【課題】 ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、温度変動に伴う利得変化を抑制することができる高周波増幅回路を得る。
【解決手段】 高周波信号を減衰させる可変減衰器と、半導体のバンドギャップに基づき温度比例電流及び温度固定電流を出力するバンドギャップリファレンス電流源回路と、前記温度比例電流及び前記温度固定電流を入力とし、温度に対して所定の傾きで変化する電圧を出力する可変減衰器制御電圧生成回路とを備え、前記可変減衰器制御電圧生成回路の出力電圧で前記可変減衰器の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】少ない電流量で出力電圧の歪みを低減できるトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】エミッタまたはソースと、コレクタまたはドレインと、これらエミッタまたはソース及びコレクタまたはドレイン間の電流量を制御する電圧が印加されるベースまたはゲートと、を備え、コレクタまたはドレインが容量性負荷１０３に接続されるバイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタのコレクタまたはドレインに接続され、電流を供給する機能付電流源１０２と、ベースまたはゲートに入力される電圧の大きさに応じて機能付電流源１０２の電流を制御するコントロール回路１０５と、によってトランジスタ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】電流源によって流れる電流量を増大させることなく、出力信号の立ち上り、立ち下りを高速化することができるダブルソースフォロア回路を提供する。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２とは極性が異なるｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路に入力信号を入力する入力端子１１１と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路から出力信号を出力する共通の出力端子１１２）と、を含むダブルソースフォロア回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＮＦを増大させること無く、ＣＭＯＳ ＬＮＡ回路の非動作時に、ＣＭＯＳ ＬＮＡ回路に電流を流さないような構成とすることが可能な、増幅回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に、受信された無線信号を入力する信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された入力トランジスタと、信号入力端子と入力トランジスタのゲート電極との間に設けられる第１スイッチと、電源端子と入力トランジスタのドレイン電極との間に設けられる第２スイッチと、を備え、入力トランジスタのゲート電極には所定のバイアス電圧が印加され、無線信号の受信時には、第１スイッチと第２スイッチとを同時にオンにして、無線信号の送信時には、所定のバイアス電圧を入力トランジスタのゲート電極に印加したまま、第１スイッチと第２スイッチとを同時にオフにすることを特徴とする、増幅回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】入力トランジスタの構造を櫛形構造にしてゲート抵抗を抑えつつ、ＮＦの増大を防ぐことが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタは、ゲート配線から櫛歯状に延びて形成され、信号入力端子からの入力信号が供給されるゲート電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるソース配線から、ゲート電極の櫛歯の間に１つ起きに櫛歯状に延びて形成される、接地端子に接続されたソース電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるドレイン配線から、ゲート電極の櫛歯の間のソース電極が存在しない箇所に櫛歯状に延びて形成される、電源端子に接続されたドレイン電極と、を備え、ゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とは、重なり合う領域が存在しないことを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】ノイズフィギュアの劣化を抑制しつつ、過入力信号を調整可能な上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する。
【解決手段】入力トランジスタと、第１端が前記入力トランジスタのゲートに接続され、第２端がバイアス電圧に接続される抵抗素子と、前記入力トランジスタのゲートに接続され、前記入力トランジスタのゲートへの入力を、前記バイアス電圧を基準とする（調整可能な）上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する保護回路と、を備える、増幅回路。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板にＬＮＡ回路を形成した場合や、バルクＣＭＯＳプロセスを用いてＬＮＡ回路を形成した場合に、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成し、ボディ電位と、ソース電位以下の電位との間を、抵抗素子で接続することを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。かかるＣＭＯＳ集積回路を用いることで、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級増幅回路において、確実に電源パンピングの影響をキャンセルする。
【解決手段】第１スイッチ６１がオン、第２スイッチ６３がオフの時に、電源電圧ＶＤＤと接地間の電流をコンデンサ６２に充電させ、第１スイッチ６１がオフ、第２スイッチ６３がオンの時に、コンデンサ６２の電圧と基準電圧Ｖｒとをコンパレータ６４により比較する。コンパレータ６４の出力をパワーリミット回路３０に入力し、コンデンサ６２の電圧が基準電圧Ｖｒを超える場合には、ＰＷＭ変調回路２０からの出力信号のパルス幅を制限する。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子にて増幅したＰＷＭ信号を低損失で合成し、変調信号を復調することが可能なスイッチング回路、及び該スイッチング回路を備える包絡線信号増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態のスイッチング回路３３は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のトランジスタＭ１〜Ｍｎのスイッチングを制御するための各制御端子をＮ−１個のコイルＬ１を介して縦続接続する接続回路と、一端が直流電源に電気的に接続されるコイルＬ２の他端及びトランジスタＭ１〜Ｍｎの各一端の間に各別に接続されたコイルＬ３とを備え、接続回路の入力端子に入力されるＰＷＭ信号にて、スイッチング素子Ｍ１〜Ｍｎを順次スイッチングさせるようにしてある。また、スイッチング回路３３は、コイルＬ２の一端側又は他端側に縦続接続されるように挿入されたトランジスタＭ０を更に備える。 （もっと読む）

【課題】出力バッファを有するオペアンプＡ１であつて、オフセット電位を従来よりも抑えられるオペアンプ補償回路を提供する。
【解決手段】バッファの出力と接地間に、入力信号が接地から電源電圧まで変化されるＭＯＳトランジスタＴ１を有し、あるいは、ＮチャンネルトランジスタＴＮ１と、ＰチャンネルトランジスタＴＰ１とを並列接続し、それぞれ入力信号と反転された入力信号が入力されている構成を有し、オフセット電位が接地となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、電源電圧ＶＤＤ〜接地電圧ＶＳＳ間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＰ１１と、低電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＮ１１と、電源電圧ＶＤＤより低く接地電圧ＶＳＳより高い中間電圧ＶＭＬが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタＭＰ１１のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタＭＰ１１のゲート電圧と中間電圧ＶＭＬとの電圧差に基づいて出力トランジスタＭＰ１１のゲートをクランプするクランプ用トランジスタＭＰ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】消費電流が小さな駆動回路を提供する。
【解決手段】オフセット補償機能付き駆動回路１９０は、入力電位に応じたレベルの出力電位を出力するプッシュ型駆動回路１６０と、駆動回路１６０のオフセット電圧ＶＯＦを補償するオフセット補償回路とを備える。オフセット補償回路は、キャパシタ１２２およびスイッチＳ１〜Ｓ４を含む。スイッチＳ１，Ｓ２をオンしてキャパシタ１２２をオフセット電圧ＶＯＦに充電し、次にスイッチＳ３をオンしてＶＩ＋ＶＯＦを駆動回路１６０に与え、次いでスイッチＳ４をオンしてＶＯ＝ＶＩとする。したがって、消費電流を低減し、オフセット電圧ＶＯＦを補償できる。 （もっと読む）