【課題】少ない電流量で出力電圧の歪みを低減できるトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】エミッタまたはソースと、コレクタまたはドレインと、これらエミッタまたはソース及びコレクタまたはドレイン間の電流量を制御する電圧が印加されるベースまたはゲートと、を備え、コレクタまたはドレインが容量性負荷１０３に接続されるバイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタのコレクタまたはドレインに接続され、電流を供給する機能付電流源１０２と、ベースまたはゲートに入力される電圧の大きさに応じて機能付電流源１０２の電流を制御するコントロール回路１０５と、によってトランジスタ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路１００のノイズを抑制する。
【解決手段】非反転アンプ１４は、第３演算増幅器ＯＡ３および分圧回路Ｒ１、Ｒ２を含み、第１バッファ１０の出力電圧を非反転増幅する。スイッチＳＷ２は、第３演算増幅器ＯＡ３の出力端子とその反転入力端子の間に設けられる。制御回路２０は、第２電源電圧ＶＣＣ２が所定のしきい値電圧より低いときにスイッチＳＷ２をオンし、第２電源電圧ＶＣＣ２がしきい値電圧より高いときにスイッチＳＷ２をオフする。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級増幅回路において、確実に電源パンピングの影響をキャンセルする。
【解決手段】第１スイッチ６１がオン、第２スイッチ６３がオフの時に、電源電圧ＶＤＤと接地間の電流をコンデンサ６２に充電させ、第１スイッチ６１がオフ、第２スイッチ６３がオンの時に、コンデンサ６２の電圧と基準電圧Ｖｒとをコンパレータ６４により比較する。コンパレータ６４の出力をパワーリミット回路３０に入力し、コンデンサ６２の電圧が基準電圧Ｖｒを超える場合には、ＰＷＭ変調回路２０からの出力信号のパルス幅を制限する。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子にて増幅したＰＷＭ信号を低損失で合成し、変調信号を復調することが可能なスイッチング回路、及び該スイッチング回路を備える包絡線信号増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態のスイッチング回路３３は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のトランジスタＭ１〜Ｍｎのスイッチングを制御するための各制御端子をＮ−１個のコイルＬ１を介して縦続接続する接続回路と、一端が直流電源に電気的に接続されるコイルＬ２の他端及びトランジスタＭ１〜Ｍｎの各一端の間に各別に接続されたコイルＬ３とを備え、接続回路の入力端子に入力されるＰＷＭ信号にて、スイッチング素子Ｍ１〜Ｍｎを順次スイッチングさせるようにしてある。また、スイッチング回路３３は、コイルＬ２の一端側又は他端側に縦続接続されるように挿入されたトランジスタＭ０を更に備える。 （もっと読む）

【課題】出力波形に付加される遅延の増大を抑制することが可能な出力回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる出力回路は、高電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、電源電圧ＶＤＤ〜接地電圧ＶＳＳ間の電圧範囲を振幅する一対の増幅信号の一方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＰ１１と、低電位側電源端子と外部出力端子Ｖｏｕｔとの間に設けられ、一対の増幅信号の他方に基づいてソース−ドレイン間に流れる電流が制御される出力トランジスタＭＮ１１と、電源電圧ＶＤＤより低く接地電圧ＶＳＳより高い中間電圧ＶＭＬが供給されている低電位側電源端子と、出力トランジスタＭＰ１１のゲートと、の間に設けられ、出力トランジスタＭＰ１１のゲート電圧と中間電圧ＶＭＬとの電圧差に基づいて出力トランジスタＭＰ１１のゲートをクランプするクランプ用トランジスタＭＰ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】演算増幅器の充電にかかる負荷を抑え、低消費電力化を実現できるスイッチドキャパシタ積分器を提供する。
【解決手段】演算増幅器１２２を含む積分器１０２、演算増幅器１２２の入力端子１２２ａに信号を入力するスイッチドキャパシタ回路１０１、演算増幅器１２２の出力端子１２２ｃと接続する出力端子４４３を有するスイッチドキャパシタ回路１０３を含み、積分器１０２及びスイッチドキャパシタ回路１０１がサンプリング動作と積分動作とを繰返し、スイッチドキャパシタ回路１０３は、キャパシタ１３３、キャパシタ１３３をサンプル、ホールド動作させるスイッチング素子１３１、１３２を含み、スイッチング素子１３１、１３２がキャパシタ１３３を、積分動作中にホールド動作させる。 （もっと読む）

【課題】高調波歪みを容易に低減させることのできるＥ_Ｍ級増幅器を提供する。
【解決手段】本発明にかかるＥ_Ｍ級増幅器は、主回路と、主回路に信号を入力する補助回路と、を有するＥ_Ｍ増幅器であって、主回路は、プッシュプル構造を有することを特徴とする。この場合において、限定されるわけではないが、プッシュプル構造は、第一の主基礎回路と、第一の主基礎回路と同様な構造の第二の主基礎回路と、第一の主基礎回路と第二の主基礎回路に接続される負荷回路と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 入力された信号の位相差が大きいときの出力電力の低下を抑制した信号変換回路を提供する。
【解決手段】 第１信号Ｓ１，第２信号Ｓ２，第１信号Ｓ１をφ１だけ遅延させた第３信号Ｓ３，第２信号Ｓ２をφ２（φ２＝φ１＋φ３）だけ遅延させた第４信号Ｓ４を出力する第１回路４と、第１信号Ｓ１，第２信号Ｓ２がソース端子，ゲート端子に入力されて第５信号Ｓ５を出力するトランジスタ７と、第３信号Ｓ３，第４信号Ｓ４がソース端子，ゲート端子に入力されて第６信号Ｓ６を出力するトランジスタ８と、第６信号Ｓ６をφ４（φ４≧０）だけ遅延させた第７信号Ｓ７をスイッチ回路５７を介して出力し、第５信号Ｓ５をφ５（φ５＝１８０°＋φ１＋φ４）だけ遅延させた第８信号Ｓ８を出力する第２回路５と、スイッチ回路５７を制御する第３回路６と、第７信号Ｓ７，第８信号Ｓ８を加算する第４回路９とを有する信号変換回路とする。 （もっと読む）

【課題】安定動作させながら、ＲＦパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるＲＦパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路２１は、ｎ型からなる第１、第２、第３のＦＥＴ２１１，２１２，２１３を備える。第１、第３のＦＥＴ２１１，２１３のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第１のＦＥＴ２１１のドレインは、第２のＦＥＴ２１２のゲートに接続し、第２のＦＥＴ２１２のドレインには、駆動電圧Ｖｄｓが印加される。第２のＦＥＴ２１２のソースと第３のＦＥＴ２１３のドレインは接続され、接続点がパワーＦＥＴ３１のドレインに接続されている。第２のＦＥＴ２１２のゲートソース間には、第２のＦＥＴ２１２がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ２１５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】入出力間オフセット電圧を削減しつつ消費電流を削減する。
【解決手段】第１導電型の第１差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第１導電型の第２差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第３差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第４差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。出力段回路は、第１乃至第４差動回路の出力に基づいて出力信号を出力する。差動増幅器は、上記第１乃至第４差動回路、出力段回路を具備し、制御信号に基づいて、第１乃至第４差動回路を形成するトランジスタのチャネル長とチャネル幅との比を変更する。 （もっと読む）

【課題】ドレインアイドル電流のドリフトを直接補償すること。
【解決手段】入力信号が入力するゲートと、出力信号が出力するドレインとを有するＦＥＴを含む電子回路の制御方法であって、前記ＦＥＴのゲートに前記入力信号が入力してからの時間ｔ経過後における前記入力信号ｘ（ｔ）に対応するドレインアイドル電流の変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を算出するステップＳ１０と、前記変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を補償するためのゲートバイアス電圧Ｖｇを算出するステップＳ１２と、前記ゲートバイアス電圧を前記ＦＥＴのゲートに印加するステップＳ１４と、を含むことを特徴とする電子回路の制御方法。 （もっと読む）

【課題】 不要パルスの発生が抑制された信号変換回路およびそれを用いた増幅回路，送信装置，通信装置を提供する。
【解決手段】 第１信号Ｓ１がソース端子に、第２信号Ｓ２がゲート端子に入力されるトランジスタ７と、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２とが入力されて、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差の情報を有する第３信号Ｓ３を出力する第１回路５と、第１信号Ｓ１と第３信号Ｓ３とが入力されて、第１信号Ｓ１の位相を所定の値だけシフトさせた位相を有する信号に、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差に応じてバイアス電圧を加えた信号である第４信号Ｓ４を出力する第２回路６と、ソース端子がトランジスタ７のドレイン端子に接続されているとともにゲート端子に第４信号Ｓ４が入力されて、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差に応じてデューティ比が変化する第５信号Ｓ５をドレイン端子から出力するトランジスタ９とを有する信号変換回路とする。 （もっと読む）

【課題】高品質のイメージが得られるイメージセンサーを提供する。
【解決手段】検出部で検出された電荷を増幅させ、入力端子、増幅端子、及び出力端子を含む電荷検出増幅部を備え、電荷検出増幅部は、入力端子と前記増幅端子との間に接続された第１キャパシタと、入力端子と前記増幅端子との間に接続された第１スイッチングユニットと、増幅端子と出力端子との間に接続された第２キャパシタと、出力端子と基準電圧端子との間に接続された第２スイッチングユニットと、を備えることを特徴とするイメージセンサー。 （もっと読む）

【課題】ランプアップまたはランプダウンにおいてスイッチングスペクトラムの劣化を軽減すること。
【解決手段】初段と最終段のバイアス回路８１、８３が、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流を決定する。電力検出回路５、６は、最終段出力信号Ｐｏｕｔの信号レベルに応答する電力検出信号Ｖ_ＤＥＴを生成する。誤差増幅器７に検出信号Ｖ_ＤＥＴと目標電力信号Ｖ_ＲＡＭＰが供給され、電力制御電圧Ｖ_ＡＰＣが制御信号増強回路９の入力に供給され、出力から増強制御信号Ｖ_ＥＮを生成する。制御信号増強回路９は、所定の非線型の入出力特性を有する。増強制御信号Ｖ_ＥＮが初段と最終段のバイアス回路８１、８３とに供給され、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流は増強制御信号Ｖ_ＥＮによって制御され、ＲＦ電力増幅器の制御利得の低下が補償される。 （もっと読む）

【課題】ＡＣＬＲが劣化しないＴＤＤ方式用の無線送信用電力増幅器および電力増幅方法を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ７が、終段増幅部５からのループバック信号をＦＦＴ部２２でスペクトラム分析し送信タイミングと同期してＡＣＬＲモニタ部が測定したＡＣＬＲ値を監視し、送信開始直後のタイミングでもそのＡＣＬＲ値が所定の閾値以下になるように制御電源部２３から終段増幅部５に印加するドレイン電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】昇圧率の切りかえの際に、電流の逆流を防止する。
【解決手段】コントローラ１０は、第１スイッチＳＷ１から第７スイッチＳＷ７のオン、オフ状態を制御することにより、（１）第１モードにおいて、第３端子Ｐ３に入力電圧ＶＤＤを、第４端子Ｐ４に入力電圧ＶＤＤを反転した負電圧−ＶＤＤを発生させ、（２）第２モードにおいて、第３端子Ｐ３に入力電圧ＶＤＤの略１／２倍の電圧を、第４端子Ｐ４に、入力電圧ＶＤＤの略１／２倍の電圧を反転した負電圧−ＶＤＤ／２を発生させる。コントローラ１０は、第１モードから第２モードへの移行を指示されると、遷移期間にわたり、第３スイッチおよび第５スイッチをオンする第１状態と、第２スイッチおよび第４スイッチをオンする第２状態と、を交互に繰り返す第３モードで動作し、その後、第２モードで動作する。 （もっと読む）

【課題】ベクトル結合電力増幅のための方法およびシステムが、本明細書で開示される。
【解決手段】一実施形態では、複数の信号は個別に増幅され、次いで加算されて、所望の時変複素包絡線信号が形成される。１つまたは複数のこれらの信号の位相および／または周波数特性は、所望の時変複素包絡線信号の所望の位相、周波数、および／または振幅特性を提供するように制御される。別の実施形態では、時変複素包絡線信号は、複数の定包絡線成分信号に分解される。これらの成分信号は等しくあるいはほぼ等しく増幅され、次いで加算されて、元の時変包絡線信号の増幅されたバージョンが構成される。実施形態はまた、周波数アップコンバージョンをも行う。 （もっと読む）

【課題】耐ノイズ性を高めつつ、ノイズ光を誤検知しても消費電力を抑えることができる光信号受信回路を提供する。
【解決手段】光信号受信回路１０は、光信号を受信して電流信号を出力するフォトダイオードＰＤと、復調信号を出力する信号処理回路２０と、信号処理回路２０の電流源を制御する電流源制御回路３０とを備えている。電流源制御回路３０は、フォトダイオードＰＤからの電流信号に応じて光信号を検出した場合に、光信号検出信号を出力する第１の制御回路３２と、光信号検出信号に基づいて信号処理回路２０のアクティブ型のバンドパスフィルタである第１のＢＰＦ回路２３へバイアス電流を供給する第１の電流源回路３３と、第１のＢＰＦ回路２３からの信号でキャリア成分を検出した場合に、キャリア検出信号を出力する第２の制御回路３５と、キャリア検出信号に基づいて信号処理回路２０へバイアス電流を供給する第２の電流源回路３６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】２つの出力信号間のタイミングのずれを低減すること。
【解決手段】入力信号ＩＮ，ＸＩＮはトランジスタＭ１，Ｍ２のゲートに供給される。トランジスタＭ１のドレインはトランジスタＭ３のドレインとトランジスタＭ４のゲートに接続され、トランジスタＭ２のドレインはトランジスタＭ３のゲートとトランジスタＭ４のドレインに接続される。また、トランジスタＭ１，Ｍ２のドレインは差動対のトランジスタＭ１１，Ｍ１２のゲートに接続される。トランジスタＭ３，Ｍ４のソースには、ゲートにバイアス電圧ＶＢが供給されるトランジスタＭ５が接続される。トランジスタＭ１１，Ｍ１２のソースには、ゲートにバイアス電圧ＶＢが供給されるトランジスタＭ１３が接続される。 （もっと読む）