【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう影響を排除する。
【解決手段】アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 （もっと読む）

【課題】クロックフェイズの切り替わりにおける電圧スパイクの低減と共に出力電圧の収束速度の向上を図る。
【解決手段】第１及び第２の同相電圧検出器３０１，３０２は、ノンオーバーラップ期間が設定された２相クロックで駆動され、第１の同相電圧検出器３０１は、第１のクロック位相において充電動作し、第２のクロック位相において出力同相電圧の生成と電荷保持動作をし、第２の同相電圧検出器３０２は、第２のクロック位相において充電動作し、第１のクロック位相において出力同相電圧の生成と電荷保持動作をし、ノンオーバーラップ期間において、第１及び第２の同相電圧検出器３０１，３０２は、スイッチ３５ａ〜３５ｆ、３６ａ〜３６ｆにより入力段及び出力段と電気的に分離され、同相電圧出力トランジスタのゲート・ソース間寄生容量により電荷保持動がなされる構成となっている。 （もっと読む）

【課題】所定のＳ／Ｎを維持しながら消費電流の増加を抑制することのできる演算増幅器を提供する。
【解決手段】実施形態の演算増幅器は、正相信号Ｖｐと逆相信号Ｖｍが入力される差動増幅回路１００と、差動増幅回路１００へ動作電流を供給するカレントミラー回路２００とを有する。この演算増幅器は、入力信号電圧検出回路１が、正相信号Ｖｐと逆相信号Ｖｍとの間の電圧差を検出し、動作電流制御回路２が、その電圧差の大きさに応じた制御信号を出力する。この制御信号の制御により、可変定電流回路３が、カレントミラー回路２００へ入力する定電流の大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】消費電流を削減する。
【解決手段】第１及び第２の入力端子に現れる電位差を第１及び第２の電源に基づいて増幅する差動アンプ（図２のＭＮ１、ＭＮ２が相当）と、差動アンプを動作させるバイアス電流を制御するバイアストランジスタ（図２のＭＮ３が相当）と、差動アンプの負荷となるカレントミラー回路（図２のＭＰ１、ＭＰ２が相当）と、カレントミラー回路のダイオード接続側と其々の制御端が接続されると共に第１及び第２の電源間に直列に接続される、バイアストランジスタと逆導電型の第１及び第２のトランジスタ（図２のＭＰ４、ＭＰ６が相当）を有し、第１及び第２のトランジスタの間の接続ノードをバイアストランジスタの制御端に接続するバイアス制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の変動を低減した差動増幅回路及びコンパレータを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、差動回路と、出力回路と、クリップ回路と、を備えたことを特徴とする差動増幅回路が提供される。前記差動回路は、一対の入力信号の電位差に応じた一対の差動電流を生成する。前記出力回路は、前記一対の差動電流を受けて、電流差に応じた出力電圧を生成する。前記クリップ回路は、前記出力電圧に応じてオンし、前記出力電圧をしきい値電圧を含みローレベルまたは前記ローレベルよりも高いハイレベルに変換できる範囲に抑制するクリップ素子を有する。 （もっと読む）

【課題】より十分な出力電流を流せる出力回路を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ１２のドレイン電流が大きい場合、ＰＭＯＳトランジスタ１３は非飽和領域で動作する。このときＮＭＯＳトランジスタ１４及び１７のゲート電圧は電源端子電圧付近まで上昇している。このため、ＮＭＯＳトランジスタ１７のゲート・ソース間電圧は大きくなり、十分な出力電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】回路面積が小さな電流源回路を提供する。
【解決手段】この電流源回路では、直流電圧Ｖ１に応じた値の参照電流Ｉ１を生成し、その電流Ｉ１のうちの電流ＩｒをダイオードＤ１に流し、残りの電流Ｉ１−ＩｒをダイオードＤ２に流し、ダイオードＤ１，Ｄ２のアノードの電圧ＶＲ１，ＶＲ２を差動増幅回路のトランジスタＱ１，Ｑ２のベースに与える。また、直流電圧Ｖ２に応じた値の参照電流Ｉ２を生成し、その電流Ｉ２を差動増幅回路の駆動電流とする。トランジスタＱ１のコレクタに流れる定電流Ｉｏ＝Ｉｒ・（Ｖ２／Ｖ１）が電流源回路の出力電流Ｉｏとなる。したがって、外付け用の端子および外部抵抗器が不要となる。 （もっと読む）

【課題】各動作モードにおいてレベルシフト回路を用いることなく所望の入力電圧範囲となる多入力差動増幅器を提供する。
【解決手段】差動部１は、バイアス部２と出力部３との間に設けられ、第一入力部１０と第二入力部２０とを有する。第一入力部１０は、ソースがバイアス部２と接続され、ドレインが出力部３と接続された１個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１１）からなる。第二入力部２０は、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２１）、（Ｍ２２）と、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２３）、（Ｍ２４）とが２列に並列接続される。また、入力端ＩＮａはＭ１１のゲートに接続され、入力端ＩＮｘはＭ２２とＭ２３のゲートに接続され、入力端ＩＮｙはＭ２１とＭ２４のゲートに接続される。バイアス部２は１つの定電流源２１を有し、出力部３は２つのｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２）で構成のカレントミラー回路を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の差動増幅器は出力誤差が増大する問題がある。
【解決手段】本発明の差動増幅器は、内挿機能を有し、第１導電型トランジスタで形成される第１、第２の差動対（２１、２２）と、第２導電型トランジスタで形成される第３、第４の差動対（２３、２４）と、第１、第２の差動対に動作電流を供給する第１、第２の電流源（４１、４２）と、第３、第４の差動対に動作電流を供給する第３、第４の電流源（４３、４４）と、第１、第２の差動対にそれぞれ流れる電流量が第１、第２の電流源が出力する動作電流よりも小さくなる第１の動作範囲において、第１の差動対に供給される動作電流の変化点を制御する第１の制御回路５１と、第３、第４の差動対にそれぞれ流れる電流量が第３、第４の電流源が出力する動作電流よりも小さくなる第２の動作範囲において、第４の差動対に供給される動作電流の変化点を制御する第２の制御回路５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】出力期間の切替時における出力信号の遅延発生を抑制する出力回路、データドライバと表示装置の提供。
【解決手段】出力回路は差動増幅回路１１０、１０５，出力増幅回路１２０と第１の制御回路１６０、入力端子１０１、出力端子１０４、第１乃至第３の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳ、ＶＭＬを備える。差動増幅回路は前記入力端子の入力信号と前記出力端子の出力信号を入力する差動入力段１１０と第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０を備える。出力増幅回路１２０は第１の電源端子ＶＤＤと出力端子１０４との間に接続された第１導電型の第１のトランジスタ１２１と出力端子１０４と第３の電源端子ＶＭＬとの間に接続された第２導電型の第２のトランジスタ１２２とを備える。第１の制御回路１６０は、第１導電型の第３のトランジスタ１６１と第１のスイッチ１６２を備える。 （もっと読む）

【課題】消費電流を増加させずにスルーレートを向上する差動増幅回路、表示用駆動回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路は、差動信号を入力する入力段と、入力段の出力に基づいて容量性負荷を駆動する出力段とを具備する。入力段は、差動信号を入力する差動信号入力部（ＭＮ１／ＭＮ２、ＭＮ１１／ＭＮ１２／ＭＰ２１／ＭＰ２２）と、差動入力部にバイアス電流を供給する電流源（ＭＮ３、ＭＮ１０／ＭＰ２０）と、電流源（ＭＮ３、ＭＮ１０／ＭＰ２０）に並列に挿入される可変容量（Ｃｓ）を含むスルーレート調整部（４１４、４１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力電圧におけるひずみを低減すること。
【解決手段】制御回路２７は、第１の差動対２１と高電位電源ＶＤとの間に接続されたトランジスタＴＰ１１に流れるバイアス電流ｉａ１と等しい電流ｉａ３を高電位電源ＶＤとノードＮ１３との間に生成する。また、制御回路２７は、バイアス電圧ＶＧ１に応じた電流ｉｂ２をノードＮ１３とグランドＧＮＤとの間に生成する。ノードＮ１３は、トランジスタＴＰ１３に接続され、電流源として動作するトランジスタＴＰ１２は、トランジスタＴＰ１３に流れる電流ｉａ５と等しいバイアス電流ｉａ２を第２の差動対２２に供給する。そして、制御回路２７は、入力電圧ＶＰがゲートに供給されるトランジスタＴＮ３３により、ノードＮ１３とグランドＧＮＤとの間に流れる電流を制限する。 （もっと読む）

【課題】出力信号遅延を抑制し、消費電流の増大を抑制する出力回路の提供。
【解決手段】入力端子１０１と出力端子１０２の電圧を差動入力する差動入力段１１０からなる差動増幅回路と、第１及び第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳに接続された第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０と、前記第１及び第２のカレントミラーの入力間、出力間に接続される第１、第２の連絡回路１５０Ｌ、１５０Ｒと、第１導電型の第１のトランジスタ１２１と第２導電型の第２のトランジスタ１２２とからなる出力増幅回路と、前記第１、第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳの電源電圧の間の電圧が供給される第３の電源端子ＶＭＬの電圧に応じたバイアス信号を受ける第１導電型の第３のトランジスタ１６１からなる制御回路１６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値が低い場合でも優れた線形性能を確保しつつ、入力信号レベルを大きくすることができるオペレイショナル・トランスコンダクタンス・アンプを提供する。
【解決手段】信号が入力され、信号を出力するＮＭＯＳトランジスタ（以下、Ｔｒ）１１、１２、ドレインがＴｒ１１のソースに接続され、ゲートがＴｒ１２のソースに接続されるＴｒ１３、ドレインがＴｒ１２のソースに接続され、ゲートがＴｒ１１のソースに接続されるＴｒ１４、Ｔｒ１３に電流を供給する電流源１７、Ｔｒ１４に電流を供給する電流源１８、Ｔｒ１３のソースとＴｒ１４のソースとの間に接続される抵抗素子１９、Ｔｒ１３、１４に対し、それらトランジスタの動作点が飽和領域内の線形領域に近い側から遠い側に向かう方向にシフトするように電圧を印加する電圧源２１、２２によってＯＴＡを構成する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で、定電圧駆動と定電流駆動を所望に応じて選択可能な電源回路を提供する。
【解決手段】演算増幅器１の出力端子とグランドとの間に第１及び第２の抵抗器３１，３２が直列接続されて設けられ、演算増幅器１の非反転入力端子には、所定の基準電圧が印加され、演算増幅器１の出力端子には、外部からの信号により動作制御可能に構成されてなるバッファアンプ２が接続され、バッファアンプ２の出力端子とグランドとの間には、ＭＯＳトランジスタ１１と第３の抵抗器３３が順に直列接続されて設けられ、これらの接続が、切替制御回路４、及び、第１乃至第４のアナログスイッチ２１〜２４により切り替えられることで、定電圧駆動と定電流駆動が選択可能となっている。 （もっと読む）

【課題】負荷側に出力を電流で受け渡すカレントミラー回路を備える差動増幅器の動作を高速化する。
【解決手段】差動増幅器を構成し、差動増幅器に対する２つの入力の内のそれぞれ１つが与えられる各トランジスタの端子の内で、差動増幅器の出力点となりうるそれぞれの端子の間に接続される回路素子を備える差動増幅器は、カレントミラー回路においてモニタ電流が流れるトランジスタに接続されるとともに、カレントミラー回路においてコピー電流が流れる第１のトランジスタと、前記出力が受け渡される負荷としての抵抗との間に接続される前記２つの入力のうちいずれか１つが与えられるトランジスタへの入力がＬの時にオフとなる第２のトランジスタと、第１のトランジスタと第２のトランジスタとの接続点とアースとの間に接続される電流源とをさらに備えることにより、上記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が比較的小さい場合においても、性能劣化を起こさず、かつオーバードライブリカバリ可能な差動増幅回路を得る。
【解決手段】第１の出力部であるノードＮ１と電源Ｖddとの間にＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及びＭＰ３が互いに並列に介挿され、第２の出力部であるノードＮ２と電源Ｖddとの間にＰＭＯＳトランジスタＭＰ２及びＭＰ４が互いに並列に介挿される。レプリカ回路４及びコンパレータ５によって、入力電圧Ｖinと基準電圧Ｖrefとの入力電位差が“０”のバランス状態時の出力電圧Ｖoutｐ及びＶoutｎは共に基準出力コモン電圧Ｖoutcm_idealに設定される。電源電圧Ｖddと出力コモン電圧Ｖoutcmとの電位差がダイオード接続されたＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及びＭＰ２の閾値電圧Ｖthよりも低い値となるように、レプリカ回路４の基準出力コモン電圧Ｖoutcm_idealを設定する。 （もっと読む）

【課題】定常消費電流を大きくせずスルーレートを高速化したオペアンプを提供し、また、外部端子数を増大せず、閾値電圧などのパラメータを任意に設定することが可能なパラメータ設定回路、並びに、これを備えた半導体装置、電源装置を提供する。
【解決手段】オペアンプは、一対のトランジスタから成る差動対を用いて正相入力信号と逆相入力信号との電位差に応じた電圧信号を生成する少なくとも一の差動入力部１０、２０と、前記差動入力部で生成される前記電圧信号に応じた論理レベルの出力信号を生成して出力する出力部３０と、前記正相入力信号または前記逆相入力信号が急峻に変動したことを検出して補助電流Ｉｄ１、Ｉｄ２を生成する少なくとも一の補助電流生成部４０、５０と、所定の基準電流Ｉｄ０と前記補助電流Ｉｄ１、Ｉｄ２とを足し合わせて前記差動入力部の駆動電流Ｉｄを生成する駆動電流生成部６０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】出力端子の電位の変動が位相補償キャパシタを介して出力トランジスタのゲートの電位を変動させることによる貫通電流の発生を防ぐ。
【解決手段】演算増幅器１が、出力ＰＭＯＳトランジスタＭＰ６と、出力ＮＭＯＳトランジスタＭＮ６と、ノードＮ１と出力端子Ｖｏｕｔの間に接続された位相補償キャパシタＣ１と、ノードＮ２と出力端子Ｖｏｕｔの間に接続された位相補償キャパシタＣ２と、浮遊電流源６を構成しているＰＭＯＳトランジスタＭＰ５Ａ及びＮＭＯＳトランジスタＭＮ５Ａと、ノードＮ１と浮遊電流源６の間に接続されたＰＭＯＳトランジスタＭＰ５Ｂと、浮遊電流源６とノードＮ２の間に接続されたＮＭＯＳトランジスタＭＮ５Ｂとを備えている。ＰＭＯＳトランジスタＭＰ５Ａ、ＭＰ５Ｂのゲートは共通に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ５Ａ、ＭＮ５Ｂのゲートは共通に接続されている。 （もっと読む）

【課題】出力インピーダンスが大きい信号源を接続した場合でも大きなバイパスコンデンサを必要とせず、かつ電源電圧変動除去特性の良い差動入力段回路を提供する。
【解決手段】差動入力段回路を、差動入力部を構成し、ソースが結合されたトランジスタＭ１，Ｍ２と、トランジスタＭ１，Ｍ２とグランドとの間に接続された定電流源Ｉｃと、カレントミラー段を構成し、ソースが電源に接続されたトランジスタＭ３，Ｍ４と、トランジスタＭ３のドレーンにドレーンが接続され、トランジスタのドレーンにソースが接続され、ゲートが基準電圧源Ｖｂｉａｓに接続された、トランジスタＭ１と同一の導電型のトランジスタＭ５と、トランジスタＭ４のドレーンにドレーンが接続され、トランジスタＭ２のドレーンにソースが接続され、ゲートが基準電圧源Ｖｂｉａｓに接続された、トランジスタＭ２と同一の導電型のトランジスタＭ６と、で構成する。 （もっと読む）