Fターム[5J500AM00]の内容
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Fターム[5J500AM00]に分類される特許
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高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaNHEMT)ドハティ電力増幅器
【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用3ステージ(Three−Stage)GaN HEMTドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする。
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電力増幅装置
【課題】広い出力ダイナミックレンジに渡って高効率、低歪み、低雑音の特性を維持することができる電力増幅装置を提供する。
【解決手段】入力信号Vinは、LOGアンプ1と差分アンプ2に入力される。LOGアンプ1は、入力信号Vinを対数変換し、対数変換した信号V1を差分アンプ2と第1パワーアンプ3に出力する。差分アンプ2は、入力信号Vinと信号V1との差分を求め、差分して得られた信号V2を第2パワーアンプ4に出力する。第1パワーアンプ3は、信号V1を電力増幅して合成器5に信号V3を出力し、第2パワーアンプ4は、信号V2を電力増幅して合成器5に信号V4を出力する。合成器5は、信号V3と信号V4とを合成して信号Voutを出力する。
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抵抗式熱検出器にバイアスをかけて読み取るための電子回路
【課題】画素のSN比を改良するために読み取り回路によりもたらされるノイズを低減する。
【解決手段】少なくとも1つの抵抗式熱検出器(102)にバイアスをかけて読み取るための電子回路(100)であって、抵抗式熱検出器の電気抵抗に変動があると、抵抗式熱検出器に一定値のバイアス電流を流すことによって抵抗式熱検出器にバイアスをかけることができるバイアス手段と、抵抗式熱検出器(102)の端子で電圧を電流に変換することができ、抵抗式熱検出器の端子の一つにゲートが電気的に接続させる少なくとも1つのMOS型トランジスタ(106)を備える変換手段と、変換手段のMOS型トランジスタのソースに電気的に接続されるベースクリップ電圧生成手段とを備える電子回路を提供する。
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電力増幅装置
【課題】 平均電力に対するピーク電力の比が大きい信号を増幅する際の電力変換効率を向上させると共に、広帯域信号にも適用可能な電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 互いに異なる電力レベルの信号を入力して飽和に近い状態でそれぞれ増幅する複数の増幅器16〜18と、各増幅器出力のスプリアス成分を低減するバンドパスフィルタ19〜21と、各バンドパスフィルタの出力信号を空間に放射するアンテナ22〜24と、各増幅器に飽和に近い状態で動作する最適なドレイン電圧を供給するDC−DCコンバータ30と、入力信号の電力レベルを検出し、検出された電力レベルにおいて飽和に近い状態で動作する増幅器に入力信号を出力する信号分配部12とを備えた電力増幅装置であり、また、変調信号を周波数分割して信号分配部に入力する周波数分割回路41を備えた電力増幅装置としている。
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オフセット電圧補正回路
【課題】センサ等の差動出力信号を取り込みそこに含まれるオフセット電圧を除去できるようにしたオフセット電圧補正回路を提供する。
【解決手段】入力端子11,12に入力する差動の無信号電圧V1、V2に応じて演算増幅器OP1,OP2の非反転入力端子の基準電圧VREF1,VREF2,VREF3,VREF4の値を設定してから、その無信号電圧V1、V2に信号電圧ΔV1、ΔV2を加算した差動電圧を入力させ、前記各基準電圧に応じて発生した第1および第2の演算増幅器OP1,OP2の反転入力端子(仮想接地点)の電圧を利用することで、電荷保存の法則が成立するキャパシタC1,C2,C3,C4(ただし、C1=C2,C3=C4)に電荷を蓄え移動させ、前記無信号電圧入V1、V2、つまり入力オフセット電圧を除去した信号電圧ΔV1、ΔV2を出力する。
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分布型環状電力増幅器の構造
【課題】増幅されるRF信号の電力出力を効率的及び経済的に増加させる、分布型電力増幅器のトポロジー及びデバイスを提供する。
【解決手段】電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の1次巻線として機能することが好ましい。また、そのトポロジーは、1次巻線の形状に適合する2次巻線150の使用と、個々の電力増幅器の電力を効率的に合成する働きをする変化に適応する変化を開示している。新規の構造は、RF、マイクロ波、ミリ波の周波数で低コストで、高集積で、ハイパワーである増幅器のデザインを可能としている。
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電力増幅装置および携帯電話端末
【課題】比較的大きいピークファクタを有する信号に対して比較的簡単な構成で歪みや効率の問題を解決する。
【解決手段】第1の電力増幅器10はA級またはAB級動作にバイアス設定され、入力信号を増幅する。第1の電力増幅器10の出力が出力端sigoutに接続される。第2の電力増幅器20は、入力信号の一部を分岐して入力とし、C級動作にバイアス設定され、入力信号を増幅する。この第2の電力増幅器の出力にスイッチ30の一端子が接続され、他方の端子に出力端子sigoutが接続される。この出力端子sigoutに第1の電力増幅器20の出力が接続される。
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定電圧生成回路
【課題】位相補償用のコンデンサを外部に設けなくとも、発振を防止し、安定して正確な定電圧を出力できる定電圧生成回路を提供する。
【解決手段】定電圧生成回路は、出力端子21から出力される出力電流を制御するPMOSトランジスタM1と、該出力電流に比例した比例電流を生成するPMOSトランジスタM2と、出力端子21の電位VOと所定の基準電位VIとを比較し、出力電位VOを基準電位VIに保つようにPMOSトランジスタM1,M2を駆動する比較増幅器3と、出力端子21に一端が接続されたPMOSトランジスタM3と、ノード11に一端が接続されたPMOSトランジスタM4からなる第1のカレントミラーと、PMOSトランジスタM3の他端に一端が接続され他端が接地されたNMOSトランジスタM5と、PMOSトランジスタM4の他端に一端が接続され他端が接地されたNMOSトランジスタM6とからなる第2のカレントミラーとを備える。
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