【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴは、ＳｉＣ基板１上に、化合物半導体層２と、開口６ｂを有し、化合物半導体層２上を覆う、窒化珪素（ＳｉＮ）の保護膜６と、開口６ｂを埋め込むように化合物半導体層２上に形成されたゲート電極７とを有しており、保護膜６は、その下層部分６ａが開口６ｂの側面から張り出した張出部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】オン時における電流の迅速な立ち上がりを実現し、複雑な工程を経ることなく、ｎ型ＨＥＭＴとモノリシックにインバータを構成可能な半導体装置を得る。
【解決手段】第１の極性の電荷（ホール）供給層２２ａと、電荷供給層２２ａの上方に形成されており、凹部２２ｂａを有する第２の極性の電荷（ホール）走行層２２ｂと、電荷走行層２２ｂの上方で凹部２２ｂａに形成されたゲート電極２９とを含むｐ型ＧａＮトランジスタを備える。 （もっと読む）

【課題】電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上に形成され、貫通口６ａを有するパッシベーション膜６と、貫通口６ａを埋め込むようにパッシベーション膜６上に形成されたゲート電極７とを有しており、ゲート電極７は、相異なる結晶配列の結晶粒界１０１が形成されており、結晶粒界１０１の起点が貫通口６ａから離間したパッシベーション膜６の平坦面上に位置する。 （もっと読む）

【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１の上方に形成された化合物半導体層２と、が設けられている。化合物半導体層２には、第１の不純物の活性化により発生した第１導電型のキャリアを含む第１の領域２ａと、第１の不純物と同一種類の第２の不純物の活性化により発生したキャリアを、第１の領域２ａよりも低濃度で含有する第２の領域２ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】クラスＥのＨＰＡが広い帯域幅にわたって同時に高いＰＡＥ及び電力を維持することを可能にする。
【解決手段】スイッチングモード電力増幅器の出力に結合されたシャント誘導素子と、前記増幅器の前記出力に結合されている直列の誘導素子と、前記直列の誘導素子に結合されている直列の容量素子とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】高効率でかつ広帯域化されたC級増幅器を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係るC級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)未満において、前記増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、２倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2とし、X1とR1の関係を−R1≦X1≦R1、R1をR1=Vdc/Imax・π・{1−cos(θo/2)}/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−{θo/2−sin(θo)/2}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ（ＧａＮ ＨＥＭＴ）電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用３ステージ（Ｔｈｒｅｅ−Ｓｔａｇｅ）ＧａＮ ＨＥＭＴドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第１及び第２のピーク増幅器を含む高周波用３ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第１及び第２のピーク増幅器に入力信号を分配するための１０ｄＢ電力分配器；前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第１の経路部；及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第２の経路部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】増幅器の故障を確実に検出できる増幅装置及び増幅装置の故障監視方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施態様に係る増幅装置は、入力信号を分割する分配手段と、分配手段により分割された入力信号の一方を増幅するキャリア増幅器と、分配手段により分割された入力信号の他方を増幅するピーク増幅器と、キャリア増幅器からの出力信号とピーク増幅器からの出力信号を合成する合成器と、を有するドハティ増幅回路と、ピーク増幅器のゲートバイアス電圧を参照電圧と比較し、該比較結果に応じて信号を出力する第１の比較器と、第１の比較器から信号が出力されると、ピーク増幅器のドレインへの電力供給を遮断する第１のスイッチと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】より広い周波数範囲で同時的な高電力と高電力付加効率（ＰＡＥ）をもたらす改良されたＥ級増幅器を提供する。
【解決手段】２段のＥ級の高電力増幅器100は駆動装置段102、Ｅ級段間整合ネットワーク（ＩＳＭＮ）104、負荷回路を使用する高電力段106を含んでいる。負荷回路はスイッチングモード回路の出力に結合されている直列の誘導性−容量性ネットワークと、スイッチングモード回路の出力に結合されているキャパシタンスを提供するための回路を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＦＭ帯以下の周波数帯域において、アンテナ素子長を55[mm］程度まで短縮しても、従来と同等以上の性能を有する地上放送波受信用アンテナ装置を提供する。
【解決手段】アンテナ素子１０の受信波のうち当該アンテナ素子１０の共振点以下の周波数の受信波を増幅する、受信周波数に対して等価雑音抵抗が２Ω以下となる化合物半導体ＨＥＭＴとを含んで増幅器１２−Ａを構成し、雑音指数（ＮＦ）をＦＭ帯以下の広い周波数帯域にわたってほぼ一定になるようにした。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率（ＰＡＥ）および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にＲＦ信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 （もっと読む）

【課題】バイアスの供給のオン・オフを切り替える際の、過剰な貫通電流の発生を防止する。
【解決手段】ソース端子が接地されたＨＥＭＴ１にバイアスを供給するＨＥＭＴバイアス回路１０であって、オペアンプＡＭＰ１と、抵抗素子ＲＩと、スイッチＳＷｇと、スイッチＳＷｄと、基準電圧源ＶＲＥＦと、基準電圧源ＶＤＲＡＩＮと、負電源電圧源ＶＮＥＧとを備え、オペアンプＡＭＰ１は、正入力端子がＨＥＭＴ１のドレイン端子に接続され、負入力端子が基準電圧源ＶＤＲＡＩＮに接続され、出力端子がＨＥＭＴ１のゲート端子に接続され、負電源端子がスイッチＳＷｇの切り替えにより負電源電圧源ＶＮＥＧまたはグランドに接続可能とされ、抵抗素子ＲＩは、第１端子および第２端子を有し、該第１端子がＨＥＭＴ１のドレイン端子に接続され、該第２端子がスイッチＳＷｄの切り替えにより基準電圧源ＶＲＥＦまたはグランドに接続可能とされている。 （もっと読む）

【課題】入力変調信号のエンベロープのダイナミックレンジが大きい場合においても、利得の低下を抑えることができるエンベロープトラッキング方式の高周波増幅器を提供すること。
【解決手段】変調電源回路１００は、エンベロープ信号に対応した変調電源制御信号に応じて出力電圧を可変する変調電源１２０と、前記出力電圧が高い第１の電圧領域で最適な動作をする第１の高周波デバイス１４０と、前記出力電圧が第１の電圧領域より低い第２の電圧領域で最適な動作をする第２の高周波デバイス１５０と、第１の高周波デバイス１４０又は第２の高周波デバイス１５０のどちらかの通過経路及び出力信号を切り替える入力ＲＦスイッチ１６０及び出力ＲＦスイッチ１７０と、入力ＲＦスイッチ１６０及び出力ＲＦスイッチ１７０を切替制御する切替信号を生成する切替信号生成部１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性が高く、かつ、小型化が可能なパルス電力増幅器を提供すること。
【解決手段】増幅器１１と、増幅器１１のドレイン端子Ｄに接続され、第１の制御パルスＰ１に従って動作が制御されるスイッチ１７と、スイッチ１７に接続された正電圧源１８と、増幅器１１のゲート端子Ｇに並列に接続された第１の抵抗１９、第２の抵抗２０と、第１の抵抗１９に接続された負電圧源２１と、第１の制御パルスＰ１に同期して入力された第２の制御パルスＰ２を微分波形Ｐ３に変換して、増幅器１１のゲート端子Ｇに出力するキャパシタ２２と、を具備し、第１、第２の抵抗値１９、２０、およびキャパシタ２２の容量値は、これらの値によって定められる微分波形Ｐ３の時定数が、増幅器１１の熱時定数に一致する値であり、ゲート端子Ｇとキャパシタ２２の他端との間から入力された高周波を、スイッチ１７の動作に対応した高周波パルスに変換して、ドレイン端子Ｄとスイッチ１７の一端との間から出力するパルス電力増幅器。 （もっと読む）

【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 （もっと読む）

【課題】最低所要供給電圧が低く、小さいチップ領域を占め、電流消費が低く、供給電圧の変動に強いバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】電圧ジェネレータ（ＶＧ）と、供給回路（ＳＣ）と、バイアス要素（ＢＢ）および制御要素（ＣＢ）を含むバイアス回路（ＢＣ）とを、バンドギャップリファレンス回路は含む。供給回路（ＳＣ）の制御要素（ＣＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）の制御要素（ＣＢ）のうちの一つは、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたはヘテロ接合バイポーラトランジスタを含み、供給回路（ＳＣ）のバイアス要素（ＢＳ）およびバイアス回路（ＢＣ）のバイアス要素（ＢＢ）のうちの一つは、ロングゲート擬似格子整合型高電子移動度トランジスタまたは抵抗を含む。擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 （もっと読む）

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びロングゲート疑似格子整合高電子移動度トランジスタを備える回路ユニット（ＣＵ）。前記ロングゲート疑似格子整合高電子移動度トランジスタのソース（Ｓ）又はドレイン（Ｄ）が、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタ（Ｃ）又はエミッタ（Ｅ）に電気的に結合される。 （もっと読む）

【課題】温度依存性の低減、電源電圧依存性の低減、電源電圧および負電圧に重畳されている雑音の十分な減衰、製造プロセスの選定自由度の向上、を実現することができるバイアス回路、ＬＮＡ、ＬＮＢ、通信用受信機、通信用送信機、およびセンサーシステムを提供する。
【解決手段】ソース端子４が接地されたＨＥＭＴ１のためのＨＥＭＴバイアス回路１１であって、両電源型のオペアンプＡＭＰ１と、抵抗素子ＲＩと、第１基準電圧源ＶＸと、第２基準電圧源ＶＹとを備え、オペアンプＡＭＰ１は、正入力端子がＨＥＭＴ１のドレイン端子３に接続され、負入力端子が第２基準電圧源ＶＹに接続され、出力端子がＨＥＭＴ１のゲート端子に接続され、抵抗素子ＲＩは、一方の端子がＨＥＭＴ１のドレイン端子３に接続され、他方の端子が第１基準電圧源ＶＸに接続されている。 （もっと読む）