【課題】 ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、温度変動に伴う利得変化を抑制することができる高周波増幅回路を得る。
【解決手段】 高周波信号を減衰させる可変減衰器と、半導体のバンドギャップに基づき温度比例電流及び温度固定電流を出力するバンドギャップリファレンス電流源回路と、前記温度比例電流及び前記温度固定電流を入力とし、温度に対して所定の傾きで変化する電圧を出力する可変減衰器制御電圧生成回路とを備え、前記可変減衰器制御電圧生成回路の出力電圧で前記可変減衰器の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路１００のノイズを抑制する。
【解決手段】非反転アンプ１４は、第３演算増幅器ＯＡ３および分圧回路Ｒ１、Ｒ２を含み、第１バッファ１０の出力電圧を非反転増幅する。スイッチＳＷ２は、第３演算増幅器ＯＡ３の出力端子とその反転入力端子の間に設けられる。制御回路２０は、第２電源電圧ＶＣＣ２が所定のしきい値電圧より低いときにスイッチＳＷ２をオンし、第２電源電圧ＶＣＣ２がしきい値電圧より高いときにスイッチＳＷ２をオフする。 （もっと読む）

【課題】アイドリング電流の影響を受けることなく高精度に電流検出を行うことが可能な電流出力回路を小規模な回路で実現すること。
【解決手段】第１の増幅器と、第１の増幅器の出力を入力するプッシュプル形出力段と、プッシュプル形出力段の第１のトランジスタ及び第２のトランジスタに対して夫々カレントミラー接続した電流検出器の第３のトランジスタ及び第４のトランジスタと、第３のトランジスタのドレインを第１のトランジスタのドレインの電位と等しくするバッファ回路と、第４のトランジスタのドレインに接続された電流検出抵抗と、を備える。プッシュプル形出力段の増幅信号は、負荷を介して第１の増幅器の反転入力端子に接続される。この構成により、電流検出抵抗にアイドリング電流を流さないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう影響を排除する。
【解決手段】アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 （もっと読む）

【課題】演算増幅器の充電にかかる負荷を抑え、低消費電力化を実現できるスイッチドキャパシタ積分器を提供する。
【解決手段】演算増幅器１２２を含む積分器１０２、演算増幅器１２２の入力端子１２２ａに信号を入力するスイッチドキャパシタ回路１０１、演算増幅器１２２の出力端子１２２ｃと接続する出力端子４４３を有するスイッチドキャパシタ回路１０３を含み、積分器１０２及びスイッチドキャパシタ回路１０１がサンプリング動作と積分動作とを繰返し、スイッチドキャパシタ回路１０３は、キャパシタ１３３、キャパシタ１３３をサンプル、ホールド動作させるスイッチング素子１３１、１３２を含み、スイッチング素子１３１、１３２がキャパシタ１３３を、積分動作中にホールド動作させる。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧補償装置において、部品点数の増加を抑えながら、増幅器のオフセット電圧を補償して、センサ部の直流出力信号の真値を検出する。
【解決手段】オフセット電圧補償装置１は、電源２と接続され物理量を計測して出力信号に変換するセンサ部３と、センサ部３の入力を短絡する切替器４と、センサ部３の出力信号を増幅する増幅器５と、増幅器５の出力に基づいて電気量を演算する演算器６とを備える。演算器６は、センサ部３の入力を短絡していない時の増幅器５の出力から、短絡時の増幅器５の出力を減算して信号成分の差分を抽出する。次に、当該信号成分の差分と、センサ部３の抵抗値及び切替器４の抵抗値から定められる所定の係数とを用いて、センサ部３の出力信号の真値を検出する。 （もっと読む）

【課題】１または複数の他の定電流回路との間で共通インピーダンスを共有する定電流回路の出力電流に、他の定電流回路の出力電流に起因した誤差が生じることを防ぐ。
【解決手段】オペアンプと、当該オペアンプの出力端子にゲートが接続されドレインが当該定電流回路の出力端となる電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタのソースと共通インピーダンスとの間に介挿された抵抗と、を有する定電流回路に、共通インピーダンスおよび抵抗の共通接続点の電圧を第１の基準電圧とし、オペアンプの非反転入力端子には、第２の基準電圧と第１の基準電圧と電位差を所定の分圧比で分圧した電圧を印加し、同反転入力端子には、電界効果トランジスタのソースおよび抵抗の共通接続点の電圧と第３の基準電圧との電位差を所定の分圧比で分圧した電圧を印加する分圧回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】温度補正を行なわなくても、逆対数変換した際に得られる出力信号が線形性を保つことができる対数／逆対数変換回路を提供する。
【解決手段】対数変換回路１の電流帰還用トランジスタＴＲ２を通過した電流信号Ｉｉｎを逆対数変換回路２に入力し、電流／電圧変換回路３でこの電流信号Ｉｉｎをこれに対応した電圧値に変換した後、引算回路４で電流／電圧変換回路３の出力電圧と予め設定された基準電圧との差分を出力する構成とし、かつ引算回路４はその差分出力が電流信号Ｉｉｎに比例した線形性をもつように回路定数を設定している。 （もっと読む）

【課題】 チャネルセパレーションの改善が可能なヘッドホンアンプ等の音声出力アンプを提供する。
【解決手段】 ヘッドホンアンプ１００は、スピーカＳＰＬおよびＳＰＲを各々駆動するＬチャネル用増幅回路１００ＬおよびＲチャネル用増幅回路１００Ｒを具備する。Ｌチャネル用増幅回路１００ＬおよびＲチャネル用増幅回路１００Ｒの各々は、負荷であるスピーカに供給する電流の経路上に介挿された電流検出抵抗Ｒ５を有し、当該増幅回路に与えられる音声入力信号の電圧値に比例した電圧を電流検出抵抗Ｒ５の両端間に発生させる電流制御部１３０を有する。このヘッドホンアンプ１００では、Ｌチャネル音声入力信号ＡＬおよびＲチャネル音声信号ＡＲの各電圧値に比例した各電流をスピーカＳＰＬおよびＳＰＲに供給することができるのでチャネルセパレーションを高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 過電流保護のための出力電流−出力電圧特性として所望の特性が得られ、通常動作領域において負荷電流が多くなった場合にも過電流保護ポイントまで正常な出力電圧制御動作が行えるレギュレータ用の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 電圧入力端子と出力端子との間に接続された制御用トランジスタ（Ｍ１）によって流される出力電流に縮小比例した電流を流す電流監視用トランジスタ（Ｍ２）と、該電流監視用トランジスタに流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換手段（Ｒ３）とを備え、通常動作状態では前記電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流さないようにし、電流監視用トランジスタに流れる電流が所定値以上になった場合には、電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流し、該電流−電圧変換手段により変換された電圧に基づいて制御用トランジスタをオフさせるように過電流保護回路（１３）を構成した。 （もっと読む）

【課題】増幅回路を速やかに正常動作に復帰させることが可能な半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、容量素子Ｃ１Ｔ，Ｃ１Ｂを介してそれぞれ供給される第１及び第２電圧信号の電位差を増幅し、第１及び第２増幅信号を出力する全差動増幅回路ＯＰＡ１と、第１増幅信号を全差動増幅回路ＯＰＡ１の反転入力端子に帰還する抵抗素子ＲＦＢＴと、第２増幅信号を全差動増幅回路ＯＰＡ１の非反転入力端子に帰還する抵抗素子ＲＦＢＢと、所定電圧ＶＢを生成する電圧生成部５０と、電圧生成部５０によって生成された所定電圧ＶＢを、全差動増幅回路ＯＰＡ１のそれぞれの入力端子に伝達する抵抗素子ＲＢＴ，ＲＢＢと、を備える。 （もっと読む）

【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路１００のノイズを抑制する。
【解決手段】第１バッファ１０の電源端子には、第１電源からの第１電源電圧ＶＣＣ１が供給される。第２バッファ１２の電源端子には、第１電源からの第１電源電圧ＶＣＣ１が供給される。非反転アンプ１４の電源端子には、第２電源電圧ＶＣＣ２が供給される。起動電圧源１６は、その電源端子に第２電源電圧ＶＣＣ２を受け、起動電圧ＶＳＴＡＲＴを生成する。制御回路２０は、第２電源電圧ＶＣＣ２が所定のしきい値電圧より低いときにスイッチＳＷ１をオンし、第２電源電圧ＶＣＣ２がしきい値電圧より高いときにスイッチＳＷ１をオフする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で入力オフセット電圧の温度依存性が小さいセンサ信号処理装置を提供する。
【解決手段】センサ用電源として第１の電源電圧Ｖ´ｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２を出力するセンサ部１００と、信号処理用電源として第２の電源電圧Ｖｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２が入力される差動対を使用する差動増幅部を有して信号処理を行なう信号処理部２００と、を有してセンサ信号処理装置１を構成する。この第１の電源電圧Ｖ´ｃｃは、信号処理部２００の差動増幅部２５０の入力電圧範囲の下限領域に設定される。 （もっと読む）

【課題】最小限の構成を用いて、演算増幅器の入出力端子間の寄生容量に起因する増幅回路の演算誤差を補償し、高精度の増幅率を得る。
【解決手段】増幅回路１０は、一方の端子が演算増幅器Ａ１の反転入力端子に、他方の端子が演算増幅器Ａ１の反転出力端子に接続された容量ＣＰ５と、一方の端子が演算増幅器Ａ１の非反転入力端子に、他方の端子が演算増幅器Ａ１の非反転出力端子に接続された容量ＣＮ５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】正常動作する入力信号電圧範囲を広げることが可能な差動増幅回路を提供する。
【解決手段】差動信号が入力され、該差動信号を構成する２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路であって、差動信号を構成する２つの信号の平均電圧を検出する平均電圧検出回路２と、平均電圧検出回路２で検出した平均電圧を基準として正負の電源電圧を生成する電源電圧発生回路３と、電源電圧発生回路３で生成した正負の電源電圧を正電源、負電源として用い、差動信号を構成する２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路本体４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】正常動作する入力信号電圧範囲を広げることが可能な差動増幅回路を提供する。
【解決手段】差動信号が入力され、該差動信号を構成する２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路であって、差動信号を構成する２つの信号の平均電圧を検出する平均電圧検出回路２と、差動信号を構成する２つの信号のそれぞれに対応するように設けられ、差動信号を構成する一の信号を、平均電圧検出回路２で検出した平均電圧と等しい電圧降圧して出力する２つの電圧シフト回路３，４と、２つの電圧シフト回路３，４のそれぞれから出力される２つの信号の電圧の差を増幅して出力する差動増幅回路本体５と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳスイッチによる抵抗の調整機能を有する演算回路において、面積の増加を最小限に留め、かつ、非常に簡易な方法でＭＯＳスイッチの寄生容量の影響を抑える演算回路を提供する。
【解決手段】ＭＯＳスイッチ２１−２３のゲートやバックゲートに、調整対象の抵抗１１−１３よりも数倍以上大きな抵抗３１−３３、６１を設けることにより、寄生容量でできる極とほぼ同じ周波数にゼロが発生し、寄生容量の影響を抑えることができる。この抵抗には、絶対値バラつきや温度特性、相対バラつきやノイズ等の特性は要求されないため、用いるプロセスで最もシート抵抗の高い抵抗を細い幅で作成すればよく、面積の増加量は少ない。また、抵抗は容量よりも微細化が容易であるため、今後更にプロセスの微細化が進んでも本発明を変わらず使用できる。 （もっと読む）

【課題】安定動作させながら、ＲＦパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるＲＦパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路２１は、ｎ型からなる第１、第２、第３のＦＥＴ２１１，２１２，２１３を備える。第１、第３のＦＥＴ２１１，２１３のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第１のＦＥＴ２１１のドレインは、第２のＦＥＴ２１２のゲートに接続し、第２のＦＥＴ２１２のドレインには、駆動電圧Ｖｄｓが印加される。第２のＦＥＴ２１２のソースと第３のＦＥＴ２１３のドレインは接続され、接続点がパワーＦＥＴ３１のドレインに接続されている。第２のＦＥＴ２１２のゲートソース間には、第２のＦＥＴ２１２がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ２１５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ドレインアイドル電流のドリフトを直接補償すること。
【解決手段】入力信号が入力するゲートと、出力信号が出力するドレインとを有するＦＥＴを含む電子回路の制御方法であって、前記ＦＥＴのゲートに前記入力信号が入力してからの時間ｔ経過後における前記入力信号ｘ（ｔ）に対応するドレインアイドル電流の変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を算出するステップＳ１０と、前記変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を補償するためのゲートバイアス電圧Ｖｇを算出するステップＳ１２と、前記ゲートバイアス電圧を前記ＦＥＴのゲートに印加するステップＳ１４と、を含むことを特徴とする電子回路の制御方法。 （もっと読む）