【課題】 電源オフ状態に移行する際に、漏れ電流によって蓄積手段が充電され、２つの出力素子の入力が共にハイレベルになり、出力が共にローレベルになり、次に電源オン状態に移行する際に、パルス幅変調動作を開始することができないとい問題を解決でき、かつ、入力信号に正確に対応したパルス幅変調信号を出力することができるパルス幅変調回路を提供する。
【解決手段】 パルス幅変調回路２０は、電源オン状態から電源オフ状態に移行する際に、オン状態に制御されることにより、漏れ電流の原因となる電源電圧Ｖ２を接地電位に瞬時に放電させ、０Ｖにさせるスイッチ手段Ｑ４を備える。スイッチ手段Ｑ４は、ダイオードＤ１、Ｄ２の各カソード側に接続されているので、電流Ｉ１、Ｉ２によってコンデンサＣ１、Ｃ２を充電する際に、コンデンサＣ１、Ｃ２から電気的に分離された状態になるので、Ｃ１、Ｃ２の充電に誤差を与えない。 （もっと読む）

【課題】入力電流の大きさに応じた量の電流を入力電流から分流することによりダイナミックレンジが拡大されたトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）において、入力インピーダンスの変化を低減する。
【解決手段】ＴＩＡ１０は、光電流Ｉｉｎの大きさに応じた出力電圧Ｖｏｕｔを生成する。ＴＩＡ１０は、光電流Ｉｉｎを出力電圧Ｖｏｕｔに変換する利得可変増幅回路１２と、光電流Ｉｉｎが大きいほど大きな電流Ｉｃｄを光電流Ｉｉｎから分流する分流回路１４と、光電流Ｉｉｎが大きいほど利得可変増幅回路１２の利得を小さくする利得調整回路２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、温度変動に伴う利得変化を抑制することができる高周波増幅回路を得る。
【解決手段】 高周波信号を減衰させる可変減衰器と、半導体のバンドギャップに基づき温度比例電流及び温度固定電流を出力するバンドギャップリファレンス電流源回路と、前記温度比例電流及び前記温度固定電流を入力とし、温度に対して所定の傾きで変化する電圧を出力する可変減衰器制御電圧生成回路とを備え、前記可変減衰器制御電圧生成回路の出力電圧で前記可変減衰器の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】電流源によって流れる電流量を増大させることなく、出力信号の立ち上り、立ち下りを高速化することができるダブルソースフォロア回路を提供する。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２とは極性が異なるｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路に入力信号を入力する入力端子１１１と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路から出力信号を出力する共通の出力端子１１２）と、を含むダブルソースフォロア回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＮＦを増大させること無く、ＣＭＯＳ ＬＮＡ回路の非動作時に、ＣＭＯＳ ＬＮＡ回路に電流を流さないような構成とすることが可能な、増幅回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に、受信された無線信号を入力する信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された入力トランジスタと、信号入力端子と入力トランジスタのゲート電極との間に設けられる第１スイッチと、電源端子と入力トランジスタのドレイン電極との間に設けられる第２スイッチと、を備え、入力トランジスタのゲート電極には所定のバイアス電圧が印加され、無線信号の受信時には、第１スイッチと第２スイッチとを同時にオンにして、無線信号の送信時には、所定のバイアス電圧を入力トランジスタのゲート電極に印加したまま、第１スイッチと第２スイッチとを同時にオフにすることを特徴とする、増幅回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】入力トランジスタの構造を櫛形構造にしてゲート抵抗を抑えつつ、ＮＦの増大を防ぐことが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタは、ゲート配線から櫛歯状に延びて形成され、信号入力端子からの入力信号が供給されるゲート電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるソース配線から、ゲート電極の櫛歯の間に１つ起きに櫛歯状に延びて形成される、接地端子に接続されたソース電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるドレイン配線から、ゲート電極の櫛歯の間のソース電極が存在しない箇所に櫛歯状に延びて形成される、電源端子に接続されたドレイン電極と、を備え、ゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とは、重なり合う領域が存在しないことを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路１００のノイズを抑制する。
【解決手段】非反転アンプ１４は、第３演算増幅器ＯＡ３および分圧回路Ｒ１、Ｒ２を含み、第１バッファ１０の出力電圧を非反転増幅する。スイッチＳＷ２は、第３演算増幅器ＯＡ３の出力端子とその反転入力端子の間に設けられる。制御回路２０は、第２電源電圧ＶＣＣ２が所定のしきい値電圧より低いときにスイッチＳＷ２をオンし、第２電源電圧ＶＣＣ２がしきい値電圧より高いときにスイッチＳＷ２をオフする。 （もっと読む）

【課題】ノイズフィギュアの劣化を抑制しつつ、過入力信号を調整可能な上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する。
【解決手段】入力トランジスタと、第１端が前記入力トランジスタのゲートに接続され、第２端がバイアス電圧に接続される抵抗素子と、前記入力トランジスタのゲートに接続され、前記入力トランジスタのゲートへの入力を、前記バイアス電圧を基準とする（調整可能な）上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する保護回路と、を備える、増幅回路。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板にＬＮＡ回路を形成した場合や、バルクＣＭＯＳプロセスを用いてＬＮＡ回路を形成した場合に、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成し、ボディ電位と、ソース電位以下の電位との間を、抵抗素子で接続することを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。かかるＣＭＯＳ集積回路を用いることで、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級増幅回路において、確実に電源パンピングの影響をキャンセルする。
【解決手段】第１スイッチ６１がオン、第２スイッチ６３がオフの時に、電源電圧ＶＤＤと接地間の電流をコンデンサ６２に充電させ、第１スイッチ６１がオフ、第２スイッチ６３がオンの時に、コンデンサ６２の電圧と基準電圧Ｖｒとをコンパレータ６４により比較する。コンパレータ６４の出力をパワーリミット回路３０に入力し、コンデンサ６２の電圧が基準電圧Ｖｒを超える場合には、ＰＷＭ変調回路２０からの出力信号のパルス幅を制限する。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子にて増幅したＰＷＭ信号を低損失で合成し、変調信号を復調することが可能なスイッチング回路、及び該スイッチング回路を備える包絡線信号増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態のスイッチング回路３３は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のトランジスタＭ１〜Ｍｎのスイッチングを制御するための各制御端子をＮ−１個のコイルＬ１を介して縦続接続する接続回路と、一端が直流電源に電気的に接続されるコイルＬ２の他端及びトランジスタＭ１〜Ｍｎの各一端の間に各別に接続されたコイルＬ３とを備え、接続回路の入力端子に入力されるＰＷＭ信号にて、スイッチング素子Ｍ１〜Ｍｎを順次スイッチングさせるようにしてある。また、スイッチング回路３３は、コイルＬ２の一端側又は他端側に縦続接続されるように挿入されたトランジスタＭ０を更に備える。 （もっと読む）