従来の電力増幅技術は、かなりのチップ面積を使用し、より高い製造費用および大きなパッケージ面積を伴う多重集積回路技術を用いている。新しい構造が提示され、そこではいくつかの検知信号および制御信号が用いられて、集積半導体電源増幅に伴う基本的な性能指数についての精密で著しい制御を提供する。これらの検知信号および制御信号がどこにかつどのように用いられるかは、最も製造し易くかつ最も経済的な集積増幅器を達成するために決定的である。本発明の第１の実施の形態によると、３段階電力増幅用集積回路に係る二重のフィードバック低電力調整回路が提供されている。本発明の第２の実施の形態によると、３段階電力増幅集積回路に係る低ＲＦ出力信号電力調整を行う電流源フィードバック回路が提供されている。本発明の第３の実施の形態によれば、３段階電力増幅集積回路に係る集積対数電流検出回路の形態の検出回路が提供されている。本発明の３つの実施の形態では先行技術の限界を乗り越えて利益がある。 （もっと読む）

従来の電力増幅技術は、かなりのチップ面積を使用し、より高い製造費用および大きなパッケージ面積を伴う多重集積回路技術を用いている。新しい構造が提示され、そこではいくつかの検知信号および制御信号が用いられて、集積半導体電源増幅に伴う基本的な性能指数についての精密で著しい制御を提供する。これらの検知信号および制御信号がどこにかつどのように用いられるかは、最も製造し易くかつ最も経済的な集積増幅器を達成するために決定的である。本発明の第１の実施の形態によると、３段階電力増幅用集積回路に係る二重のフィードバック低電力調整回路が提供されている。本発明の第２の実施の形態によると、３段階電力増幅集積回路に係る低ＲＦ出力信号電力調整を行う電流源フィードバック回路が提供されている。本発明の第３の実施の形態によれば、３段階電力増幅集積回路に係る集積対数電流検出回路の形態の検出回路が提供されている。本発明の３つの実施の形態では先行技術の限界を乗り越えて利益がある。 （もっと読む）

従来の電力増幅技術は、かなりのチップ面積を使用し、より高い製造費用および大きなパッケージ面積を伴う多重集積回路技術を用いている。新しい構造が提示され、そこではいくつかの検知信号および制御信号が用いられて、集積半導体電源増幅に伴う基本的な性能指数についての精密で著しい制御を提供する。これらの検知信号および制御信号がどこにかつどのように用いられるかは、最も製造し易くかつ最も経済的な集積増幅器を達成するために決定的である。本発明の第１の実施の形態によると、３段階電力増幅用集積回路に係る二重のフィードバック低電力調整回路が提供されている。本発明の第２の実施の形態によると、３段階電力増幅集積回路に係る低ＲＦ出力信号電力調整を行う電流源フィードバック回路が提供されている。本発明の第３の実施の形態によれば、３段階電力増幅集積回路に係る集積対数電流検出回路の形態の検出回路が提供されている。本発明の３つの実施の形態では先行技術の限界を乗り越えて利益がある。 （もっと読む）

従来の電力増幅技術は、かなりのチップ面積を使用し、より高い製造費用および大きなパッケージ面積を伴う多重集積回路技術を用いている。新しい構造が提示され、そこではいくつかの検知信号および制御信号が用いられて、集積半導体電源増幅に伴う基本的な性能指数についての精密で著しい制御を提供する。これらの検知信号および制御信号がどこにかつどのように用いられるかは、最も製造し易くかつ最も経済的な集積増幅器を達成するために決定的である。本発明の第１の実施の形態によると、３段階電力増幅用集積回路に係る二重のフィードバック低電力調整回路が提供されている。本発明の第２の実施の形態によると、３段階電力増幅集積回路に係る低ＲＦ出力信号電力調整を行う電流源フィードバック回路が提供されている。本発明の第３の実施の形態によれば、３段階電力増幅集積回路に係る集積対数電流検出回路の形態の検出回路が提供されている。本発明の３つの実施の形態では先行技術の限界を乗り越えて利益がある。 （もっと読む）