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Fターム[5J500AC57]の内容

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Fターム[5J500AC57]に分類される特許

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【課題】D級増幅回路において、確実に電源パンピングの影響をキャンセルする。
【解決手段】第1スイッチ61がオン、第2スイッチ63がオフの時に、電源電圧VDDと接地間の電流をコンデンサ62に充電させ、第1スイッチ61がオフ、第2スイッチ63がオンの時に、コンデンサ62の電圧と基準電圧Vrとをコンパレータ64により比較する。コンパレータ64の出力をパワーリミット回路30に入力し、コンデンサ62の電圧が基準電圧Vrを超える場合には、PWM変調回路20からの出力信号のパルス幅を制限する。 (もっと読む)


【課題】ノイズフィギュアの劣化を抑制しつつ、過入力信号を調整可能な上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する。
【解決手段】入力トランジスタと、第1端が前記入力トランジスタのゲートに接続され、第2端がバイアス電圧に接続される抵抗素子と、前記入力トランジスタのゲートに接続され、前記入力トランジスタのゲートへの入力を、前記バイアス電圧を基準とする(調整可能な)上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する保護回路と、を備える、増幅回路。 (もっと読む)


【課題】回路の小型化を図ること。
【解決手段】増幅回路100は、パッド111と、TIA150と、オンチップインダクタ130と、シャント容量140と、を1つのチップに備えている。パッド111には電流信号が入力される。TIA150は、入力された電流信号を電圧信号に変換して出力する。オンチップインダクタ130は、パッド111とTIA150との間に直列に接続されている。シャント容量140は、一端がオンチップインダクタ130とTIA150との間に接続され、他端がグランドに接続されている。 (もっと読む)


【課題】従来に比してより少ない追加素子数で、消費電流を増加させることなく、出力電流の最大値を、回路定数の調整によって、他の諸特性に影響を及ぼすことなく設定可能とする。
【解決手段】入力信号に対して差動増幅を行う差動増幅回路101と、差動増幅回路101の出力を電圧・電流変換して出力するプリドライバ回路103と、プリドライバ回路103の出力により駆動される出力段106とを有してなる演算増幅器であって、プリドライバ回路103を構成するプリドライバ用トランジスタ3のベース電流の増加を抑圧し、出力電流(出力ソース電流)の過電流保護を可能とした過電流保護回路104が設けられたものとなっている。 (もっと読む)


【課題】インピーダンス整合までの時間を短縮でき、処理効率を向上できるプラズマ生成用電源装置を提供する。
【解決手段】所定周波数の基準信号を生成する基準信号生成部と、基準信号を増幅し高周波電力信号を生成する電力増幅部と、高周波電力信号に含まれる進行波電力と反射波電力とを検出する検出部と、基準信号の周波数を変化させ電力増幅部での増幅度を変化させる制御部とを備えるプラズマ生成用電源装置において、第1の時間において基準信号を第1の周波数に固定して反射波電力が第1の電力値以下となるよう制御し、その後の第2の時間において、反射波電力が第2の電力値以下になるように基準信号の周波数を掃引するプラズマ生成動作を行うとともに、第1の周波数、第1の時間、第2の時間の最適値を見出すプラズマ生成パラメータ設定動作を行う。 (もっと読む)


【課題】 温度の影響を考慮し、増幅回路の半導体素子に流れる電流が過大であることを検出することができる電流検出回路を提供する。
【解決手段】 電流検出回路1は、温度検出部3による検出結果に応じて、正側閾値電圧を決定する正側閾値電圧生成部5と、温度検出部3による検出結果に応じて、負側閾値電圧を決定する負側閾値電圧生成部6と、正側信号と負側閾値電圧とを比較し、正側信号が負側閾値電圧以上である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力し、かつ、負側信号と正側閾値電圧とを比較し、負側信号が正側閾値電圧未満である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力する比較部7とを備える。 (もっと読む)


【課題】効果的に雑音レベルを低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】差動入力トランジスタであるPチャネル型MOSトランジスタM1,M2は、雑音レベルを低減するために薄いゲート酸化膜を有している。これらのPチャネル型MOSトランジスタM1,M2を過電圧から保護する保護回路は、Pチャネル型MOSトランジスタM3,M4を含んで構成されている。Pチャネル型MOSトランジスタM3はPチャネル型MOSトランジスタM1を過電圧から保護する第1の保護トランジスタであり、Pチャネル型MOSトランジスタM1のドレイン側に直列に接続されている。Pチャネル型MOSトランジスタM4は、Pチャネル型MOSトランジスタM2を過電圧から保護する第2の保護トランジスタであり、Pチャネル型MOSトランジスタM2のドレイン側に直列に接続されている。 (もっと読む)


【課題】加工コストを増大させず、適応型バイアシング出力段を用いた高スイング演算増幅器を提供する。
【解決手段】出力段123は、VDDAノードと出力ノードとの間のプルアップ電流経路内において直列に結合された2つのトランジスタ(スイッチングトランジスタT3及びバイアシングトランジスタT4)を含み、前記出力ノードと接地ノードとの間のプルダウン電流経路内において直列に結合された2つのトランジスタ(スイッチングトランジスタT1及びバイアシングトランジスタT2)も含む。前記バイアシングトランジスタT4,T2を提供することは、前記トランジスタT3,T4において低下される最大電圧を低減させ、それによって前記トランジスタT1〜T4がVDDAよりも低い破壊電圧を有するのを可能にする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、保護回路及びそれを含む絶縁抵抗測定装置に関する。
【解決手段】本発明の保護回路は、印加される電流が予め定められた第1の基準電流となるように電流制御を行う第1の定電流制御部と、第1の定電流制御部と並列に連結され、第1の定電流制御部に印加される電圧が予め定められた第1の基準電圧以上であると、第1の定電流制御部に印加される電流がバイパスされるように制御して電流制御を行う第2の定電流制御部と、を含み、高電圧が印加されても、定電流制御を行って絶縁抵抗を用意に測定することができる。 (もっと読む)


【課題】通信信号を増幅する絶縁破壊に耐えるトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】入力無線周波数信号を受信するため接地点と第1のゲートに接続されたソースを有する第1のNMOSトランジスタ12は、第1のトランスコンダクタンスと第1の破壊電圧とを有する。また第2のNMOSトランジスタは、第1のNMOSトランジスタのドレインに接続されたソースと、基準DC電圧に接続されたゲートと、増幅された無線信号の出力を与えるドレインと、基準DC電圧と第2のNMOSトランジスタのドレインとの間に配置された負荷とを有する。第2のNMOSトランジスタ14は第2のトランスコンダクタンスと第2の破壊電圧とを有し、第2の絶縁体は第1の絶縁体よりも厚い。この結果、第1のトランスコンダクタンスは第2のトランスコンダクタンスよりも大きく、第2の破壊電圧は第1の破壊電圧よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】熱抵抗が下がり高周波増幅器全体の放熱性能が向上する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器10は、複数のトランジスタセル1a−1gで構成され、平面上に配置されている複数のトランジスタセル1a−1gのうち隣接している2つの各トランジスタセルにおけるx軸方向の各中心はy軸方向にずれている。 (もっと読む)


【課題】全周波数帯域に渡ってドライブ段増幅器のドライブ量を最適化して、終段増幅器のオーバードライブを防止できるようにすると共に、電力増幅器全体の効率を向上させる。
【解決手段】バックオフ検出器22の検出出力からドライブ段増幅器12のバックオフ量を検出し、このバックオフ量が所定値となるように、ドレイン電圧制御回路30により、ドライブ段増幅器12のドレイン電圧を制御することで、ドライブ段増幅器12のドライブ量を全周波数帯域に渡って最適化する。そして、電力増幅器1の総合利得が所望の利得となるように、可変アッテネータ制御回路33で可変アッテネータ11の減衰量を制御する。ドライブ段増幅器12のドライブ量が最適化されることから、オーバードライブによる終段増幅器13の破損を防止でき、また、効率の向上が図れる。 (もっと読む)


【課題】増幅器の故障を確実に検出できる増幅装置及び増幅装置の故障監視方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施態様に係る増幅装置は、入力信号を分割する分配手段と、分配手段により分割された入力信号の一方を増幅するキャリア増幅器と、分配手段により分割された入力信号の他方を増幅するピーク増幅器と、キャリア増幅器からの出力信号とピーク増幅器からの出力信号を合成する合成器と、を有するドハティ増幅回路と、ピーク増幅器のゲートバイアス電圧を参照電圧と比較し、該比較結果に応じて信号を出力する第1の比較器と、第1の比較器から信号が出力されると、ピーク増幅器のドレインへの電力供給を遮断する第1のスイッチと、を具備する。 (もっと読む)


【課題】寄生スイッチングデバイスのアクティビティを減らす電力変換器の増幅器システムを提供すること。
【解決手段】
電力変換器のための増幅器システムは、少なくとも、半導体の基板における集積回路に形成された第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスを含む。第1のスイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスは、ハーフブリッジの構成で形成され得、半導体の出力ノード上に増幅出力信号を生成するために、協働的に切り替え可能であり得る。抵抗器およびコンデンサは、半導体に含まれる、電源入力ノードと基板ノードとの間に並列に連結され得る。コンデンサは、集積回路に現れる寄生スイッチングデバイスのバイアスを逆転させるために、第1スイッチングデバイスおよび第2のスイッチングデバイスのスイッチングサイクルの間に、選択的にバイアスを下げる電圧に充電され得る。 (もっと読む)


【課題】受信用トランジスタを過入力による破壊から防ぐ簡易な構成であるとともに過入力が解消された後定常動作に復帰するまでの時間が短縮されるバイアス回路を得る。
【解決手段】バイアス回路は、受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、電界効果型トランジスタのドレイン電極とドレインバイアス端子の間に抵抗が直列に接続され、上記ドレイン電極とゲートバイアス端子の間に少なくとも2個以上の抵抗が直列に接続され、上記直列接続された2個以上の抵抗のうち2個の抵抗が接続される接続点を上記ゲート電極に接続する。 (もっと読む)


【課題】受信雑音性能の低下をともなうことなく簡易な構成により受信用トランジスタを過入力による破壊から防ぐことのできるバイアス回路を得る。
【解決手段】過入力保護回路を有さない受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、受信用増幅器を構成する受信用トランジスタ2のゲート端子に接続されたゲートバイアス回路8と、受信用トランジスタ2のドレイン端子に接続されたドレインバイアス回路9とを備える。ゲートバイアス回路8は、過入力時における受信用トランジスタ2のゲート電流Igまたはゲート電圧Vgの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。ドレインバイアス回路9は、過入力時の変化信号に応答して、受信用トランジスタ2に対するドレイン電圧Vdを低減させる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の熱抵抗を低減すること、および小型化できる技術を提供する。
【解決手段】複数の単位トランジスタQを有する半導体装置であって、半導体装置は、単位トランジスタQを第1の個数(7個)有するトランジスタ形成領域3a、3b、3e、3fと、単位トランジスタQを第2の個数(4個)有するトランジスタ形成領域3c、3dとを有し、トランジスタ形成領域3c、3dは、トランジスタ形成領域3a、3b、3e、3fの間に配置され、第1の個数は、第2の個数よりも多い。そして、単位トランジスタは、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層とを備えており、エミッタ層上には、エミッタ層と電気的に接続されたエミッタメサ層が形成され、このエミッタメサ層上に、エミッタ層と電気的に接続されたバラスト抵抗層が形成されている。 (もっと読む)


【課題】保護対象のスイッチング素子のラッチアップを阻止することができる保護装置、相補型保護装置、信号出力装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】PMOSトランジスタ106に対して過電流が流れていない状態でPMOSトランジスタ106を非導通状態にする場合、PMOSトランジスタ20A及びPMOSトランジスタ22の各々を導通状態とするように制御し、PMOSトランジスタ106に対して過電流が流れている状態でPMOSトランジスタ106を非道通状態にする場合、PMOSトランジスタ20Aを導通状態にすると共にPMOSトランジスタ22を非導通状態にするように制御する。 (もっと読む)


【課題】定電流回路の定電流源トランジスタを破損せずに、安定的にシャットダウンを行う。
【解決手段】電流切り替え回路は、エミッタフォロア回路(EF回路)と、定電流回路と、定電流回路をオン/オフするスイッチSW1とを備える。EF回路は、ベースが信号入力端子IN1に接続され、コレクタが電源VCC1に接続され、エミッタが信号出力端子OUT1に接続されたトランジスタQ1からなる。定電流回路は、ベースがスイッチSW1の出力に接続され、コレクタがトランジスタQ1のエミッタに接続されたトランジスタQ2と、第1の端子がトランジスタQ2のエミッタに接続され、第2の端子が電源VEE1に接続された抵抗RS1と、第1の端子がトランジスタQ2のコレクタに接続され、第2の端子が電源VEE1に接続されたリーク電流源JREAK1とからなる。 (もっと読む)


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