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Fターム[5J500AQ02]の内容

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Fターム[5J500AQ02]に分類される特許

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【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するFETセルと、分配回路とFETセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、FETセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をFETセルごとに配置する。 (もっと読む)


【課題】ICチップのプロセスばらつきによって高周波特性がばらついた場合でも、回路特性を最適化できるICチップを基板にフリップチップ実装する無線装置を提供する。
【解決手段】無線装置は、マイクロ波、ミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100、バンプ102、入力端子103、出力端子104、基板105、アンダーフィル106、プロセスばらつき検出部110を有する。プロセスばらつき検出部は、プロセスばらつきによる回路特性の変動量をモニタし、モニタされた回路特性の変動量を用いて、算出されたパラーメータを有するアンダーフィル106が、基板105とミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100との間に充填されることで、プロセスばらつき及びアンダーフィルの影響があっても、所望の回路特性が得られる無線装置を提供できる。 (もっと読む)


【課題】ドレインアイドル電流のドリフトを直接補償すること。
【解決手段】入力信号が入力するゲートと、出力信号が出力するドレインとを有するFETを含む電子回路の制御方法であって、前記FETのゲートに前記入力信号が入力してからの時間t経過後における前記入力信号x(t)に対応するドレインアイドル電流の変化量ΔIdq(t)を算出するステップS10と、前記変化量ΔIdq(t)を補償するためのゲートバイアス電圧Vgを算出するステップS12と、前記ゲートバイアス電圧を前記FETのゲートに印加するステップS14と、を含むことを特徴とする電子回路の制御方法。 (もっと読む)


【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ(P)を提供すること。
【解決手段】接地導体(131)と、前記接地導体(131)の上部に設けられた2層の高周波基板(130)と、上層の前記高周波基板(130)を挟むように設けられた一対の導体(134)と、を含む、半導体パッケージ(P)が提供される。また、この半導体パッケージ(P)を含む高周波電力増幅器(100)が提供される。 (もっと読む)


【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板10と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子140と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Rと、抵抗Rに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスLとキャパシタンスCからなるタンク回路とからなる安定化回路120とを備え、安定化回路120は、発振周波数に、インダクタンスLとキャパシタンスCからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Rによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成により利得を下げずに効率を向上させることができる電力増幅回路を得る。
【解決手段】基板1上に、熱感応式分配器2、電力増幅素子3a,3b、及び合成器4が設けられている。熱感応式分配器2は、入力信号を最大で2つに分配する。電力増幅素子3a,3bは、分配された入力信号をそれぞれ電力増幅する。合成器4は、電力増幅素子3a,3bの出力信号を1つに合成する。電力増幅素子3a,3bで発生した熱が、基板1を介して熱感応式分配器2に伝わる。熱感応式分配器2は、温度が高くなるほど多くの電力増幅素子3a,3bに入力信号を分配する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、発振電力を吸収する抵抗の抵抗値を容易に制御できる電力増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る電力増幅器10は、複数のトランジスタセルが形成された半導体基板12と、該半導体基板上に形成された、該複数のトランジスタセルのドレイン電極40と、該半導体基板上に該ドレイン電極と接続されるように形成された、ドレインパッド42と、該半導体基板に、該ドレインパッドに沿って該ドレインパッドと接するように形成されたイオン注入抵抗44と、該半導体基板上に該イオン注入抵抗を介して該ドレインパッドと接するように形成されたフローティング電極46と、該半導体基板の外部に形成された出力整合回路16と、該ドレインパッドと該出力整合回路を接続する配線18a,18b,18c,18dと、を備える。 (もっと読む)


【課題】電源電圧が低下した場合も、出力信号の位相が変化しないパワーアンプ回路の実現。
【解決手段】電源VDDと、電源に接続されたMOSトランジスタTr,Trxと、MOSトランジスタのゲート・ドレイン間に接続された補償容量Cxgd,Cxgdxと、を有し、補償容量は、電源の電圧変化に応じて変化するMOSトランジスタのゲート・ドレイン間容量Cgd,Cgdxの変化を相殺するように、電源の電圧変化に応じて容量値が変化する特性を有するパワーアンプ回路。 (もっと読む)


【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】Si基板またはSiC基板と前記Si基板またはSiC基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるFET10からなるパワーアンプ11と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部12と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部14と、を具備する増幅回路 (もっと読む)


【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Gと、ドレイン電極Dと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される2つのソース電極Sと、を有するユニットFETと、前記ユニットFETが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットFET間に存在する2つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第1の接地インダクタンス値を有する第1のビアホール18Kと、隣り合うユニットFETが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第2の接地インダクタンス値を有する第2のビアホール18Dと、を有する。 (もっと読む)


【課題】消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】入力電位および基準電位が入力される差動増幅器、利得段および出力電位が出力される出力段を有する半導体装置において、該出力段にオフ状態でのリーク電流が低いトランジスタを配置することで、該利得段から供給される電位が一定に保持される半導体装置である。また、オフ状態でのリーク電流が低いトランジスタとしては、酸化物半導体層を有し、且つ酸化物半導体層にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることである。 (もっと読む)


【課題】集積電力段において、入力電圧を集積電力段の一側面(例えば上面)で受け取り、出力電圧を集積電力段の反対側面(例えば底面)から出力する。
【解決手段】集積電力段は負荷段の上に位置する共通ダイを備え、共通ダイはドライバ段102及び電力スイッチ104を備える。電力スイッチは制御トランジスタ110及び同期トランジスタ112を含む。制御トランジスタのドレインD1が共通ダイの入力電圧を共通ダイの一側面(例えば上面)で受ける。制御トランジスタのソースS1が同期トランジスタのドレインD2に結合され、前記共通ダイの出力電圧を共通ダイの反対側面(例えば底面)で出力する。電力段の下にインターポーザ106を含めることができる。インターポーザは共通ダイの反対側面で共通ダイの出力電圧に結合される出力インダクタ118及び必要に応じ出力キャパシタ120を含む。 (もっと読む)


【課題】レイアウト面積を大きくすることなく、差動対を高速/高消費電流と、低速/低消費電流の両方で動作させることができるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】差動回路5aは、差動対トランジスタN1,N2と、差動対トランジスタN1,N2に流れる電流量が少なくとも2つのレベルで切替わるように、切替可能なテール電流を供給するテール電流源68とを備える。差動対トランジスタN1,N2は、差動対トランジスタN1,N2に流れる電流の減少に伴って、σ(ΔI/gm)の値が単調に減少する特性を有する、ただし、σは標準偏差、ΔIは、差動対トランジスタN1,N2の電流量の差分、gmは、差動対トランジスタN1,N2のトランスコンダクタンスを表わす。 (もっと読む)


【課題】プロセスの耐圧を超える電圧が出力でき、要求される装置性能(高速・高電圧)を満足するドライバ集積化回路の構成を提供する。
【解決手段】差動入力回路と、レベルシフト回路と、出力回路が、同一のプロセスで製造され、基板電位(サブ電位)が異なる、3つ以上のチップに分割配置されており、それぞれのチップの基板印加電圧が異なるように設定することにより、プロセス耐圧よりも大きい出力電圧を提供する。 (もっと読む)


【課題】2つの電位の誤差を増幅して出力する半導体装置におけるスタンバイ状態からの復帰に際して生じる動作遅延を抑制する。
【解決手段】チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタによって、トランスコンダクタンスアンプの出力端子とキャパシタの一方の電極の電気的な接続を制御する。よって、トランスコンダクタンスアンプがスタンバイ状態となる場合であっても、当該トランジスタをオフ状態とすることでキャパシタの一方の電極において長期に渡って電荷の保持を行うことが可能となる。また、トランスコンダクタンスアンプをスタンバイ状態から復帰する際には、当該トランジスタをオン状態とすることで、キャパシタの充放電を早期に収束させることができる。これにより、早期に当該半導体装置の動作を定常状態とすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】安定した入出力特性を得られる半導体回路を提供する。特に、スイッチング素子のリーク電流に起因する不具合が抑制された半導体回路を提供する。
【解決手段】スイッチトキャパシタ回路に用いられるスイッチング素子に、酸化物半導体などのワイドギャップ半導体をチャネルが形成される半導体層に用いた電界効果型のトランジスタを適用する。このようなトランジスタは、オフ状態におけるリーク電流が小さい特徴を有し、当該トランジスタをスイッチング素子に適用することによりリーク電流に起因する不具合が抑制され、安定した入出力特性が得られる半導体回路を構成することが出来る。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが1つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】MMICとMMIC外部回路とを接続するボンディングワイヤの影響を比較的簡単な構成で低減し、かつ省スペース化された電力増幅器を提供する。
【解決手段】MMIC基板と、MMIC基板上に配置された高周波プローブパッドと、MMIC基板上に高周波プローブパッドに隣接して配置され、MMIC外部回路とのボンディングワイヤ接続用のメタルプレートとを備える。 (もっと読む)


【課題】 平衡型増幅器の性能を損なわず、小型のモジュールを提供すること、他の回路機能とともに複合して無線通信装置の高周波回路部を構成可能なモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】
絶縁体層と導体パターンとを含む多層基板に、一対の増幅器の入力側に第1ハイブリッド回路を出力側に第2ハイブリッド回路を有する平衡型増幅器を構成したモジュールで、 積層方向に連なる複数のビアホールでなるビアホール群を縦列して構成されたシールドによって、前記第1ハイブリッド回路と前記第2ハイブリッド回路とを区画した。 (もっと読む)


【課題】電力効率を下げずに部品を削減した無線端末装置を提供する。
【解決手段】第一の筐体及び該第一の筐体と可変自在に連結される第二の筐体とを有する。そして、PA41〜43は、送信信号を増幅する。FETスイッチ14〜16は、PA41〜43とアンテナ9とを結ぶ伝送経路とグランドとの間に設けられ、中間電圧を印加した場合、印加した中間電圧に応じた静電容量を有する。開閉検知部8は、第一の筐体と第二の筐体の位置関係に対応したアンテナ9のインピーダンスを取得する。制御部7は、スイッチ11〜13のいずれか一つをONにし、開閉検知部8が取得した、アンテナ9のインピーダンスを基に、スイッチがONになっている伝送経路に配置されたPAのインピーダンスとアンテナ9のインピーダンスとが整合する静電容量を有するようにFETスイッチ14〜16に対して中間電圧を印加する。 (もっと読む)


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