【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう影響を排除する。
【解決手段】アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 （もっと読む）

【課題】消費電流の増加や最低動作電源電圧の上昇などを招くことなく出力位相反転を防止する。
【解決手段】入力部１０の反転入力端子１００と第２のトランジスタ２のコレクタとが第１のダ入力部用イオード１１を介して、非反転入力端子２００と第１のトランジスタ１のコレクタとが第２の入力部用ダイオード１２を介して、それぞれ接続される一方、第９のトランジスタ９のエミッタと第３の負荷３５の相互の接続点と反転入力端子１００とが第５のダイオード１５を介して、第９のトランジスタ９のエミッタと第３の負荷３５の相互の接続点と非反転入力端子２００とが第６のダイオード１６を介して、それぞれ接続されて、消費電流の増加や最低動作電源電圧の上昇などを招くことなく出力位相反転が防止されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で入力オフセット電圧の温度依存性が小さいセンサ信号処理装置を提供する。
【解決手段】センサ用電源として第１の電源電圧Ｖ´ｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２を出力するセンサ部１００と、信号処理用電源として第２の電源電圧Ｖｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２が入力される差動対を使用する差動増幅部を有して信号処理を行なう信号処理部２００と、を有してセンサ信号処理装置１を構成する。この第１の電源電圧Ｖ´ｃｃは、信号処理部２００の差動増幅部２５０の入力電圧範囲の下限領域に設定される。 （もっと読む）

【課題】高速動作に対応可能とし、消費電力を抑制可能とし面積も抑制可能とする出力回路の提供。
【解決手段】出力回路は、差動入力段１０と出力増幅段２０と増幅加速回路７０を備え、増幅加速回路７０は、入力対が入力端子１と出力端子２に夫々接続された差動対１７１、１７２と、第５の電源端子Ｅ５と前記差動対の出力対間にそれぞれ接続された負荷素子対１７４、１７５を備え、差動対１７１、１７２の入力電位差によって、差動入力段１０の第２のカレントミラー４０の入力が接続する第４のノードＮ４への電流供給を制御する第１の電流源回路１７６と、差動入力段１０の第１のカレントミラー３０の出力が接続する第１のノードＮ１への電流供給を制御する第２の電流源回路１７８を含む。 （もっと読む）

【課題】 入力電圧が低く、特性を向上させた増幅装置を提供する。
【解決手段】 増幅装置は、一対の受光素子からそれぞれ入力された第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）を、第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）にそれぞれ変換して出力する第１及び第２のトランスインピーダンスアンプ２０と、第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）の各電流を分流する分流回路２４と、第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）の平均電圧値を示す平均信号を生成して出力する平均値検出回路と、平均信号Ｖａｖ、及び第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）のオフセット電圧値に基づいて、分流回路２４に分流される第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）の各電流値を制御する制御回路２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】入出力間オフセット電圧を削減しつつ消費電流を削減する。
【解決手段】第１導電型の第１差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第１導電型の第２差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第３差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第４差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。出力段回路は、第１乃至第４差動回路の出力に基づいて出力信号を出力する。差動増幅器は、上記第１乃至第４差動回路、出力段回路を具備し、制御信号に基づいて、第１乃至第４差動回路を形成するトランジスタのチャネル長とチャネル幅との比を変更する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の出力精度に段差が発生していた。
【解決手段】電流源で駆動される第１、第２の差動対と、その電流源を駆動する第１の基準電流発生回路と、を備える第１の差動入力部と、電流源で駆動される第３、第４の差動対と、その電流源を駆動する第２の基準電流発生回路と、を備える第２の差動入力部と、前記第１、第２の差動入力部との出力に応じて、出力する出力部と、を有し、前記第１、第２の基準電流発生回路の第１、第２の電流経路上に接続される第１、第２のトランジスタを入力信号に応じて制御することで、前記第１、第２の差動入力部の出力を制御する差動増幅器。 （もっと読む）

【課題】所定のＳ／Ｎを維持しながら消費電流の増加を抑制することのできる演算増幅器を提供する。
【解決手段】実施形態の演算増幅器は、正相信号Ｖｐと逆相信号Ｖｍが入力される差動増幅回路１００と、差動増幅回路１００へ動作電流を供給するカレントミラー回路２００とを有する。この演算増幅器は、入力信号電圧検出回路１が、正相信号Ｖｐと逆相信号Ｖｍとの間の電圧差を検出し、動作電流制御回路２が、その電圧差の大きさに応じた制御信号を出力する。この制御信号の制御により、可変定電流回路３が、カレントミラー回路２００へ入力する定電流の大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】出力電力を高効率で伝達可能な高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】例えば、差動増幅器ＡＤ１０１，ＡＤ１０２と、その各出力インピーダンスを整合するトランスフォーマＴＲ１０１を備え、ＡＤ１０１の差動出力ノード間にインダクタＬ１０１、スイッチＳ１０１、インダクタＬ１０２を直列に接続する。ＡＤ１０２が動作状態、ＡＤ１０１が非動作状態の場合には、Ｓ１０１がオンに制御される。この場合、ＡＤ１０１に含まれる差動対のトランジスタのオフ容量を踏まえて１次コイルＬＤ１１１／ＬＤ１１２の両端から見たＡＤ１０１側のインピーダンスが高インピーダンス状態（並列共振状態）となり、等価的に、ＡＤ１０２の動作に際してＬＤ１１１／ＬＤ１１２は影響しなくなる。 （もっと読む）

【課題】 差動増幅回路の出力信号の特性を改善する。
【解決手段】入力データ信号が‘Ｌｏｗ’レベルになると、トランジスタ１６に流れる電流Ｉ１の電流が減少し、抵抗１４と抵抗１４ａとの接続部（ノードＤ）の電位が高くなる。この電位は、トランジスタ１８にゲートに入力（負帰還）され、該ゲート電位が高くなることによって、テイル電流量Ｉ＿ＴＡＩＬが増加する方向に調整される。入力データ信号が‘Ｈｉｇｈ’レベルになると、電流Ｉ１の電流が多く流れ、ノードＤの電位が下がる。これによって、トランジスタ１８のゲート電位（負帰還）が下がり、テイル電流量Ｉ＿ＴＡＩＬを絞る方向に調整される、これによって入力波形の立上りと立下りとで、それぞれ出力波形との遅延時間の差が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】信号の平均化値のずれを抑制した信号平均化回路を提供する。
【解決手段】キャパシタＣａ１の正端子に接続され、キャパシタＣａ１への信号の入力を制御するスイッチング素子Ｓ９と、キャパシタＣａ２の正端子に接続され、キャパシタＣａ２への信号の入力を制御するスイッチング素子Ｓ１０と、キャパシタＣａ１とキャパシタＣａ２の正端子同士とを接続する平均化スイッチ素子Ｓ１３と、を備え、パワーオフ期間後にキャパシタＣａ１に信号を入力することにより充電を行うプリチャージ期間と、プリチャージ期間後に、キャパシタＣａ２に信号を入力することにより充電を行う第１サンプリング期間と、第１サンプリング期間後にキャパシタＣａ１に信号を入力することにより再充電を行う第２サンプリング期間と、前記第２サンプリング期間後にキャパシタＣａ１，Ｃａ２の正端子同士を接続した状態とする平均化期間と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】増幅器の出力雑音電圧を抑制する。
【解決手段】正転入力電圧と反転入力電圧の差分を増幅する差動入力回路１と、差動入力回路１の出力信号を増幅して出力端子に出力する出力回路２と、差動入力回路１の電流源ＭＰ３と出力回路２の電流源ＭＰ４にバイアス電圧を出力するバイアス回路５を備えた増幅器である。差動入力回路１の正転入力電圧と反転入力電圧が共に接地電圧のときに出力端子に現れる出力雑音電圧を検出し、該雑音電圧のレベルが高いほど、バイアス回路５が、電流源ＭＰ３，ＭＰ４の電流を増大させるバイアス電圧を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の極端な増大を招くことなく、電源投入時の過渡期に出力端子を接地側に落とことを可能にすること。
【解決手段】正転入力電圧ＶＩＮ＿Ｐと反転入力電圧ＶＩＮ＿Ｎの差分を増幅する差動増幅回路１０と、該差動増幅回路１０の出力信号を入力し増幅してＰＭＯＳトランジスタＭ１２とＮＭＯＳトランジスタＭ１３の共通接続点から出力電圧ＶＯＵＴを出力する出力回路２０とを有する演算増幅器１００である。トランジスタＭ１３のゲートに一端が接続されたコンデンサＣｘ１とトランジスタＭ１２のゲートに一端が接続されたコンデンサＣｘ２を備え、コンデンサＣｘ１，Ｃｘ２の他端は抵抗Ｒｘ１を介して高電源端子１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】消費電流を削減する。
【解決手段】第１及び第２の入力端子に現れる電位差を第１及び第２の電源に基づいて増幅する差動アンプ（図２のＭＮ１、ＭＮ２が相当）と、差動アンプを動作させるバイアス電流を制御するバイアストランジスタ（図２のＭＮ３が相当）と、差動アンプの負荷となるカレントミラー回路（図２のＭＰ１、ＭＰ２が相当）と、カレントミラー回路のダイオード接続側と其々の制御端が接続されると共に第１及び第２の電源間に直列に接続される、バイアストランジスタと逆導電型の第１及び第２のトランジスタ（図２のＭＰ４、ＭＰ６が相当）を有し、第１及び第２のトランジスタの間の接続ノードをバイアストランジスタの制御端に接続するバイアス制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 入力段及び出力段の電源電位にかかわらず、増幅器の電力消費を抑えつつスルーレートを向上する。
【解決手段】 増幅器は、差動入力端子及び出力端子を有し、前記出力端子が前記差動入力端子の一方に帰還され、前記差動入力端子の他方に入力される入力信号を増幅し前記出力端子から出力するボルテージフォロア回路と、前記ボルテージフォロア回路に所定の電流を供給する第１電流源と、前記差動入力端子の他方と前記出力端子との間の電位差が所定値以上である場合に前記ボルテージフォロア回路に電流を供給する第２電流源と、を備える。 （もっと読む）

【課題】動作電流を大きく増大させることなく、入力信号変化に対する出力追従性を向上させることのできるボルテージフォロワ回路を提供する。
【解決手段】実施形態のボルテージフォロワ回路は、Ｐ型差動対１０１と、Ｎ型差動対１０２と、折り返しカスコード型中間増幅段１０３と、出力段１０４とを備える演算増幅回路１００を使用するボルテージフォロワ回路であって、出力変化加速部１が、Ｐ型差動対１０１に接続された定電流源Ｉ１０１からＰ型差動対１０１へ電流が流れないときに、出力段１０４へ加速電流Ｉ１を印加して出力段１０４の出力変化を加速し、出力変化加速部２が、Ｎ型差動対１０２に接続された定電流源Ｉ１０２からＮ型差動対１０２へ電流が流れないときに、出力段１０４へ加速電流Ｉ２を印加して出力段１０４の出力変化を加速する。 （もっと読む）

【課題】位相余裕を減らすことなく電源立ち上げ時における出力電圧の立ち上がりを速くする。
【解決手段】電源電圧が立ち上がると、入力電圧ＶinpがＶinmよりも高くなるので、トランジスタ９がオン、トランジスタ１０がオフとなり、差動対１１に供給される動作電流は全てトランジスタ９に流れる。電流検出回路６２に電流が流れないので、トランジスタ７３がオフし、第２の定電流回路６９が出力する増分動作電流Ｉ２は、ダイオード７２を通して差動対１１に流れ込む。トランジスタ９に流れる電流は定常動作電流Ｉ１＋増分動作電流Ｉ２となり、位相補償コンデンサ８の充電電流が増えて出力電圧Ｖｏの立ち上がりが速くなる。 （もっと読む）

【課題】
出力の線形性を改善した電力増幅器、及び、電子装置を提供する。
【解決手段】
電力増幅器は、所望波が差動入力される一対の第１増幅部と、前記第１増幅部の出力側に接続される一対の第２増幅部と、前記第２増幅部の出力側に接続されるトランスと、電源から前記第１増幅部に電力を供給するとともに、前記トランスを介して前記第２増幅部に電力を供給する電力供給線と、前記第１増幅部と前記第２増幅部との間に接続され、前記所望波を前記第２増幅部に通過させるとともに、前記所望波の二次歪み成分を遮断する遮断回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】レールツーレールＤＭＯＳ増幅器の出力ステージにバイアスをかけるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本願発明は、増幅器であって、入力信号を受け取るための入力ステージと、前記入力ステージに連結されると共に、前記入力信号に応答して出力ドライバステージに対して駆動信号を提供する高利得ステージと、前記出力ドライバステージに連結された出力端子とを具備することを特徴とする。前記出力ドライバステージは、前記高利得ステージから第１の駆動信号“ｐｄｒｉｖｅ”を受け取る第１の端子、第１の電圧降下を通じてＶＤＤに連結された第２の端子、及び、前記増幅器の前記出力端子に連結された第３の端子を有する高電位側ドライバ回路を備える。 （もっと読む）

【課題】効果的に雑音レベルを低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】差動入力トランジスタであるＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は、雑音レベルを低減するために薄いゲート酸化膜を有している。これらのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２を過電圧から保護する保護回路は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４を含んで構成されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３はＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１を過電圧から保護する第１の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン側に直列に接続されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２を過電圧から保護する第２の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン側に直列に接続されている。 （もっと読む）