【課題】 単純な回路構成を有し、調整が容易なドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】 第１の入力信号を増幅するキャリアアンプ１２と、飽和出力電力がキャリアアンプと異なり、第２の入力信号を増幅するピークアンプ２２とを有し、キャリアアンプは、第１のトランジスタと、第１のトランジスタと同一のパッケージ内に設けられた第１の内部変換回路とを含み、ピークアンプは、第２のトランジスタと、第２のトランジスタと同一のパッケージ内に設けられた第２の内部変換回路とを含み、第１及び第２の内部変換回路は、第１及び第２のトランジスタの出力インピーダンスを互いに異なる値に変換する。 （もっと読む）

【課題】入力トランジスタの構造を櫛形構造にしてゲート抵抗を抑えつつ、ＮＦの増大を防ぐことが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタは、ゲート配線から櫛歯状に延びて形成され、信号入力端子からの入力信号が供給されるゲート電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるソース配線から、ゲート電極の櫛歯の間に１つ起きに櫛歯状に延びて形成される、接地端子に接続されたソース電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるドレイン配線から、ゲート電極の櫛歯の間のソース電極が存在しない箇所に櫛歯状に延びて形成される、電源端子に接続されたドレイン電極と、を備え、ゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とは、重なり合う領域が存在しないことを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップのプロセスばらつきによって高周波特性がばらついた場合でも、回路特性を最適化できるＩＣチップを基板にフリップチップ実装する無線装置を提供する。
【解決手段】無線装置は、マイクロ波、ミリ波帯の電力増幅器用高周波ＩＣチップ１００、バンプ１０２、入力端子１０３、出力端子１０４、基板１０５、アンダーフィル１０６、プロセスばらつき検出部１１０を有する。プロセスばらつき検出部は、プロセスばらつきによる回路特性の変動量をモニタし、モニタされた回路特性の変動量を用いて、算出されたパラーメータを有するアンダーフィル１０６が、基板１０５とミリ波帯の電力増幅器用高周波ＩＣチップ１００との間に充填されることで、プロセスばらつき及びアンダーフィルの影響があっても、所望の回路特性が得られる無線装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】フィードバック制御を行っても、出力電力の低下を抑制できる電力増幅回路を実現する。
【解決手段】電力増幅回路を備える高周波モジュール１０は、高周波電力増幅素子２０、整合回路３０、および駆動電源回路４０を備える。高周波電力増幅素子２０は、高周波増幅回路２１０、方向性結合器２３０を備える。方向性結合器２３０の主線路２３１の第１端は、高周波増幅回路２１０の後段増幅回路２１２の出力端子に接続されている。主線路２３１の第２端は、出力整合回路２４０を介して、高周波電力増幅素子２０の高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔに接続されている。後段増幅回路２１２の出力端子は、高周波電力増幅素子２０
子２０の第２駆動電源印加端子Ｐ_Ｖ２にも接続されている。高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔと高周波信号出力端子Ｐ_ｏｕｔとは、接続導体５０で接続されている。 （もっと読む）

【課題】高線形性と低歪みの増幅器を提供する。
【解決手段】修正された微分重ね合わせ低ノイズ増幅器は、メイン電流経路とキャンセル電流経路を含む。キャンセル経路の三次歪みは、メイン経路の三次歪みをキャンセルするために使用される。新規な一側面では、分離されたソース・ディジェネレーション・インダクタが、２つの電流経路の各々につきあり、これにより他方の電流経路に影響を与えることなく、一方の電流経路の調整を容易にする。第２の新規な側面では、ＬＮＡ負荷を通過しないデブースト電流経路が設けられる。デブースト電流は、ヘッドルームの問題を生じさせることなく、ネガティブ・フィードバックを増加させる。第３の新規な側面では、キャンセル電流経路及び／またはデブースト電流経路がプログラマブルにディセーブルとされて、高線形性を求めない動作モードにおいて電力消費を低減し、ノイズ量を改善する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ（Ｐ）を提供すること。
【解決手段】接地導体（１３１）と、前記接地導体（１３１）の上部に設けられた２層の高周波基板（１３０）と、上層の前記高周波基板（１３０）を挟むように設けられた一対の導体（１３４）と、を含む、半導体パッケージ（Ｐ）が提供される。また、この半導体パッケージ（Ｐ）を含む高周波電力増幅器（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子１４０と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とからなる安定化回路１２０とを備え、安定化回路１２０は、発振周波数に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Ｒによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発振電力を吸収する抵抗の抵抗値を容易に制御できる電力増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る電力増幅器１０は、複数のトランジスタセルが形成された半導体基板１２と、該半導体基板上に形成された、該複数のトランジスタセルのドレイン電極４０と、該半導体基板上に該ドレイン電極と接続されるように形成された、ドレインパッド４２と、該半導体基板に、該ドレインパッドに沿って該ドレインパッドと接するように形成されたイオン注入抵抗４４と、該半導体基板上に該イオン注入抵抗を介して該ドレインパッドと接するように形成されたフローティング電極４６と、該半導体基板の外部に形成された出力整合回路１６と、該ドレインパッドと該出力整合回路を接続する配線１８ａ,１８ｂ,１８ｃ,１８ｄと、を備える。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】半導体チップ２上に、トランジスタ３ａ，３ｂと、トランジスタ３ａ，３ｂに隣接したコレクタパッド４ａ，４ｂとが設けられている。トランジスタ３ａ，３ｂとコレクタパッド４ａ，４ｂはそれぞれコレクタ配線６ａ，６ｂにより接続されている。半導体チップ２外に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４ａ，４ｂと外部パッド８はそれぞれワイヤ１０ａ，１０ｂにより接続されている。コレクタパッド４ａは、コレクタパッド４ｂよりも外部パッド８から遠い位置に配置されている。コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長は、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じである。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Ｇと、ドレイン電極Ｄと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される２つのソース電極Ｓと、を有するユニットＦＥＴと、前記ユニットＦＥＴが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットＦＥＴ間に存在する２つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第１の接地インダクタンス値を有する第１のビアホール１８Ｋと、隣り合うユニットＦＥＴが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第２の接地インダクタンス値を有する第２のビアホール１８Ｄと、を有する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の直近にインダクタンス素子を配置することなしに光受信回路を広帯域化する。
【解決手段】光受信回路は、光信号を電気信号に変換する受光素子３と、受光素子３のアノードと出力端子１０との間を接続する電気線路４，６と、受光素子３のカソードを交流的に接地すると共に、カソードに直流バイアスを印加するバイアス分離回路５とを備える。電気線路４，６の特性インピーダンスは、出力端子１０に接続される負荷抵抗７の抵抗値よりも高い。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】監視対象の素子の破壊を直接的に検知することを可能にする。
【解決手段】監視対象の半導体素子近傍にモニタ用配線を敷設する一方、所定のクロックを出力するクロック出力手段を当該モニタ用配線の一端に接続し、同モニタ用配線の他端に監視手段を接続する。そして、クロック出力手段からモニタ用配線へ出力されるクロックを伝播を監視手段に監視させ、クロックの伝播が途絶えたことを検出した場合に、監視対象の半導体素子の破壊が生じた旨を通知する破壊通知信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＭＩＣとＭＭＩＣ外部回路とを接続するボンディングワイヤの影響を比較的簡単な構成で低減し、かつ省スペース化された電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＭＭＩＣ基板と、ＭＭＩＣ基板上に配置された高周波プローブパッドと、ＭＭＩＣ基板上に高周波プローブパッドに隣接して配置され、ＭＭＩＣ外部回路とのボンディングワイヤ接続用のメタルプレートとを備える。 （もっと読む）

【課題】入力の整合回路における損失の低減、並びに、回路の簡略化及び小型化が可能な電力分配合成器を提供する。
【解決手段】入力信号が入力される１次巻線としての環状の第１金属配線、及び、２次巻線としての複数の第２金属配線を有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ１２０と、出力信号が出力される２次巻線としての環状の第３金属配線、及び、１次巻線としての複数の第４金属配線を有し、複数の分配信号を合成することで出力信号を出力するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ１３０とを備え、入力側トランスフォーマ１２０が有する金属配線と出力側トランスフォーマ１３０が有する金属配線とは、互いに異なる金属配線層を用いて構成され、かつ、平面視した場合に交差している。 （もっと読む）

【課題】広い帯域に亘って高線形性でかつ高効率なAB級増幅器を提供することにある。
【解決手段】本実施の形態に係るAB級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)を超えて2・π(rad)未満のAB増幅器において、増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、２倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2、３倍波の負荷インピーダンスをZ3=R3+j・X3とし、X1とR1の関係を−0.5・R1≦X1≦0.5・R1、R1をR1=Vdc/Imax・{1−cos(θo/2)}・π/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−2・{θo−sin(θo)}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、X3/X1をX3/X1={θo−sin(θo)}/{sin(θo)/3−sin(2・θo)/6}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 （もっと読む）

【課題】広い帯域に亘って高線形性でかつ高効率なAB級増幅器を提供することにある。
【解決手段】本実施の形態に係るAB級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)を超えて2・π(rad)未満のAB増幅器において、前記増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、２倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2とし、X1とR1の関係を−R1≦X1≦R1、R1をR1=Vdc/Imax・π・{1−cos(θo/2)}/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−{θo/2−sin(θo)/2}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 （もっと読む）