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Fターム[5J500AK29]の内容

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Fターム[5J500AK29]に分類される特許

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【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子INから入力した入力信号を増幅素子Tr1が増幅する。増幅素子Tr1の出力信号を増幅素子Tr2が増幅する。増幅素子Tr2の出力信号は出力端子OUTから出力される。増幅素子Tr2の出力と出力端子OUTとの間に整合回路M3が接続されている。増幅素子Tr1の出力と増幅素子Tr2の入力との間にスイッチSW1が接続されている。増幅素子Tr1の出力にスイッチSW2の一端が接続されている。整合回路M4の一端がスイッチSW2の他端に接続され、整合回路M4の他端が増幅素子Tr2の出力に直接に接続されている。 (もっと読む)


【課題】入力トランジスタの構造を櫛形構造にしてゲート抵抗を抑えつつ、NFの増大を防ぐことが可能なCMOS集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタは、ゲート配線から櫛歯状に延びて形成され、信号入力端子からの入力信号が供給されるゲート電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるソース配線から、ゲート電極の櫛歯の間に1つ起きに櫛歯状に延びて形成される、接地端子に接続されたソース電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるドレイン配線から、ゲート電極の櫛歯の間のソース電極が存在しない箇所に櫛歯状に延びて形成される、電源端子に接続されたドレイン電極と、を備え、ゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とは、重なり合う領域が存在しないことを特徴とする、CMOS集積回路が提供される。 (もっと読む)


【課題】 携帯電話をはじめとする移動体通信用高周波電力増幅器などの増幅器において、受信帯雑音特性が良好で小型な増幅器を提供する。
【解決手段】 第一の周波数を中心周波数とする信号を増幅する増幅素子と、前記増幅素子の前段または後段に接続される整合回路と、前記増幅素子と前記整合回路の間に接続され、前記第一の周波数とは異なる第二の周波数を中心周波数とする信号を減衰させるフィルタ回路と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】NFを増大させること無く、CMOS LNA回路の非動作時に、CMOS LNA回路に電流を流さないような構成とすることが可能な、増幅回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に、受信された無線信号を入力する信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された入力トランジスタと、信号入力端子と入力トランジスタのゲート電極との間に設けられる第1スイッチと、電源端子と入力トランジスタのドレイン電極との間に設けられる第2スイッチと、を備え、入力トランジスタのゲート電極には所定のバイアス電圧が印加され、無線信号の受信時には、第1スイッチと第2スイッチとを同時にオンにして、無線信号の送信時には、所定のバイアス電圧を入力トランジスタのゲート電極に印加したまま、第1スイッチと第2スイッチとを同時にオフにすることを特徴とする、増幅回路が提供される。 (もっと読む)


【課題】 平均電力に対するピーク電力の比が高い信号を増幅する際の電力変換効率を向上させることができる電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 異なる入力レベルの信号を飽和に近い動作で増幅する増幅器21〜23と、入力信号をレベルに応じて適切な増幅器に出力する信号分割処理部1と、各増幅器からの出力を低損失で合成する信号合成部3とを備え、増幅器21〜23の出力インピーダンスを同一の値とし、信号合成部3の位相調整線路301〜303と出力線路304の特性インピーダンスを増幅器の出力インピーダンスと同一の値とし、合成点305におけるインピーダンスが、動作していない増幅器に対して開放となるよう位相調整線路301〜303のインピーダンスが調整され、動作している増幅器に対して増幅器の出力インピーダンスとなるよう出力線路304のインピーダンスが調整されている電力増幅装置としている。 (もっと読む)


【課題】本実施例の一側面における電力増幅器はトランジスタの入力側と出力側の両方に高調波処理を行う整合回路を設けた場合でも発振が生じるのを抑止し、電力増幅器の安定動作を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本実施例の一側面における電力増幅器は、基本波と高調波を含む入力信号を入力ノードで受けとり、入力信号の電力を増幅することにより出力信号を生成し、生成された出力信号を出力ノードから出力する増幅回路と、増幅回路の入力ノードに接続され、入力信号の高調波処理を行う入力整合回路と、増幅回路の出力ノードに接続され、出力信号の高調波処理を行う出力整合回路を含む。増幅回路は、入力信号の電力が所定値より大きい値からその所定値より小さい値に低下したとき、生成される出力信号に含まれる高調波の整合点における出力インピーダンスの位相を回転させる。 (もっと読む)


【課題】SOI基板にLNA回路を形成した場合や、バルクCMOSプロセスを用いてLNA回路を形成した場合に、NFの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能なCMOS集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタはSOI(Silicon−On−Insulator)基板上に形成し、ボディ電位と、ソース電位以下の電位との間を、抵抗素子で接続することを特徴とする、CMOS集積回路が提供される。かかるCMOS集積回路を用いることで、NFの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】低ひずみ、低雑音、且つ小形な送信増幅器を得る。
【解決手段】多段接続した増幅器のうちの少なくとも1段以上に、バイポーラトランジスタ3のコレクタ電極とベース電極との間に接続された抵抗9を備え、出力電源10からインダクタ8および抵抗9を介してバイポーラトランジスタ3のベース電極に入力バイアスを供給する増幅器を備える。
バイポーラトランジスタ3の動作条件を決める入力バイアスを、抵抗9と出力電源10とにより決定するので、バイアス回路によるひずみがバイポーラトランジスタ3に重畳されないため、低雑音な送信増幅器を実現することができる。
また、入力バイアスを供給するためだけにインダクタを設ける必要がないため、小形な送信増幅器を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】広帯域に亘って高出力電力で高効率な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電源電圧がVdc、増幅素子の従属電流源の最大電流がImax、流通角がθo、前記従属電流源から見た第n調波の負荷インピーダンスがZn=Rn+j・Xn(n=1, 2, 3,…)である電力増幅器において、
各抵抗値の関係が、Σn=1N Rn・[sin{(n−1)・θo/2}/{n・(n−1)}−sin{(n+1)・θo/2}/{n・(n+1)}]/[π・{1−cos(θo/2)}]=Vdc/Imax、各リアクタンス値の関係が、Σn=1N Xn・n・[sin{(n−1)・θo/2}/{n・(n−1)}−sin{(n+1)・θo/2}/{n・(n+1)}]/[π・{1−cos(θo/2)}]=0(Nは3以上の任意の整数)、かつ前記従属電流源の電圧の最小値が零である。 (もっと読む)


【課題】フィードバック制御を行っても、出力電力の低下を抑制できる電力増幅回路を実現する。
【解決手段】電力増幅回路を備える高周波モジュール10は、高周波電力増幅素子20、整合回路30、および駆動電源回路40を備える。高周波電力増幅素子20は、高周波増幅回路210、方向性結合器230を備える。方向性結合器230の主線路231の第1端は、高周波増幅回路210の後段増幅回路212の出力端子に接続されている。主線路231の第2端は、出力整合回路240を介して、高周波電力増幅素子20の高周波信号出力端子Poutに接続されている。後段増幅回路212の出力端子は、高周波電力増幅素子20
子20の第2駆動電源印加端子PV2にも接続されている。高周波信号出力端子Poutと高周波信号出力端子Poutとは、接続導体50で接続されている。 (もっと読む)


【課題】平均電力効率(APE)が改良されることができるセルラ電話における電力増幅器を提供する。
【解決手段】RF出力電力増幅器(PA)は、第1および第2のAB級増幅回路を含んでいる。高電力オペレーティングモードにおいて動作する場合、第1の増幅器はPA出力端子を駆動する。第1の増幅器のパワートランジスタ(単数または複数)は、高い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、バイアスをかけられる。低電力オペレーティングモードにおいて動作する場合、第2の増幅器は出力端子を駆動する。第2の増幅器のパワートランジスタは、低い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、バイアスをかけられる。増幅器のパワートランジスタを適切にサイジングすることによって、エミッタ電流密度は、実質的に等しく維持されるので、PA電力利得は、2つのオペレーティングモードにおいて同じである。 (もっと読む)


【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路32を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器11に供給するトランジスタQ5、基準電圧Vrefに応じた電流を流すトランジスタQ3、トランジスタQ3に流れる電流に応じてトランジスタQ5のベース電流を補正することによりトランジスタQ5の温度特性を補償するトランジスタQ2、及びトランジスタQ5のベースに接続され制御電圧Vccの切り替えに応じてトランジスタQ5のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部(トランジスタQ4、Q6、及び抵抗R5〜R7、R9、R10)で構成する。増幅器11は、バイアス回路32から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成によりアンテナに供給する高周波信号の電力を一定に保つことができる高周波信号増幅器を得る。
【解決手段】主増幅器4は高周波信号を増幅する。主増幅器4の出力端子とアンテナ2との間に信号線路5が接続されている。長さ又は終端が異なる結合線路6,7がそれぞれ信号線路5に平行に配置されている。移相器8,10は、結合された信号線路5及び結合線路6,7を介してそれぞれ印加された高周波信号を位相変化させて主増幅器4の入力端子に供給し、移相器8,10はそれぞれ異なる位相変化量を持つ。 (もっと読む)


【課題】安定動作させながら、RFパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるRFパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路21は、n型からなる第1、第2、第3のFET211,212,213を備える。第1、第3のFET211,213のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第1のFET211のドレインは、第2のFET212のゲートに接続し、第2のFET212のドレインには、駆動電圧Vdsが印加される。第2のFET212のソースと第3のFET213のドレインは接続され、接続点がパワーFET31のドレインに接続されている。第2のFET212のゲートソース間には、第2のFET212がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ215が接続されている。 (もっと読む)


【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ(P)を提供すること。
【解決手段】接地導体(131)と、前記接地導体(131)の上部に設けられた2層の高周波基板(130)と、上層の前記高周波基板(130)を挟むように設けられた一対の導体(134)と、を含む、半導体パッケージ(P)が提供される。また、この半導体パッケージ(P)を含む高周波電力増幅器(100)が提供される。 (もっと読む)


【課題】小型化及び低価格化を実現するとともに、電力効率が良好な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】入力された所定の周波数を有する基本波を飽和動作して増幅する第1増幅器23と、第1増幅器23により増幅された信号を分配する分配器24と、基本波の周波数において分配器24の出力を整合する基本波出力整合回路25と、基本波出力整合回路25から出力された基本波を遅延する遅延線路と、2次高調波の周波数において分配器24の出力を整合する2次高調波出力整合回路27と、2次高調波出力整合回路27から出力された2次高調波の位相及び振幅を調整する調整器と、遅延線路から出力された基本波と調整器から出力された2次高調波とを合成する合成器と、合成器により合成された信号を増幅する第2増幅器とを備えることを特徴とする高周波電力増幅器100。 (もっと読む)


【課題】多段増幅段を含むRF電力増幅回路の低パワーおよび中間パワー時における電力付加効率(PAE)の低下を軽減する。
【解決手段】RF電力増幅回路313は、前段増幅器310、後段増幅器311、制御部312を具備する。前段増幅器310はRF送信入力信号Pinに応答して、前段増幅器310の出力の増幅信号に後段増幅器311が応答する。制御部312は、出力電力制御電圧Vapcに応答して、前段増幅器310と前記後段増幅器311のアイドリング電流を制御して前段増幅器310と前記後段増幅器311の利得を制御する。出力電力制御電圧Vapcに応答して、前段増幅器310のアイドリング電流と利得とは第1の連続関数2ndAmpに従って連続的に変化して、後段増幅器311のアイドリング電流と利得とは第2の連続関数3rdAmpに従って連続的に変化する。第2の連続関数3rdAmpは、第1の連続関数2ndAmpよりも1次以上高次の関数である。 (もっと読む)


【課題】 不要パルスの発生が抑制された信号変換回路およびそれを用いた増幅回路,送信装置,通信装置を提供する。
【解決手段】 第1信号S1がソース端子に、第2信号S2がゲート端子に入力されるトランジスタ7と、第1信号S1と第2信号S2とが入力されて、第1信号S1と第2信号S2との位相差の情報を有する第3信号S3を出力する第1回路5と、第1信号S1と第3信号S3とが入力されて、第1信号S1の位相を所定の値だけシフトさせた位相を有する信号に、第1信号S1と第2信号S2との位相差に応じてバイアス電圧を加えた信号である第4信号S4を出力する第2回路6と、ソース端子がトランジスタ7のドレイン端子に接続されているとともにゲート端子に第4信号S4が入力されて、第1信号S1と第2信号S2との位相差に応じてデューティ比が変化する第5信号S5をドレイン端子から出力するトランジスタ9とを有する信号変換回路とする。 (もっと読む)


【課題】新規な負荷変動器を提供する。
【解決手段】通過信号に対する負荷を生じさせとともに、負荷の値を変更可能な負荷変動器1001であって、通過信号を分波した複数の信号間の位相差を調整する位相調整器1003a,1003bと、前記位相調整器1003a,1003bによって位相差が調整された前記複数の信号を合成する合成部1003eと、を備えている。 (もっと読む)


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