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Fターム[5J500AC58]の内容

増幅器一般 (93,357) | 目的、効果 (9,357) | その他の信頼性の向上 (124)

Fターム[5J500AC58]に分類される特許

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【課題】オン時における電流の迅速な立ち上がりを実現し、複雑な工程を経ることなく、n型HEMTとモノリシックにインバータを構成可能な半導体装置を得る。
【解決手段】第1の極性の電荷(ホール)供給層22aと、電荷供給層22aの上方に形成されており、凹部22baを有する第2の極性の電荷(ホール)走行層22bと、電荷走行層22bの上方で凹部22baに形成されたゲート電極29とを含むp型GaNトランジスタを備える。 (もっと読む)


【課題】電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2上に形成され、貫通口6aを有するパッシベーション膜6と、貫通口6aを埋め込むようにパッシベーション膜6上に形成されたゲート電極7とを有しており、ゲート電極7は、相異なる結晶配列の結晶粒界101が形成されており、結晶粒界101の起点が貫通口6aから離間したパッシベーション膜6の平坦面上に位置する。 (もっと読む)


【課題】どの現用増幅器も予備増幅器で代替可能であり、現用系から予備系への切替の前後どちらでも、増幅器の出力間の振幅及び位相が同じで、入力信号の振幅に依存しない冗長化増幅器を提供する。
【解決手段】入力P1〜Pmと出力Q1〜Qn(m、nは自然数、m<n)のうちのm個とを一対一に接続する第1のスイッチと、入力R1〜Rnのうちのm個と、m個の出力S1〜Smとを一対一に接続する第2のスイッチと、出力Q1〜Qnと入力R1〜Rnの間に一対一に接続された増幅器A1〜Anとを備える冗長化増幅器。第1及び第2のスイッチのそれぞれにおける入出力間の接続状態により、入力P1と出力S1、入力P2と出力S2、…、入力Pmと出力Smとを接続し、それぞれ増幅器A1〜Anのいずれかひとつを介して接続する信号経路L1〜Lmの経路長を、少なくとも2種類の接続状態で全て等しくする。 (もっと読む)


【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】HEMTは、SiC基板1上に、化合物半導体層2と、開口6bを有し、化合物半導体層2上を覆う、窒化珪素(SiN)の保護膜6と、開口6bを埋め込むように化合物半導体層2上に形成されたゲート電極7とを有しており、保護膜6は、その下層部分6aが開口6bの側面から張り出した張出部6cが形成されている。 (もっと読む)


【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体層2と、が設けられている。化合物半導体層2には、第1の不純物の活性化により発生した第1導電型のキャリアを含む第1の領域2aと、第1の不純物と同一種類の第2の不純物の活性化により発生したキャリアを、第1の領域2aよりも低濃度で含有する第2の領域2bと、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】駆動用アンプのゲインが変動するのをなるべく抑えて差動信号の駆動信号を生成して、その駆動信号によって容量性負荷を駆動することのできる駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器を提供する。
【解決手段】圧電スピーカー駆動用アンプ14は、キャパシタ41から圧電スピーカー15に転送されたエネルギーを、圧電スピーカー15を駆動するためのエネルギーに再利用する。その際に、PWM回路22のランプ波発生回路61は、圧電スピーカー15の両端子間の電圧変化分ΔV(V)に含まれる、インダクタ42にエネルギーをチャージする元のキャパシタ41の両端子間の電圧値Vlp(V)の成分と、圧電スピーカー15の両端子間の電圧値Vn−1(V)=Vspk(V)の成分とを打ち消すような傾きkをもち、かつ、その傾きkにチャージ時間t(μS)の二乗が乗じられた二次のランプ波を発生させる。 (もっと読む)


【課題】プロセスの耐圧を超える電圧が出力でき、要求される装置性能(高速・高電圧)を満足するドライバ集積化回路の構成を提供する。
【解決手段】差動入力回路と、レベルシフト回路と、出力回路が、同一のプロセスで製造され、基板電位(サブ電位)が異なる、3つ以上のチップに分割配置されており、それぞれのチップの基板印加電圧が異なるように設定することにより、プロセス耐圧よりも大きい出力電圧を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、光信号の変動に起因する誤動作を抑制することが可能な受信回路を提供する。
【解決手段】実施形態に係る受信回路は、光信号を受信し第1の光電流に変換する第1の受光素子と、前記第1の光電流を信号電圧に変換する信号電圧生成部と、前記光信号を受信し第2の光電流に変換する第2の受光素子と、前記第2の光電流を基準電圧に変換する基準電圧生成部と、前記基準電圧の信号成分を遅延低減する遅延要素と、前記信号電圧と、前記基準電圧に基づく閾値電圧と、を比較する比較器と、を備える。 (もっと読む)


【課題】低い電源電圧に対応する生産プロセスで生産された製品に対して高い電源電圧を供給した場合にも、ホットキャリアに起因するオペアンプ特性の劣化を回避することができるオペアンプを提供する。
【解決手段】バイアス電源回路が、2つのカレントミラー回路の間に挿入された一対の抵抗部を有して定電流バイアス電位の他に付加バイアス電位を生成し、差動増幅器が、差動入力トランジスタ対と能動負荷トランジスタ対との間に挿入され且つ当該付加バイアス電位によってバイアスされる電圧降下用トランジスタ対を含むオペアンプ。 (もっと読む)


【課題】スイッチに流れるオフリーク電流の影響を抑制し、利得の発振を抑える。
【解決手段】差動増幅器16は、入力信号が入力される入力端子27,28と、前記入力信号が増幅された出力信号を出力する出力端子25,26と、を備える差動増幅器16であって、前記入力信号を増幅し前記出力信号を生成する増幅部21と、前記増幅部21と電源端子との間に接続され、第1導電型トランジスタT34,T35と、前記第1導電型トランジスタT34,T35のゲート端子をドレイン端子に接続するかまたは前記出力端子25,26に接続するかを切り替える切り替えスイッチ22と、を有する負荷回路23と、前記切り替えスイッチ22のオフリーク電流を低減するキャンセル電流を生成するリークキャンセルスイッチ30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】複数の増幅器のいずれかが故障しても、出力電力の低下を抑制する高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】ウイルキンソン型電力合成器30は、第1と第2の増幅器1a、1bの出力信号を分離するアイソレーション抵抗32と該抵抗32の両端に配置されて制御回路5によって開放、短絡または抵抗32への接続の3経路のいずれかを選択可能なSP3Tスイッチ33a、33bからなる信号分離手段と、分離された第1および第2の増幅器の出力信号を出力端7に伝送する1/4波長線路31a、31bで構成されており、制御回路5は第1あるいは第2の電流検出回路2a、2bの検出結果によって第1または第2の増幅器の異常を検出すると、異常検出された増幅器の出力がウイルキンソン型電力合成器30で合成されないようにSP3Tスイッチ33a、33bの経路を選択する。 (もっと読む)


【課題】差動対を構成する2つのPMOSトランジスターにおけるNBTIの発生を可能な限り防ぐことにより出力オフセット電圧の発生を抑制可能な差動増幅回路及び集積回路装置を提供すること。
【解決手段】差動増幅回路1は、第1の信号が入力されるPMOSトランジスター10(第1のPMOSトランジスターの一例)と、第2の信号が入力されるPMOSトランジスター20(第2のPMOSトランジスターの一例)と、制御信号XSTBに基づいて、PMOSトランジスター10のゲートとバックゲートを同電位にするか否かを選択するPMOSトランジスター14(第1のスイッチ部の一例)と、制御信号XSTBに基づいて、PMOSトランジスター20のゲートとバックゲートを同電位にするか否かを選択するPMOSトランジスター24(第2のスイッチ部の一例)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】アナログスイッチとアナログスイッチ及びアナログスイッチと電荷信号を放電させるリセット回路とを備えることでオペアンプの入力端には流れこまないようにした、漏れ電流が信号に影響を与えないようにしたチャージアンプを提供する。
【解決手段】オペアンプ2の出力端子6とオペアンプ−入力端3に接続された積分コンデンサ7に、直列に接続したアナログスイッチS1とアナログスイッチS2を並列に接続し、更に前記アナログスイッチS1と前記アナログスイッチS2の接続点から接地点との間にアナログスイッチS3を接続し、前記積分コンデンサに充電した電荷信号を前記スイッチS1及びS2とで放電させるリセット回路とを備えたことを特徴とする圧電型センサの電荷信号を電圧信号に変換するチャージアンプにより提供される。 (もっと読む)


【課題】外付け抵抗の接続に不良が発生しても、正常な出力電流を得ることのできる定電流回路を提供する。
【解決手段】実施形態の定電流回路は、半導体集積回路に搭載され、出力電流を生成するカレントミラー回路103を備え、外部端子102に外付け抵抗Rextを接続することにより、カレントミラー回路103へ供給する基準電流Isが生成される定電流回路であって、オープン状態検出回路1が、外部端子102がオープン状態となったことを検出すると、代替回路2が、基準電流Isに相当する代替電流Iaをカレントミラー回路103へ供給する。 (もっと読む)


【課題】分布定数線路の長さの誤差または製造ばらつき等による特性変動を抑制すること。
【解決手段】制御端子と、第1端子と、第2端子と、を有する第1トランジスタT1と、制御端子に前記第1トランジスタの第2端子が接続し、第2端子に直流電源が接続される第2トランジスタT2と、前記第2トランジスタの第1端子から前記第1トランジスタの第2端子に直流電流を供給する、互いに独立した配線からなる複数の直流経路11、12と、前記複数の直流経路内にそれぞれ直列に設けられた分布定数線路L11、L12と、を具備する電子回路。 (もっと読む)


【課題】抵抗を使用せずナノアンペアレベルの電流で動作可能なBGR回路及びサブBGR回路を提供する。
【解決手段】電流源回路10は所定の電流を発生し、電圧発生回路20は、PNPバイポーラトランジスタQ1を含み、電流源回路10からの電流に基づいて、半導体素子のバンドギャップ電圧に基づいた負の温度特性を有するPNPバイポーラトランジスタQ1のベースエミッタ間電圧VBEを出力し、温度特性制御回路30は、電流源回路10からの電流に基づいてベースエミッタ間電圧VBEの負の温度特性を実質的に相殺する正の温度特性を有する電圧VGGを発生し、ベースエミッタ間電圧VBEに電圧VGGを加算して出力電圧VREF1を出力する。 (もっと読む)


【課題】増幅器パラメータの調整可能範囲について判断を行うことにより、最適な効率で増幅処理が行えるようにする。
【解決手段】 変調信号G1と、電力増幅器6から出力される送信信号G3の帰還信号G4とをサンプリングして、これを統計処理信号G5として出力する統計処理ユニット20と、効率改善ユニット30は、統計処理信号G5に基づき電力増幅器6のバックオフ量を演算して、この演算結果を特性信号G7として出力する特性演算部31、帰還信号G4に基づき送信信号G3の品質を監視して、これを監視信号G9として出力する信号品質監視部33、予め設定された送信信号G3に対する信号仕様を示す変調情報信号G8、監視信号G9及び、特性信号G7に基づき電力増幅器6における増幅器パラメータの調整許容度を判断し、電力増幅器6の増幅器パラメータを演算して、この演算結果を増幅器制御信号G10として電力増幅器6に出力する効率改善制御部32、を含む効率改善ユニット30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】増幅回路のゲイン精度を向上することのできる増幅回路システムの提供を図る。
【解決手段】ゲイン設定抵抗Ra,Rbによりゲインが設定される増幅回路1と、該増幅回路の後段に設けられた半導体集積回路2と、を有する増幅回路システムであって、前記ゲイン設定抵抗Ra,Rbが、前記半導体集積回路2の内部に形成されているように構成する。 (もっと読む)


【課題】温度補償回路に印加される参照電圧の変動や温度変動に対するコレクタ静止電流のさらなる安定化を図る。
【解決手段】エミッタ接地されたパワートランジスタ1のベースに、エミッタフォロワ動作する第1のトランジスタ102のエミッタ出力電圧を印加することで、パワートランジスタ1のコレクタ静止電流を制御可能に構成されてなる電力増幅器であって、コレクタに第1の抵抗器304が、エミッタに第2の抵抗器305が、それぞれ直列接続される一方、ベースに第3の抵抗器306がシャント接続されると共に、第1のダイオード203のカソードが接続された第2のトランジスタ103が設けられ、第1のダイオード203のアノードと第1の抵抗器304の他端は相互に接続されて参照電圧が印加可能とされ、第2のトランジスタ103のコレクタの出力電圧が第1のトランジスタ102のベースに印加されるよう構成されたものとなっている。 (もっと読む)


【課題】耐湿性を向上させることができるドハティ増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のドハティ増幅器は、入力信号を2つの信号に分配する分配器と、2つの信号のうち一方が入力し、第1チップに形成される第1FET11からなるキャリアアンプ10と、2つの信号のうち他方が入力し、第1チップと異なる第2チップ200に形成される第2FET13からなるピークアンプ12と、第2チップ200に形成され、第2FET13を加熱する第3FET32と、キャリアアンプ10の出力インピーダンスを変換し、キャリアアンプ10の出力信号と合成する合成器20と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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