【課題】少ない電流量で出力電圧の歪みを低減できるトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】エミッタまたはソースと、コレクタまたはドレインと、これらエミッタまたはソース及びコレクタまたはドレイン間の電流量を制御する電圧が印加されるベースまたはゲートと、を備え、コレクタまたはドレインが容量性負荷１０３に接続されるバイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタのコレクタまたはドレインに接続され、電流を供給する機能付電流源１０２と、ベースまたはゲートに入力される電圧の大きさに応じて機能付電流源１０２の電流を制御するコントロール回路１０５と、によってトランジスタ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】入力電流の大きさに応じた量の電流を入力電流から分流することによりダイナミックレンジが拡大されたトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）において、入力インピーダンスの変化を低減する。
【解決手段】ＴＩＡ１０は、光電流Ｉｉｎの大きさに応じた出力電圧Ｖｏｕｔを生成する。ＴＩＡ１０は、光電流Ｉｉｎを出力電圧Ｖｏｕｔに変換する利得可変増幅回路１２と、光電流Ｉｉｎが大きいほど大きな電流Ｉｃｄを光電流Ｉｉｎから分流する分流回路１４と、光電流Ｉｉｎが大きいほど利得可変増幅回路１２の利得を小さくする利得調整回路２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板にＬＮＡ回路を形成した場合や、バルクＣＭＯＳプロセスを用いてＬＮＡ回路を形成した場合に、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成し、ボディ電位と、ソース電位以下の電位との間を、抵抗素子で接続することを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。かかるＣＭＯＳ集積回路を用いることで、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 携帯電話をはじめとする移動体通信用高周波電力増幅器などの増幅器において、受信帯雑音特性が良好で小型な増幅器を提供する。
【解決手段】 第一の周波数を中心周波数とする信号を増幅する増幅素子と、前記増幅素子の前段または後段に接続される整合回路と、前記増幅素子と前記整合回路の間に接続され、前記第一の周波数とは異なる第二の周波数を中心周波数とする信号を減衰させるフィルタ回路と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級増幅回路において、確実に電源パンピングの影響をキャンセルする。
【解決手段】第１スイッチ６１がオン、第２スイッチ６３がオフの時に、電源電圧ＶＤＤと接地間の電流をコンデンサ６２に充電させ、第１スイッチ６１がオフ、第２スイッチ６３がオンの時に、コンデンサ６２の電圧と基準電圧Ｖｒとをコンパレータ６４により比較する。コンパレータ６４の出力をパワーリミット回路３０に入力し、コンデンサ６２の電圧が基準電圧Ｖｒを超える場合には、ＰＷＭ変調回路２０からの出力信号のパルス幅を制限する。 （もっと読む）

【課題】出力バッファを有するオペアンプＡ１であつて、オフセット電位を従来よりも抑えられるオペアンプ補償回路を提供する。
【解決手段】バッファの出力と接地間に、入力信号が接地から電源電圧まで変化されるＭＯＳトランジスタＴ１を有し、あるいは、ＮチャンネルトランジスタＴＮ１と、ＰチャンネルトランジスタＴＰ１とを並列接続し、それぞれ入力信号と反転された入力信号が入力されている構成を有し、オフセット電位が接地となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、電源電圧ＶＤＤ〜接地電圧ＶＳＳ間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＰ１１と、低電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＮ１１と、電源電圧ＶＤＤより低く接地電圧ＶＳＳより高い中間電圧ＶＭＬが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタＭＰ１１のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタＭＰ１１のゲート電圧と中間電圧ＶＭＬとの電圧差に基づいて出力トランジスタＭＰ１１のゲートをクランプするクランプ用トランジスタＭＰ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高調波歪みを容易に低減させることのできるＥ_Ｍ級増幅器を提供する。
【解決手段】本発明にかかるＥ_Ｍ級増幅器は、主回路と、主回路に信号を入力する補助回路と、を有するＥ_Ｍ増幅器であって、主回路は、プッシュプル構造を有することを特徴とする。この場合において、限定されるわけではないが、プッシュプル構造は、第一の主基礎回路と、第一の主基礎回路と同様な構造の第二の主基礎回路と、第一の主基礎回路と第二の主基礎回路に接続される負荷回路と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】高線形性と低歪みの増幅器を提供する。
【解決手段】修正された微分重ね合わせ低ノイズ増幅器は、メイン電流経路とキャンセル電流経路を含む。キャンセル経路の三次歪みは、メイン経路の三次歪みをキャンセルするために使用される。新規な一側面では、分離されたソース・ディジェネレーション・インダクタが、２つの電流経路の各々につきあり、これにより他方の電流経路に影響を与えることなく、一方の電流経路の調整を容易にする。第２の新規な側面では、ＬＮＡ負荷を通過しないデブースト電流経路が設けられる。デブースト電流は、ヘッドルームの問題を生じさせることなく、ネガティブ・フィードバックを増加させる。第３の新規な側面では、キャンセル電流経路及び／またはデブースト電流経路がプログラマブルにディセーブルとされて、高線形性を求めない動作モードにおいて電力消費を低減し、ノイズ量を改善する。 （もっと読む）

【課題】入出力間オフセット電圧を削減しつつ消費電流を削減する。
【解決手段】第１導電型の第１差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第１導電型の第２差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第３差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第４差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。出力段回路は、第１乃至第４差動回路の出力に基づいて出力信号を出力する。差動増幅器は、上記第１乃至第４差動回路、出力段回路を具備し、制御信号に基づいて、第１乃至第４差動回路を形成するトランジスタのチャネル長とチャネル幅との比を変更する。 （もっと読む）

【課題】歪の発生を少なくする。
【解決手段】入力信号（ＩＮ）を受ける初段増幅回路（ＰＲＥＡ）と、ゲートに初段増幅回路（ＰＲＥＡ）の出力信号を受けるソース接地の第１のトランジスタ（Ｔｒ１）と、ソースを第１のトランジスタ（Ｔｒ１）のドレインに接続し、ドレインから出力信号（ＯＵＴ）を送出すると共にドレインに対して電源供給がなされるゲート接地の第２のトランジスタ（Ｔｒ２）と、初段増幅回路（ＰＲＥＡ）の電源端と第２のトランジスタ（Ｔｒ２）のソースとの間に介在する第１のインピーダンス回路（Ｚ１）と、を備える。第１のインピーダンス回路（Ｚ１）は、直流を通過させると共に、所定の周波数帯域において所定のインピーダンス以上となるように構成された回路である。 （もっと読む）

【課題】 不要パルスの発生が抑制された信号変換回路およびそれを用いた増幅回路，送信装置，通信装置を提供する。
【解決手段】 第１信号Ｓ１がソース端子に、第２信号Ｓ２がゲート端子に入力されるトランジスタ７と、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２とが入力されて、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差の情報を有する第３信号Ｓ３を出力する第１回路５と、第１信号Ｓ１と第３信号Ｓ３とが入力されて、第１信号Ｓ１の位相を所定の値だけシフトさせた位相を有する信号に、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差に応じてバイアス電圧を加えた信号である第４信号Ｓ４を出力する第２回路６と、ソース端子がトランジスタ７のドレイン端子に接続されているとともにゲート端子に第４信号Ｓ４が入力されて、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差に応じてデューティ比が変化する第５信号Ｓ５をドレイン端子から出力するトランジスタ９とを有する信号変換回路とする。 （もっと読む）

【課題】安定化を図りながらソース接地ＦＥＴ素子が本来持つ最大有能利得を十分に生かせる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、ソース端子が接地される増幅用ソース接地ＦＥＴ素子と、増幅用ＦＥＴ素子のゲート端子に接続され、増幅用ソース接地ＦＥＴ素子のドレイン端子の印加電圧が増えるに応じてインピーダンスが高くなるように変化する安定化回路と、を備える。安定化回路は、例えば、増幅用ソース接地ＦＥＴ素子のゲート端子に接続するコンデンサと、コンデンサにドレイン端子が接続し、ゲート端子が接地し、ソース端子が増幅用ＦＥＴ素子のドレイン端子に接続するインピーダンス調整用ＦＥＴ素子と、インピーダンス調整用ＦＥＴ素子のソース端子に接続され、接地される抵抗と、この抵抗に接続し、接地されるコンデンサと、を備える。 （もっと読む）

【課題】正の単一電源で作動（動作）するオペアンプを用いて負の信号レベルの信号を含む受信信号を増幅することのできる受信回路を提供する。
【解決手段】受信回路１００は、基準端子１１と基準端子１１の電圧を基準とする受信信号を出力する信号端子１２とを有する信号部１０と、正の入力端子２１と負の入力端子２２と出力端子２３とを有し、正の単一電源Ｅ２から電圧が印加されて作動するオペアンプ２０と、出力端子２３と負の入力端子２２との間に接続される第１負荷部３０と、信号端子１２と負の入力端子２２との間に接続される第２負荷部４０と、カソード側が接地され、アノード側が基準端子１１と正の入力端子２１とに接続されるダイオード５２を含む基準電圧部５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】受光回路の消費電流を削減する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、受光回路は、トランスインピーダンスアンプと出力回路が設けられる。トランスインピーダンスアンプは、フォトダイオード、帰還抵抗、及び第１のトランジスタが設けられる。フォトダイオードは、光信号を電気信号に変換する。帰還抵抗は、フォトダイオードと内部出力端子の間に設けられる。第１のトランジスタは、ゲートにフォトダイオードで光電変換された電気信号が入力され、ドレインが内部出力端子に接続される。出力回路は、第１のトランジスタと同一チャネル型であり、ゲートが内部出力端子に接続され、電流源負荷が接続されるとともにドレイン側から出力信号を出力する第２のトランジスタを含む。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の出力精度に段差が発生していた。
【解決手段】電流源で駆動される第１、第２の差動対と、その電流源を駆動する第１の基準電流発生回路と、を備える第１の差動入力部と、電流源で駆動される第３、第４の差動対と、その電流源を駆動する第２の基準電流発生回路と、を備える第２の差動入力部と、前記第１、第２の差動入力部との出力に応じて、出力する出力部と、を有し、前記第１、第２の基準電流発生回路の第１、第２の電流経路上に接続される第１、第２のトランジスタを入力信号に応じて制御することで、前記第１、第２の差動入力部の出力を制御する差動増幅器。 （もっと読む）

【課題】主信号の変調帯域と相互変調積の周波数範囲外となる周波数では高インピーダンスでスプリアス低減効果のある電力増幅装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、入力信号を第１信号及び第２信号を含む伝送信号に電力増幅するＦＥＴ１０３と、ＦＥＴ１０３から出力される伝送信号のインダクタ成分を低減する第１のデカップリング素子１０４と、ＦＥＴ１０３に対し駆動電力を供給する電源回路２００と、電源回路２００に対しＦＥＴの出力端子１０６から出力されるＲＦ成分をカットする第２のデカップリング素子３００と、第１のデカップリング素子１０４と第２のデカップリング素子３００との間に接続され、第１信号の変調帯域とＦＥＴの出力信号における相互変調積の周波数領域では所定の第１インピーダンスで、第１信号の変調帯域と相互変調積の周波数領域外では第２インピーダンスを有するフィルタ４００とを備える。 （もっと読む）

【課題】 差動増幅回路の出力信号の特性を改善する。
【解決手段】入力データ信号が‘Ｌｏｗ’レベルになると、トランジスタ１６に流れる電流Ｉ１の電流が減少し、抵抗１４と抵抗１４ａとの接続部（ノードＤ）の電位が高くなる。この電位は、トランジスタ１８にゲートに入力（負帰還）され、該ゲート電位が高くなることによって、テイル電流量Ｉ＿ＴＡＩＬが増加する方向に調整される。入力データ信号が‘Ｈｉｇｈ’レベルになると、電流Ｉ１の電流が多く流れ、ノードＤの電位が下がる。これによって、トランジスタ１８のゲート電位（負帰還）が下がり、テイル電流量Ｉ＿ＴＡＩＬを絞る方向に調整される、これによって入力波形の立上りと立下りとで、それぞれ出力波形との遅延時間の差が小さくなる。 （もっと読む）