【課題】ＳＯＩ基板にＬＮＡ回路を形成した場合や、バルクＣＭＯＳプロセスを用いてＬＮＡ回路を形成した場合に、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極に信号入力端子が、ドレイン電極に電源端子が、ソース電極に接地端子がそれぞれ接続された電界効果トランジスタを備え、前記電界効果トランジスタはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に形成し、ボディ電位と、ソース電位以下の電位との間を、抵抗素子で接続することを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。かかるＣＭＯＳ集積回路を用いることで、ＮＦの劣化の回避と高い線形性の達成とを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電力増幅器に発生するホットキャリアの影響を抑制する。
【解決手段】 一つの実施形態の電力増幅器には、半導体層に形成され、少なくとも１つ以上から構成され、電力増幅動作する第１のグロースリングゲート構造体と、半導体層に形成され、第１のグロースリングゲート構造体を取り囲むように隣接配置され、第１の構造体が電力増幅動作するときに、逆バイアスが印加されて空乏化領域が形成され、第１の構造体を周囲からアイソレートする複数の第２のグロースリングゲート構造体とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの変動があったとしても、ヒューズトリミングを用いてミラーされた出力電流量を微調整することで精度の良いカレントミラー比が得られるカレントミラー回路の構成を提供する
【解決手段】 ミラー比１：１００のカレントミラー回路において第２のＭＯＳトランジスタのゲート幅を第１のＭＯＳトランジスタの９０倍で構成し、第１のＭＯＳトランジスタの２０倍分を細かく分割して第３のＭＯＳトランジスタ群として第２のＭＯＳトランジスタに並列に接続し、第３のＭＯＳトランジスタ群に直列にトリミング工程にて切断可能なヒューズを接続することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】拡散抵抗で形成された抵抗素子でゲインを設定する増幅回路において、入力信号の電圧変化に関わらず、ゲイン及び入出力特性のリニアリティを安定化させ得る増幅回路を提供する。
【解決手段】基板上に形成される拡散層と、拡散層を囲むウェルとを有する拡散抵抗であって、複数の拡散抵抗Ｒ１８，Ｒ１９の抵抗値比に基づいてゲインを設定する増幅器１５を備えた増幅回路において、ウェルの電位を、該拡散抵抗Ｒ１８，Ｒ１９の抵抗体のいずれかの端子から常時自己バイアスで供給する電位供給回路１６ａ，１６ｂを備えた。 （もっと読む）

【課題】外部端子数を増やすことなく、外部端子とエミッタバッドとを結ぶ接続導体の状態を個別に検査可能な増幅回路を提供すること。
【解決手段】増幅回路は、ベース及びコレクタがそれぞれ共通に、並列接続された複数のバイポーラトランジスタと、複数のバイポーラトランジスタの各ベースに接続され、信号が入力されるベースパッドと、複数のバイポーラトランジスタの各コレクタに接続され、複数のバイポーラトランジスタによって増幅された信号を出力するコレクタパッドと、複数のバイポーラトランジスタの各エミッタにそれぞれ接続された、複数のバイポーラトランジスタと同数のエミッタパッドと、エミッタパッド毎に接続された接続導体をエミッタパッドと同数含む接続導体群と、接続導体群に含まれる全ての接続導体が接続された外部端子とを備える。 （もっと読む）

【課題】低ノイズと低消費電力を両立できるアナログ回路、電子機器等の提供。
【解決手段】アナログ回路３００は、増幅対象信号の周波数が第１の周波数である第１型のオペアンプＯＰ１を有する第１の回路３１０と、増幅対象信号の周波数が前記第１の周波数よりも低い第２の周波数である第２型のオペアンプＯＰ２を有する第２の回路３２０を含む。第１型のオペアンプＯＰ１の差動部の差動段トランジスタのチャネル幅をＷ１ａとし、チャネル長をＬ１ａとし、差動部に流れるバイアス電流をＩａとし、第２型のオペアンプＯＰ２の差動部の差動段トランジスタのチャネル幅をＷ１ｂとし、チャネル長をＬ１ｂとし、差動部に流れるバイアス電流をＩｂとした場合に、Ｗ１ｂ×Ｌ１ｂ＞Ｗ１ａ×Ｌ１ａ、Ｉａ＞Ｉｂとなる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０に設けられ、線対称な配列をなし、配列の外側から内側に向かって配列方向の寸法が大きくなっている複数のゲート電極２０と、複数のゲート電極２０のいずれか１つの第１のゲート電極を有する第１のトランジスタと、複数のゲート電極２０の他の１つの第２のゲート電極を有する第２のトランジスタと、を有し、第１及び第２のトランジスタは、差動対を成し、第１及び第２のゲート電極の配置位置は、配列において、線対称になっている。 （もっと読む）