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Fターム[5J500AH03]の内容

増幅器一般 (93,357) | 回路素子 (16,323) | 半導体素子 (6,058) | バイポーラトランジスタ(Bi−Tr) (1,374) | ラテラルトランジスタ (2)

Fターム[5J500AH03]に分類される特許

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【課題】低い電源電圧で駆動でき、かつ、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成するとともに、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくい半導体装置を提供することである。
【解決手段】第1のトランジスタのコレクタ端子と第2のトランジスタのエミッタ端子とを接続して出力端子とし、第1のトランジスタのベース端子と第2のトランジスタのベース端子とを接続して第1のベース端子とし、第1のトランジスタと第2のトランジスタとは同一構造であり、第1のベース端子には、第1のトランジスタのエミッタ側pn接合がわずかに順方向バイアスされる動作領域から逆方向バイアスされる動作領域となる範囲の電圧を印加され、供給電圧には、第1及び第2のトランジスタがnpn、又はpnpかによって、正の電圧又は負の電圧を印加される半導体装置。 (もっと読む)


【課題】温度と無関係に同一の動作および性能特性を示す増幅器を設計することが望まれる。
【解決手段】改良された直線性および低減されたパワー消費を備えた高周波数応答性を与える可変利得増幅器が提供される。改良された直線性および安定した動作のために複数の信号経路および補償回路網を備えた、1段トポロジから構築される増幅器が開示される。この増幅器において、改良された性能は、単一のトランジスタコンポーネントを、局所的な負帰還を組み込むエンハンスされた活性デバイスと置き換えることにより、取得される。本発明の1実施形態は、従来技術に対して、トランスコンダクタンスおよび入力インピーダンスを向上させるエンハンスメント回路である。さらなる発展は、改良された直線性を提供するエンハンスされた活性なカスコード回路である。 (もっと読む)


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