して、表面1Aから一定深さの部分をアモルファス化させて、水晶単結晶基板1内にアモルファス層13A〜13Cを形成する。アモルファス層を形成する深さは、イオンや原子の注入条件(注入エネルギーやドーズ量)により決まり、注入条件に応じて1μm〜数μmの深さにばらつきのない平坦な層が形成される。アモルファス層の側面が露出するように、表面1Aから複数の溝14A〜14Dを形成し、これらの溝にエッチング液を導入してエッチングを行う。水晶のアモルファスは、水晶結晶よりもエッチング速度が速いので、エッチングによりアモルファス層13A〜13Cを除去することで、水晶単結晶基板1から水晶薄膜15A〜15Cが分離される。 (もっと読む)


【課題】不要なリップルを抑えることが可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜3と、圧電薄膜3の一方の主面に設けられた上部電極13、23と、圧電薄膜3の他方の主面に設けられた下部電極11、21とを有し、基板2から音響的に分離されるように、上部電極13、23及び下部電極11、21が圧電薄膜3を介して重なり合う部分で圧電振動部15、25が構成されている第1及び第2の圧電共振子10、20とを備え、第1の圧電共振子10と第2の圧電共振子20とは入力端子と出力端子に対して直列または並列に接続されており、入力端子からみた圧電薄膜3の分極方向は互いに逆であり、第1の圧電共振子10と第2の圧電共振子20とは、横振動モードの共振周波数が互いに異なるように形成されていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】複数の水晶振動素子を同一の素子搭載部材に搭載することなく複数の振動モードを有した生産性のよい水晶デバイスを提供する。
【解決手段】水晶振動素子が搭載されている素子搭載部材が蓋部材と接合されて素子搭載部材と蓋部材とで水晶振動素子を気密封止している水晶デバイスであって、矩形形状の平板状の基部131aと基部の側面から同一方向に延設された2つ一対の振動腕部131bとから構成されており音叉形状の水晶片131と、両主面がY軸及びZ軸に平行な基部の両主面に厚み縦振動用励振電極132が設けられ、振動腕部に屈曲振動用励振電極が設けられ、所定の接続電極134aが厚み縦振動用励振電極と電気的に接続され、所定の他の接続電極134bが屈曲振動用励振電極と電気的に接続されている水晶振動素子を用いる。 (もっと読む)


【課題】発振子のQmaxを大きくし、且つ低温環境下で発振子の発振周波数Fの変化を抑制できる圧電磁器組成物を提供する。
【解決手段】圧電磁器組成物は、下記一般式(1)で表される組成を有する。(PbαLnβMeγ)(Ti1−(x+y+z)ZrMnNb)O(1)[式(1)中、Lnはランタノイド元素を示し、Meはアルカリ土類金属元素を示し、α>0,β>0,γ≧0,0.965≦α+β+γ≦1.000,0.158≦x≦0.210,y≧0,z≧0,1−(x+y+z)>0。] (もっと読む)


【課題】高周波・広帯域に適した超音波振動子を形成するための有機圧電材料、それを用いた超音波振動子、およびそれを用いた超音波探触子を提供する。
【解決手段】有機圧電材料の表面に電極を形成させて成る超音波振動子に用いられる有機圧電材料において、有機圧電材料が電極の電極金属と共有結合を形成し得る材料を含有し、さらに電極金属と共有結合を形成し得る材料が電極金属と共有結合している。この有機圧電材料により、表面処理のような煩雑な工程を経ずに優れた接着強度が簡易に得られ、電極金属との接着に優れ、操作中の摩擦などでの電極はがれ耐性に優れ、加工を行う際の弱い摩擦でも剥離生成の抑制に優れ、加工性に優れ、圧電性に優れた超音波振動子、およびそれを用いた超音波探触子ができる。 (もっと読む)


コア共振器(42)を環境効果および経年劣化効果の両方から離隔するバルク音波共振器構造(52)。この構造は、少なくとも部分的に2つの電極(14、18)の間に配置された圧電層(16)を有する。この構造は、汚染、パッケージ漏れ、および外部効果による圧電材料(16)に対する変化に抗して保護されながら、依然として慣性抵抗をもたらす。この構造は、経年劣化効果を規定の閾値以下に制限する、1つまたは複数の保護要素を有する。共振器の挙動は、直列共振においてのみならず、共振の全帯域幅にわたって安定化される。保護要素の例は、周辺および縁部に関連する環境的現象および経年劣化現象をコア共振器から遠ざけておくようにコア共振器を取り巻く材料のカラー(44)と、圧電層の上または下に形成されたブラッグ反射器(34、48)と、圧電層を覆って形成されたキャップ(60)とを含む。
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【課題】 信頼性の高い圧電共振器を提供する。
【解決手段】 基板と、圧電膜と、前記圧電膜の厚み方向一表面上に少なくとも一部が積層される上部電極と、前記圧電膜の厚み方向他表面上に少なくとも一部が積層される下部電極とを含んで構成され、前記基板の厚み方向一表面上に、前記基板との間に空隙を形成するように配置される共振器本体と、前記上部電極の前記圧電膜と接する面と反対側の面を被覆する第1保護膜と、前記第1保護膜と同じ材料からなり、前記下部電極の前記圧電膜と接する面と反対側の面を被覆する第2保護膜と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】圧電層の結晶性を向上できるとともに共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能で、しかも、空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止可能なBAW共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板1に、PZT薄膜からなる圧電層32を有する共振子3の下部電極31および絶縁層4における支持基板1側の表面を露出させる空洞1aが形成され、絶縁層4に、空洞1aに連通するエッチングホール5が形成されている。支持基板1が、単結晶MgO基板からなる上層基板11と、単結晶Si基板からなる下層基板12とで構成され、空洞1aが、上層基板11の厚み方向の両面側から上層基板11に対してエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングを行うことで形成された開口部11aと、下層基板12の厚み方向に貫設され開口部11aに連通する貫通孔12aとで構成されている。 (もっと読む)


【課題】圧電層の結晶性を向上できるとともに共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なBAW共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板1の一表面側の共振子3における圧電層32がPZTにより形成されている。支持基板1に、共振子3の下部電極31および絶縁層4における支持基板1側の表面を露出させる空洞1aが形成されるとともに、絶縁層4に、空洞1aに連通するエッチングホール5が形成されている。支持基板1が、互いに厚さが異なる上層基板11と下層基板12との積層構造を有し、支持基板1において相対的に共振子3に近い側にある上層基板11が、単結晶MgO基板からなるとともに、相対的に共振子3から遠い側にある下層基板12に比べて薄く、且つ、空洞1aが、上層基板11の厚み方向に貫設されエッチングホール5に連通した開口部により構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】スプリアスを抑制し、Q値の高い音響波共振子の提供。
【解決手段】上面と下面とを有する圧電体層11と、前記圧電体層11の上面側に積層される上部電極13と、前記圧電体層11を挟んで前記上部電極13と対向するように前記圧電体層11の下面側に積層される下部電極12と、を含む共振部18と、前記上部電極13の上面および側面を覆うとともに、断面視したときに、前記上部電極13の側面領域において、前記側面に対して傾斜する傾斜部を有する保護層20と、を有する構成。 (もっと読む)


【課題】 生産性を低下することなく挿入損失が少ない特性に優れた小型のフィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルタ1は、共振子10とキャパシタ30とを含み、キャパシタ30は、基板19の主面上に形成される第1キャパシタ用電極31と、第1キャパシタ用電極31上に形成される第1圧電膜12と同一材料からなる第2圧電膜32と、第1キャパシタ用電極31と対向する部分を有するように第2圧電膜32上に形成される第2キャパシタ用電極33とを含んで構成される。さらに、UBM層21と同時に、第2キャパシタ用電極33上に、ピークシフト層34を設ける。 (もっと読む)


【課題】積層共振体の信頼性を低下させることなく、封止時におけるキャビティ空間と外気との間の気圧差を低減できる薄膜バルク波共振器を提供する。
【解決手段】薄膜バルク波共振器10は、積層共振体30と、積層共振体30がその厚み方向に自由振動できる空間を提供するキャビティ22を有する素子基板20と、キャビティ22の開口部を閉塞する蓋基板60であって、キャビティ22を外気に連通させるための気体流路63を有する蓋基板60と、積層共振体30、素子基板20、及び蓋基板60を封止する封止部材80とを備える。キャビティ22は、気体流路63を介して外気に連通しているので、封止部材80による封止処理前後を通じてキャビティ空間と外気との間に気圧差は生じない。このため、キャビティ空間と外気との気圧差による積層共振体30の破損や周波数特性の劣化を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 空隙内に犠牲層が残留することが殆どなく、優れた共振特性を有する圧電共振器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板16と、基板表面上に形成される共振器本体17と、基板16および共振器本体17で囲まれる空隙15と、共振器本体17を貫通し空隙15と連通する貫通孔14とを含む圧電共振器1である。そして、空隙15を形成する共振器本体17の内壁面は、中央部において基板表面に対して平行な平坦面であり、周縁端部において基板表面とのなす角が鋭角となる傾斜面となるように構成される。さらに、貫通孔14は、共振器本体17を、基板16表面に直交する方向に貫通し、共振器本体17の傾斜面に開口するように設けられる。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜共振子を積層することによって共振デバイスを小型化する際に、積層された複数の圧電薄膜共振子間の振動の干渉を完全に排除する。
【解決手段】圧電薄膜共振子を積層構造とすることで、圧電薄膜共振子を形成する基板における占有面積を縮小することができ、共振デバイスを小型化することができる。また、第1の圧電薄膜共振子3及び第2の圧電薄膜共振子2のメンブレン領域は物理的に分離しているため、一方の共振子における振動が他方の共振子に伝わることがなく、両共振子間の振動の干渉を無くすことができる。 (もっと読む)


【課題】鉛系圧電材料からなる圧電層の結晶性を向上でき且つ開孔部を形成するエッチング時間の増加を抑制しつつ下部電極が侵食されるのを抑制することが可能なBAW共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MgO基板からなる支持基板1の一表面側に共振子3を形成し(図1(e))、その後、支持基板1の上記一表面側の全面にレジスト層7を形成するとともに支持基板1の他表面側に開孔部1a形成用にパターニングされたレジスト層6を形成し、支持基板1の上記他表面側から支持基板1のうち開孔部1aに対応する部分をウェットエッチングすることにより開孔部1aを形成する開孔部形成工程を行う(図1(g))。この開孔部形成工程では、ウェットエッチングを開始した後、下部電極31の圧電層32側とは反対側の上記表面が露出する前にエッチングレートを低下させるようにしている。 (もっと読む)


【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できてフィルタ特性を向上可能なBAWフィルタを提供する。
【解決手段】単結晶基板からなる支持基板1の一表面側に下部電極31と上部電極33との間に圧電層32を有する複数個の共振子3が形成され、支持基板1の上記一表面に、共振子3の下部電極31における支持基板1側の表面を露出させる複数の断面逆台形状の空洞1aがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。また、各共振子3における各空洞1aそれぞれの投影領域における中心部に対応する部位に、空洞1aに連通するエッチングホール5が形成されている。各共振子3は、空洞1aの投影領域内に圧電層32が収まり且つ上記投影領域の外周線よりも外側に下部電極31の外周線が位置している。 (もっと読む)


【課題】共振子の機械的品質係数を向上できるBAW共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】MgO基板からなる支持基板1の一表面における空洞1aのエッチング開始予定領域をエッチングして凹部1bを形成し(図1(d))、その後、支持基板1の上記一表面側に下部電極31および鉛系圧電材料(例えば、PZTなど)からなる圧電層32を形成し(図1(l))、その後、絶縁層4を形成し(図1(p))、上部電極を形成してから共振子を取り囲む絶縁層4にエッチングホール41を形成し(図1(v))、その後、絶縁層4のエッチングホール41および凹部1bを通してエッチング液を導入して支持基板1をエッチングすることにより空洞1aを形成する(図1(w))。 (もっと読む)


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